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一种基于超表面光学天线的射频信号探测器

一种基于超表面光学天线的射频信号探测器

IPC分类号 : H01L31/115,H01L31/0236,H01L31/0216,H01L31/18,H01Q15/00,H01Q15/10

申请号
CN202022403282.3
可选规格
  • 专利类型: 实用新型专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2020-10-26
  • 公开号: 213242575U
  • 公开日: 2021-05-18
  • 主分类号: H01L31/115
  • 专利权人: 华中科技大学

专利摘要

本实用新型公开了一种基于超表面光学天线的射频信号探测器,包括:自下而上依次放置的衬底、掺杂层和二氧化硅层,制作于掺杂层之上与掺杂层形成肖特基接触的超表面光学天线层,制作于掺杂层之上与掺杂层形成欧姆接触的欧姆电极,以及位于二氧化硅层的上表面的肖特基电极和普通电极;超表面光学天线层为宽度为5~100mm的金属阵列,对于入射的射频S波段、C波段或X波段的电磁信号具有极强的局域表面等离激元效应,用于探测射频S波段、C波段或X波段的信号;金属阵列为平面结构或立体结构,由周期性排列的微米基元构成;微米基元为微米结构,体积小,能够在极短时间内产生极强的响应信号,可以以较小的体积实现响应速度较快的射频波段信号的探测。

权利要求

1.一种基于超表面光学天线的射频信号探测器,其特征在于,包括:自下而上依次放置的衬底、掺杂层和二氧化硅层,制作于掺杂层之上与掺杂层形成肖特基接触的超表面光学天线层,制作于掺杂层之上与掺杂层形成欧姆接触的欧姆电极,以及位于二氧化硅层的上表面的肖特基电极和普通电极;其中,所述超表面光学天线层分别与所述肖特基电极和所述普通电极相连,其内部缝隙由所述二氧化硅层填充;

所述超表面光学天线层为宽度为5~100mm的金属阵列,对于入射的射频S波段、C波段或X波段的电磁信号具有局域表面等离激元效应,用于探测射频S波段、C波段或X波段的信号;所述金属阵列为平面结构或立体结构,由周期性排列的微米基元构成;所述微米基元为微米结构。

2.根据权利要求1所述的射频信号探测器,其特征在于,所述微米基元间的间距为50~500微米。

3.根据权利要求1所述的射频信号探测器,其特征在于,所述微米基元与所述掺杂层平行时,所述金属阵列为平面结构,此时,所述微米基元为弧形结构,其弧度为10~120度,长度为10~500微米,宽度为50~500微米。

4.根据权利要求1所述的射频信号探测器,其特征在于,所述微米基元与所述掺杂层垂直时,所述金属阵列为立体结构,此时,所述微米基元为圆锥形结构或上底面为弧形的棱台结构。

5.根据权利要求4所述的射频信号探测器,其特征在于,所述微米基元为上底面为弧形的直立棱台结构时,其棱边的数目为3或者4,上底面的弧度为10~180度,下底面边长为10~100微米,斜高为1~100微米;

所述微米基元为圆锥形结构时,其底面直径为10~100微米,高度为1~100微米,锥角角度为10~60度。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的射频信号探测器,其特征在于,所述微米基元的材料为钛和金。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的射频信号探测器,其特征在于,所述欧姆电极的材料为镍、锗和金,厚度分别为25nm、250nm和25nm;所述肖特基电极的材料为钛和金,厚度分别为20nm和200nm;所述普通电极制作材料为钛和金,厚度分别为20nm和200nm。

一种基于超表面光学天线的射频信号探测器专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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