专利摘要

本发明公开了铁铟环状复合微晶磁盘,其在磁盘零件设一表面材料层，表面材料层主要成份为含铁超过40%(Wt%)且含铟超过30%(Wt%)，由不少于4个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成复合球微晶单元、分布组成密闭状的外环或缺口小于2μm的外环，环内密排许多的单个直径小于200nm的晶粒或由不少于2个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成的复合微晶，形成一个环状复合微晶，不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙；零件表面材料层和基体材料成为一体，去除各小孔如螺纹孔等附着的表面材料层，形成铁铟环状复合微晶磁盘。

权利要求

1.铁铟环状复合微晶磁盘, 其特征在于:铁铟环状复合微晶磁盘是在磁盘零件设一表面材料层，表面材料层主要成分为含铁超过40Wt%且含铟超过30Wt%，由不少于4个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成复合球微晶单元、分布组成密闭状的外环或缺口小于2μm的外环，环内密排许多的单个直径小于200nm的晶粒或由不少于2个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成的复合微晶，形成一个环状复合微晶，不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙；零件表面材料层和基体材料成为一体，去除各小孔附着的表面材料层，形成铁铟环状复合微晶磁盘。

2.根据权利要求1所述的铁铟环状复合微晶磁盘,其特征在于：所述的铁铟环状复合微晶磁盘的环状复合微晶的形状和尺寸可以变化。

3.根据权利要求1所述的铁铟环状复合微晶磁盘,其特征在于：所述的铁铟环状复合微晶磁盘，在干燥洁净的空气环境中，将40Cr钢材料在170℃条件下保温5分钟，快速冷却，通过机械加工方法制成磁盘零件，在磁盘零件的相应表面进行磨削加工、清洁、除油、除锈后，进行精磨、超声波清洗、干燥后，在磁盘零件设一表面材料层，表面材料层主要成分为含铁超过40Wt%且含铟超过30 Wt%，由不少于4个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成复合球微晶单元、分布组成密闭状的外环或缺口小于2μm的外环，环内密排许多的单个直径小于200nm的晶粒或由不少于2个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成的复合微晶，形成一个环状复合微晶，不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙；零件表面材料层和基体材料成为一体，去除各小孔附着的表面材料层，形成铁铟环状复合微晶磁盘。

说明书

技术领域

本发明涉及铁铟环状复合微晶磁盘。

背景技术

磁盘可用来约束流动的液体或气体，从而改变流经的液体或气体的路径和状态和速度等，是磁液流变或气体流变等领域的重要零部件之一。

磁盘通常是可以移动或转动，是一种转子。

本发明的一种铁铟环状复合微晶磁盘，是为能有效改变流经的液体或气体的路径和状态和速度等参数而研发的。

文献检索和专利检索结果，目前国内还没有含铁超过40%( Wt%)且含铟超过30%(Wt%)的铁铟环状复合微晶磁盘的相关专利文献报导。

发明内容

本发明的任务是提供一种铁铟环状复合微晶磁盘，本发明的任务是通过如下技术方案来实现的:本发明的铁铟环状复合微晶磁盘是在磁盘零件设一表面材料层，表面材料层主要成份为含铁超过40%( Wt%)且含铟超过30%( Wt%)，由不少于4个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成复合球微晶单元、分布组成密闭状的外环或缺口小于2μm的外环，环内密排许多的单个直径小于200nm的晶粒或由不少于2个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成的复合微晶，形成一个环状复合微晶，不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙；零件表面材料层和基体材料成为一体，去除各小孔如螺纹孔等附着的表面材料层，形成铁铟环状复合微晶磁盘。

