专利摘要

本发明提供了一种太赫兹场的检测装置及检测方法，涉及太赫兹场检测。所述检测装置包括：电子枪，用于朝向设定目标点发射电子束；太赫兹发射机构，用于向所述电子束发射太赫兹光束，以加速和/或偏转所述电子束；成像单元，与所述设定目标点对接，以显示所述电子束的束斑；以及确定单元，配置成基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场的参数，所述参数至少包括所述太赫兹场的振幅、偏振和/或脉冲宽度。本发明一方面提出一种完全不同于现有技术的太赫兹场检测方式，已经超越了本领域技术人员的认知范畴；另一方面本发明可以同时检测场强、偏振和脉冲宽度，从而保证参数的同步性，进而保证参数检测的准确性。

权利要求

1.一种太赫兹场的检测装置，包括：

电子枪，用于朝向设定目标点发射电子束；

太赫兹发射机构，用于向所述电子束发射太赫兹光束，以加速和/或偏转所述电子束；

成像单元，与所述设定目标点对接，以显示所述电子束的束斑；以及

确定单元，配置成基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场的参数，所述参数至少包括所述太赫兹场的振幅、偏振和/或脉冲宽度；

所述确定单元配置成基于所述束斑偏移所述设定目标点的最大偏移量确定所述振幅，所述振幅与所述最大偏移量成正比；

其中，所述最大偏移量为所述成像单元显示的所述束斑偏移所述设定目标点最大的最大偏移点的偏移量。

2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述确定单元配置成基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目确定所述脉冲宽度；或者，

所述确定单元配置成基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目在所述成像单元显示的亮度值确定所述脉冲宽度。

3.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，

所述确定单元配置成基于所述太赫兹场的相位差确定所述偏振；

在所述束斑的分布呈线形或近似线形的情况下，所述太赫兹场的相位差

在所述束斑分布呈圆形或近似圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差

在所述束斑分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差其中，

α为所述束斑的长轴与所述成像单元的水平坐标轴之间的夹角；

xm为所述束斑的分布中偏移所述设定目标点最大的最大偏移点在所述成像单元的水平坐标轴上的坐标；

ym为所述束斑的分布中偏移所述设定目标点最大的最大偏移点在所述成像单元的竖向坐标轴上的坐标；

kx常数，通过标定确定；

ky常数，通过标定确定。

4.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置还包括：

磁铁机构，用于对所述电子束施加磁场，以将所述太赫兹场对所述电子束流经方向上的加速转化为在所述成像单元竖向或水平方向的偏转。

5.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，

在所述太赫兹光束与所述电子束垂直相交的情况下，并且在所述束斑的分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，

所述太赫兹场的相位差

其中，B为所述磁铁机构的磁场强度。

6.一种太赫兹场的检测方法，其特征在于，包括：

向设定目标点发射电子束，

向所述电子束发射太赫兹光束，以加速和/或偏转所述电子束；

在所述设定目标点及其周围记录所述电子束的束斑；

基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场的参数，所述参数至少包括所述太赫兹场的振幅、偏振和/或脉冲宽度；

基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场参数的操作包括：

基于所述束斑偏移所述设定目标点的最大偏移量确定所述振幅；并且所述振幅与所述最大偏移量成正比；

其中，所述最大偏移量为所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的最大偏移点的偏移量。

7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场参数的操作包括：

基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目确定所述太赫兹场的脉冲宽度；所述太赫兹场的脉冲宽度τ＝τ0N1/(N1+N2)，其中，τ0为所述电子束的脉冲宽度，N1为所述束斑的分布中落在所述设定目标点的斑点数目，N2为所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目；或者，

基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目在相应显示设备上显示的亮度值确定所述脉冲宽度；所述太赫兹场的脉冲宽度τ＝τ0M1/(M1+M2)，其中，τ0为所述电子束的脉冲宽度，M1为所述束斑中落在所述设定目标点的斑点数目在相应显示设备上显示的亮度值，M2为所述束斑中偏离所述设定目标点的斑点数目在相应显示设备上显示的亮度值。

8.根据权利要求6至7中任一项所述的检测方法，其特征在于，基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场参数操作包括：

