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一种核壳结构GaO/InO纳米晶粒及其制备方法

一种核壳结构GaO/InO纳米晶粒及其制备方法

IPC分类号 : C01G15/00

申请号
CN201910042497.6
可选规格
  • 专利类型: 发明专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2019-01-17
  • 公开号: 109607597B
  • 公开日: 2019-04-12
  • 主分类号: C01G15/00
  • 专利权人: 桂林电子科技大学

专利摘要

本发明涉及纳米材料技术领域,尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法,所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构,所述核壳结构是以Ga2O3为核,In2O3为壳,以金属镓和金属铟为原料,经混合后置于真空管式炉中,反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法,效率高、成本低、产品收率高,制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构,提高了迁移率且降低漏电。

权利要求

1.一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

预处理:将硅衬底依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗后,以氮气吹干,备用;

混合金属制备:分别称取金属镓与金属铟,混合后,加热至40℃搅拌融合,冷却后研磨均匀,得到混合金属粉末;

Ga2O3/In2O3纳米晶粒制备:将所述混合金属粉末放置在石英舟内,将经预处理后的硅衬底放置在所述石英舟内混合金属粉末正上方位置,然后将石英舟置于真空管式炉的石英管中心,盖上密闭盖,抽真空后通入氩气,以6~12℃/min的速率升温至第一阶段温度后,通入混合气体,保温1h后,继续按6~12℃/min的速率升温至第二阶段温度,保温1h反应完成,随炉冷却后取出石英舟,将所得产物经去离子水洗涤后置于60℃的烘箱中烘干,得到核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒;所述混合气体为氩气和氧气的混合气体;所述第一阶段温度为850~950℃;所述第二阶段温度为1050~1150℃。

2.根据权利要求1所述的一种核壳结构Ga2O3/In2O3 纳米晶粒的制备方法,其特征在于,所述金属镓与金属铟的摩尔比为7:3。

3.根据权利要求2所述的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒的制备方法,其特征在于,所述硅衬底与混合金属粉末之间的距离为1~1.5cm。

4.根据权利要求3所述的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒的制备方法,其特征在于,所述混合气体的制备方法如下:将氩气以90sccm的通入速度通入混气设备中,同时将氧气以70~80sccm的通入速度通入混气设备中,经过混气设备混合之后得到混合气体。

一种核壳结构GaO/InO纳米晶粒及其制备方法专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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