基于所述太赫兹场的相位差确定所述偏振；

在所述束斑的分布呈线形或近似线形的情况下，所述太赫兹场的相位差

在所述束斑分布呈圆形或近似圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差

在所述束斑分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差

其中，

α为所述束斑的长轴与水平线之间的夹角；

xm和ym为所述束斑的分布中相对所述设定目标点的最大偏移点分别在水平坐标轴和竖向坐标轴上的坐标；

kx为常数，通过标定确定；

ky为常数，通过标定确定。

说明书

技术领域

本发明涉及太赫兹场检测，特别是涉及一种太赫兹场的检测装置及检测方法。

背景技术

太赫兹(THz)波是波长介于微波和红外辐射之间的电磁波，一般认为太赫兹辐射的频率从0.1THz到10THz，其在物理、化学、电子信息、生命科学、材料科学、天文学、大气与环境监测、通讯雷达、国家安全与反恐、等多个重要领域具有的独特优越性和巨大的应用前景。

因此对太赫兹场的检测便显得更加重要，但是现有的太赫兹场检测技术并不能够对其进行充分检测，存在着诸多问题，例如对太赫兹辐射源的频带有限制，一些频带不能检测；单发检测的一些参数，如场强、偏振及脉冲宽度不统一，对应性差，从而导致检测参数的不准确；检测设备复杂，操作繁琐，迁移性差。

发明内容

本发明的一个目的是要提供一种太赫兹场的检测装置及检测方法。

本发明一个进一步的目的是要利用电子束在太赫兹场作用下被偏转和加速，以实现对太赫兹场的场强、偏振和/或脉宽的单发检测。

本发明另一个进一步的目的是实现同时单发检测太赫兹场的场强、偏振和脉冲宽度，以尽可能保证参数的准确性。

本发明再一个进一步的目的是使用较多的光学元件，从而简化设备结构，使其易于操作，并提高其可迁移性。

特别地，本发明一方面提供了一种太赫兹场的检测装置，包括：

电子枪，用于朝向设定目标点发射电子束；

太赫兹发射机构，用于向所述电子束发射太赫兹光束，以加速和/或偏转所述电子束；

成像单元，与所述设定目标点对接，以显示所述电子束的束斑；以及

确定单元，配置成基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场的参数，所述参数至少包括所述太赫兹场的振幅、偏振和/或脉冲宽度。

进一步地，所述确定单元配置成基于所述束斑偏移所述设定目标点的最大偏移量确定所述振幅，所述振幅与所述最大偏移量成正比；

其中，所述最大偏移量为所述成像单元显示的所述束斑偏移所述设定目标点最大的最大偏移点的偏移量。

进一步地，所述确定单元配置成基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目确定所述脉冲宽度；或者，

所述确定单元配置成基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目在所述成像单元显示的亮度值确定所述脉冲宽度。

进一步地，所述确定单元配置成基于所述太赫兹场的相位差确定所述偏振；

在所述束斑的分布呈线形或近似线形的情况下，所述太赫兹场的相位差

在所述束斑分布呈圆形或近似圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差

在所述束斑分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差 其中，

α为所述束斑的长轴与所述成像单元的水平坐标轴之间的夹角；

xm为所述束斑的分布中偏移所述设定目标点最大的最大偏移点在所述成像单元的水平坐标轴上的坐标；

ym为所述束斑的分布中偏移所述设定目标点最大的最大偏移点在所述成像单元的竖向坐标轴上的坐标；

kx常数，通过标定确定；

ky常数，通过标定确定。

进一步地，所述检测装置还包括：

磁铁机构，用于对所述电子束施加磁场，以将所述太赫兹场对所述电子束流经方向上的加速转化为在所述成像单元竖向或水平方向的偏转。

进一步地，在所述太赫兹光束与所述电子束垂直相交的情况下，并且在所述束斑的分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，

所述太赫兹场的相位差

其中，B为所述磁铁机构的磁场强度。

另一方面，本发明还提供了一种太赫兹场的检测方法，包括：

向设定目标点发射电子束，

向所述电子束发射太赫兹光束，以加速和/或偏转所述电子束；

在所述设定目标点及其周围记录所述电子束的束斑；

基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场的参数，所述参数至少包括所述太赫兹场的振幅、偏振和/或脉冲宽度。

进一步地，基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场参数的操作包括：

基于所述束斑偏移所述设定目标点的最大偏移量确定所述振幅；并且所述振幅与所述最大偏移量成正比；

其中，所述最大偏移量为所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的最大偏移点的偏移量。

进一步地，基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场参数的操作包括：

基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目确定所述太赫兹场的脉冲宽度；所述太赫兹场的脉冲宽度τ＝τ0N1/(N1+N2)，其中，τ0为所述电子束的脉冲宽度，N1为所述束斑的分布中落在所述设定目标点的斑点数目，

N2为所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目；或者，

基于所述束斑的分布中偏离所述设定目标点的斑点数目在相应显示设备上显示的亮度值确定所述脉冲宽度；所述太赫兹场的脉冲宽度τ＝τ0M1/(M1+M2)，其中，τ0为所述电子束的脉冲宽度，M1为所述束斑中落在所述设定目标点的斑点数目在相应显示设备上显示的亮度值，M2为所述束斑中偏离所述设定目标点的斑点数目在相应显示设备上显示的亮度值。

进一步地，基于所述束斑获取所述太赫兹光束对应的太赫兹场参数操作包括：

基于所述太赫兹场的相位差确定所述偏振；

在所述束斑的分布呈线形或近似线形的情况下，所述太赫兹场的相位差

在所述束斑分布呈圆形或近似圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差

在所述束斑分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，所述太赫兹场的相位差

其中，

α为所述束斑的长轴与水平线之间的夹角；

xm和ym为所述束斑的分布中相对所述设定目标点的最大偏移点分别在水平坐标轴和竖向坐标轴上的坐标；

kx为常数，通过标定确定；

ky为常数，通过标定确定。

因此，本发明一方面提出一种完全不同于现有技术的太赫兹场检测方式，已经超越了本领域技术人员的认知范畴；另一方面本发明可以同时检测场强、偏振和脉冲宽度，从而保证参数的同步性，进而保证参数检测的准确性；再一方面，本发明的检测装置仅仅包括电子枪、太赫兹发射机构、成像单元以及确定单元；其结构简单，使用的光学元件数量较少，从而易于操作并提高其可迁移性。

进一步地，本发明的检测装置针对不同形式的电子束束斑，如线形、圆形及椭圆形，具体地确定出其相位差，从而检测更加全面；

进一步地，本发明的检测装置仅仅通过电子束束斑中偏离设定目标点的斑点数目来确定太赫兹场的脉冲宽度，而不限于束斑的形式，从而更加准确的并简单的检测出太赫兹场的脉冲宽度。

根据下文结合附图对本发明具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本发明的上述以及其他目的、优点和特征。

附图说明

后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本发明的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：

图1是本发明一个实施例的所述检测装置的示意性透视图；

图2是本发明另一个实施例的所述检测装置的示意性透视图；

图3是本发明所述检测方法的示意性逻辑图；

图4是所述电子束束斑分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况，其中示出了椭圆形或近似椭圆形的长轴与水平坐标轴的夹角α。

具体实施方式

图1是本发明一个实施例的所述检测装置的示意性透视图；图2是本发明另一个实施例的所述检测装置的示意性透视图；参见图1及图2，本实施例提供了一种太赫兹场的检测装置，包括：电子枪100、太赫兹发射机构200、成像单元300以及确定单元。电子枪100朝向设定目标点发射电子束；太赫兹发射机构200向电子束发射太赫兹光束，以加速和/或偏转电子束；成像单元300与设定目标点对接，以显示电子束的束斑；确定单元基于束斑检测太赫兹光束对应的太赫兹场的参数，参数至少包括太赫兹场的振幅、偏振和/或脉冲宽度。

首先，需要解释的是，目前基于光电导天线、倾斜波前技术、空气等离子体和相对论激光等离子体相互作用的太赫兹发射机构200，如辐射源的聚焦电场强度可达到100kV/cm以上，在这样强的电场作用下，电子的运动会受到太赫兹场的影响。在一定条件下，太赫兹场，也称THz场可对其中的电子束产生加速、偏转以及脉冲压缩的作用。

相对于正常情况下电子枪100朝向设定目标点发射电子束后，电子束的束斑会集中发射至设定目标点处的情况；在太赫兹光束的作用下，会使电子束发生加速和/或偏转，而不能全部集中显示在设定目标点处。通过对其束斑的分布进行分析，从而检测太赫兹场的参数。

这样本发明一方面提出一种完全不同于现有技术的太赫兹场检测方式，已经超越了本领域技术人员的认知范畴；另一方面本发明可以同时检测场强、偏振和脉冲宽度，从而保证参数的同步性，进而保证参数检测的准确性；再一方面，本发明的检测装置仅仅包括电子枪100、太赫兹发射机构200、成像单元300以及确定单元；其结构简单，使用的光学元件数量较少，从而易于操作并提高其可迁移性。

图4是所述电子束束斑分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况，其中示出了椭圆形或近似椭圆形的长轴与水平坐标轴的夹角α。参见图4，进一步地，确定单元基于最大偏移量确定振幅；并且振幅与最大偏移量成正比；其中，最大偏移量为成像单元300显示的束斑分布中距离设定目标点最大偏移点的偏移量；

或者/并且，确定单元基于束斑的分布中偏离设定目标点的斑点数目确定脉冲宽度。

参见图4，进一步地，确定单元基于太赫兹场的相位差确定偏振；

在束斑的分布呈线形或近似线形的情况下，太赫兹场为线性偏振，太赫兹场的相位差 束斑分布的延伸方向为太赫兹场的偏振方向；

在束斑分布呈圆形或近似圆形的情况下，太赫兹场为圆形偏振，太赫兹场的相位差

在束斑分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，太赫兹场为椭圆形偏振，

太赫兹场的相位差：

其中，

α为束斑的长轴与成像单元300的水平坐标轴之间的夹角；

xm为束斑的分布中相对设定目标点的最大偏移点分别在成像单元300的水平坐标轴上的坐标；也就是x轴。

ym为束斑的分布中相对设定目标点的最大偏移点分别在成像单元300的竖向坐标轴上的坐标；也就是y轴。

kx为成像单元300的水平方向的比例系数，并通过标定确定；也可以说kx是xm的比例系数，也就是常数；

ky为成像单元300的竖向的比例系数，并通过标定确定；也可以说ky是ym的比例系数，也就是常数；

太赫兹发射机构200向电子束发射太赫兹光束的形式至少包括相交入射、共线入射或垂直入射。

需要说明的是，对于线偏振太赫兹场，太赫兹场可以沿水平方向分布，则线偏振对应的束斑在荧光屏301上的入射点分布是一条线，线的延伸方向就是偏振方向，而椭圆偏振太赫兹场对应的束斑分布是一个椭圆。对于圆形偏振太赫兹场，太赫兹场可以沿水平方向分布则对应的束斑分布是一个圆。

参见图2，进一步地，检测装置还包括磁铁机构400，安装于电子束流经的成像单元300前方并施加磁场，以将太赫兹场对电子束流经方向上的加速转化为在成像单元300竖向或水平方向的偏转。

进一步地，在太赫兹光束与电子束垂直相交的情况下，并且在束斑的分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，

太赫兹场的相位差：

其中，B为磁铁机构400的磁场强度。

为了更加充分的解释说明，本实施例以太赫兹光束与电子束共线传播，并在成像单元300形成椭圆状束斑分布为例进行说明。

待测太赫兹场可如下式表示为：

Ex＝Axcos(ωt-kz)

其中，Ex和Ey分别是太赫兹场在x和y方向上的分量，而振幅Ax和Ay以及相位差 为待求参数，ω是太赫兹脉冲电磁场的角频率，t是时间，k是太赫兹场的波矢，z是传播距离。

需要说明的是，电场矢量的振动方向是随时间变化的，就像圆和椭圆上的点与原点之间连线是不断发生变化的，无法确定其电场振动方向，也就是说，只能确定线偏振的偏振方向，可以确定的是其偏振状态由(1)式中的振幅Ax和Ay以及相位差 决定。因此把确定相位差 作为最终目的，而不是偏振方向。也就是说，确定单元基于太赫兹场的相位差确定偏振。

太赫兹场越强，电子偏转越大。取最大偏移点(xm，ym)为考察对象，则可以基于最大偏移点对应的偏移量来确定太赫兹场的峰值场强，即振幅。

如下所示，电子在太赫兹场作用下在x方向上的运动方程可以为：

dvx/dt＝e/m*Ex

因此：

vx＝e/m∫Exdt＝e/m*Ax∫cos(ωt-kz)dt

其中e是电子所带电荷，m是电子质量。而ω、t、k和z在式(1)中已有说明，为简明起见在此不再赘述。

因此：

vx∝Ax

而偏转角度θ可以表示为

tan(θ)＝vx/vz∝Ax

其中vz是电子束速度，是已知的。

偏转角度θ还可以表示为：

tan(θ)＝xm/d

其中d是焦点到荧光屏301的距离(在实施例中已知)。

所以可以得到：

Ax∝xm

即在本实施例中，振幅可以与该偏移量成正比。

如下所示，振幅Ax可以表示为：

Ax＝kxxm

同理振幅Ay可以表示为：

Ay＝kyym

……………(2)

特别地，其中的kx和ky可以通过标定确定。例如，在该系统中，利用已知太赫兹场对已知电子束进行加速和/或偏转，则其在水平和竖直方向上，也就是x和y方向上的振幅也是已知的，而运动轨迹的最大偏移量也是已知的，则该比例系数是可以确定的。

由此，根据x和y方向上振幅可以得到该振幅比如下式表示：

由公式：

可以得到x和y方向上的相位差，可表示如下：

显然，在本实施例中，确定单元使用成像单元300输出的经过太赫兹场偏转的电子束的束斑成像的数据根据数学式(2)和(3)则可确定太赫兹场的参数，例如振幅、相位差。

相较于共线入射方案，利用太赫兹场聚焦准直部分，还可以使电子束的传播方向与太赫兹场聚焦方向垂直。

在另一个实施例中就是这样的情况，电子枪100发射的电子束朝向设定目标点发射，也就是沿着z轴传播，太赫兹发射机构200使太赫兹场准直并聚焦，与电子束传播方向垂直，在焦点附近作用于电子束，使一部分电子偏转，然后入射到成像单元300。在太赫兹场的作用下，电子束在x方向上被偏转，在z方向上被加速。为了实现偏振检测目标，需要施加外部磁场将z方向的加速转化为在y方向上的偏转。在本发明的实施例中可以在电子荧光屏301前面放置一个磁铁来施加外部磁场。

相对于前一实施例，也就是共线入射方案，该另一个实施例，也就是垂直入射方案，在数据处理上稍微不同，具体如下：

待测太赫兹场仍可由(1)式表示为：

Ex＝Ax cos(ωt-kz)

与共线入射方案选取的数据点类似，仍可以最大偏移点(xm，ym)为考察对象，类似地,振幅与偏移量成正比，可以得出：

Ax＝kxxm

Ay＝kyym/B

……………(5)

其中，B是外加磁场的强度，kx和ky可以如上文所述通过标定得到。

在本发明的实施例中，为统一起见，将式(2)和(5)统一表示为：

Ax＝k1xm

Ay＝k2ym

……………(6)

其中，k1和k2分别是x和y方向上对应的比例系数。在本发明中，如果在共线入射中，则k1＝kx和k2＝ky；如果在垂直入射中，则k1＝kx和k2＝ky/B。由此，可得到x和y方向上的振幅比如下式表示：

由公式：

得到x和y方向上的相位差：

继续参见图1及图2，进一步地，太赫兹发射机构200向电子束发射的太赫兹光束的聚焦电场强度大于等于100kV/cm；

检测装置用于对太赫兹场的参数的单发检测；

太赫兹发射机构200包括：

太赫兹辐射源201，用于产生太赫兹光速；以及

太赫兹场调控机构202，与太赫兹辐射源201对接，以准直或垂直或聚焦太赫兹光束。具体地，可以通过离轴抛物面镜或离轴抛物面镜组来实现。

特别地，为保证设备的完整性及，电子枪100可以包括电子枪发射机构101和控制模块102，控制模块102用于控制电子枪发射机构101按照设定要求发射电子束。

成像单元300用于捕捉经过太赫兹场加速和/或偏转的电子束的束斑分布。并且，成像单元300可包括荧光屏301和CCD部件302以获取电子束的束斑分布。

另外，本发明的检测装置还可以包括有输出单元，用于显示太赫兹场的参数，具体地，输出单元可以是例如显示器、扬声器或/和打印机等。

特别地，本发明的检测装置还可以包括时间同步机构500，用于同步电子枪100发射的电子束、太赫兹发射机构200以及成像单元300，同步机构分别与电子枪100、太赫兹发射机构200及成像单元300连接，以保证检测同时进行，这样一方面方便检测，另一方面保证检测的准确性。

图3是本发明所述检测方法的示意性逻辑图；参见图3，另外，本发明还提供了一种太赫兹场的检测方法，包括：

S100(步骤一)、使电子束朝向设定目标点发射，

S200(步骤二)、向电子束发射太赫兹光束，以加速和/或偏转电子束；

S300(步骤三)、在设定目标点及其周围记录电子束的束斑；

S400(步骤四)、基于束斑检测太赫兹光束对应的太赫兹场的参数，参数至少包括太赫兹场的振幅、偏振和/或脉冲宽度。

其检测过程及相应效果如前所述，在此不再绕述。

进一步地，步骤四中，基于最大偏移量确定振幅；并且振幅与最大偏移量成正比；

其中，最大偏移量为束斑的分布中距离设定目标点最大偏移点的偏移量。

进一步地，步骤四中，基于束斑分布中偏离设定目标点的斑点数目确定脉冲宽度；

并且太赫兹场的脉冲宽度:

τ＝τ0M1/(M1+M2)

其中，

τ0为电子束的脉冲宽度；

M1为束斑中落在设定目标点处的斑点数目亮度值；

M2为束斑中偏离设定目标点的斑点数目的亮度值。

而对于太赫兹场的脉冲宽度，可以根据被偏转的电子束的斑点数目决定。可以按如下方法检测：

以椭圆偏振太赫兹场为例，成像单元300所获得电子束的束斑分布由两部分构成，一部分在原点，这部分电子没有受到太赫兹场的偏转，假设其斑点数目为N1，其成像的亮度值为M1,另一部分是受到偏转的电子束斑，呈椭圆形分布，假设其斑点数目为N2，其亮度值为M2。则有：

N1∝M1

N2∝M2

电子束的总电子数N0可以表示为：

N0＝N1+N2

已知电子束脉宽为τ0，假设太赫兹场脉宽为τ，则有:

τ/τ0＝N2/N0＝M1/(M1+M2)

所以太赫兹场的脉宽可以表示为：

τ＝τ0M1/(M1+M2)

……………(4)

当然，太赫兹场的脉宽还可以表示为：

τ＝τ0N1/(N1+N2)；

进一步地，步骤四中，基于太赫兹场的相位差确定偏振；

在束斑的分布呈线形或近似线形的情况下，太赫兹场的相位差 束斑分布的延伸方向为太赫兹场的偏振方向；

在束斑分布呈圆形或近似圆形的情况下，太赫兹场的相位差

在束斑分布呈椭圆形或近似椭圆形的情况下，

太赫兹场的相位差

其中，

α为束斑的长轴与水平线之间的夹角；

参见图4，xm和ym为束斑的分布中相对设定目标点的最大偏移点分别在水平坐标轴和竖向坐标轴上的坐标；

kx和ky分别为水平方向和竖向的比例系数，并通过标定确定；向电子束发射太赫兹光束的形式至少包括相交入射、共线入射或垂直入射。

其推导过程如前所述，在此不再绕述。

至此，本领域技术人员应认识到，虽然本文已详尽示出和描述了本发明的多个示例性实施例，但是，在不脱离本发明精神和范围的情况下，仍可根据本发明公开的内容直接确定或推导出符合本发明原理的许多其他变型或修改。因此，本发明的范围应被理解和认定为覆盖了所有这些其他变型或修改。

一种太赫兹场的检测装置及检测方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。