所述的铁铟环状复合微晶磁盘的环状复合微晶的形状和尺寸可以变化。

本发明者经过多年来的深入研究发现，用磁盘约束流动速度小于0.5m/s的液体或气体，尤其在磁流变领域的磁流变液，铁铟环状复合微晶磁盘的有效改变流经的液体或气体的路径和状态和速度等作用机理，与大都数国内外学者已见报导的相关磁盘性能有较大不同。铁铟环状复合微晶磁盘能在磁盘表面的磁流变液形成微磁体的复合粘弹性磁流变液状态，因此，研究铁铟环状复合微晶磁盘具有重要的应用价值和实用意义。

与现有技术比较，本发明的铁铟环状复合微晶磁盘的的相关技术有重大改进：①CN102918182A（公开日为20130206）专利，其抗微动磨损层的金相组织以铜为主要原料，还可以含有铟和铁，铁在铜基合金中的含量为0.2wt%-0.5wt%,铜混合晶粒为纳米尺寸且优选定向的形成得到支持，或至少不受阻碍，使得抗微动磨损层具备更均匀的性能分布；本发明的表面材料层中，含铁超过40%( Wt%)、含铟超过30%( Wt%)，铁与铟为主要成份，组成成份明显不同，铁铟环状复合微晶的铁离子铟离子之间的结构和离子比例和离子结合方式与CN102918182A的铜混合晶粒不同；CN102918182A的铜混合晶粒只能实现“优选定向”的普通技术，本发明实现 “铁铟环状复合微晶形成一个环状复合微晶、不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙” 的铁铟环状复合微晶技术，有明显不同。②授权专利“铟铁复合球微晶复合层(ZL201410481181.4)”、“ 铟铁复合球微晶复合层表面织构(ZL201410481180.2)”，其“表面材料层的金相组织具有含铟超过50%( Wt%)且铟和铁的总含量超过55%( Wt%)的复合球微晶单元，铟铁复合球微晶单元呈以行为单位或以列为单位近似规则密排阵列”，与本发明的表面材料层的“含铁超过40%( Wt%)、含铟超过30%( Wt%)”成份明显不同，复合微晶单元的排列方式也明显不同；由于组成成份不同，铁铟环状复合微晶的铁离子铟离子之间的结构和离子比例和离子结合方式与“铟铁复合球微晶复合层(ZL201410481181.4)”、“ 铟铁复合球微晶复合层表面织构(ZL201410481180.2)” 的复合球微晶单元不同，而且本发明是关于“铁铟环状复合微晶形成一个环状复合微晶、不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙”，复合微晶单元的排列方式的技术原理与“铟铁复合球微晶复合层(ZL201410481181.4)”、“ 铟铁复合球微晶复合层表面织构(ZL201410481180.2)”明显不同；③授权专利“铟铁网状球复合微晶复合层(ZL201410481176.3)”、“ 铟铁网状球复合微晶复合层表面织构(ZL201410481178.2)”，其“表面材料层主要的主要成份为含铟超过50%( Wt%)且铟和铁的总含量超过55%( Wt%)，由不少于4个的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成体积较大的铟铁复合球微晶单元按一定规律分布组成网格，网格内密排许多的单个晶粒或由不少于2个球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成体积较小铟铁微晶单元”，与本发明相比，明显不同 ，主要体现在：A，本发明的“表面材料层主要成份为含铁超过40%( Wt%)且含铟超过30%( Wt%)”，组成成份明显不同；B，本发明的复合微晶的排列是“形成一个环状复合微晶”，排列形式明显不同；C，本发明的“不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙”，是离散的，而“铟铁网状球复合微晶复合层(ZL201410481176.3)”、“ 铟铁网状球复合微晶复合层表面织构(ZL201410481178.2)”中的“铟铁复合球微晶单元按一定规律分布组成网格”，不同的网格之间是紧密相连接的。由于组成成份不同，铁铟环状复合微晶的铁离子铟离子之间的结构和离子比例和离子结合方式与“铟铁网状球复合微晶复合层(ZL201410481176.3)”、“ 铟铁网状球复合微晶复合层表面织构(ZL201410481178.2)” 的复合球微晶单元不同，且复合微晶单元的排列技术原理也明显不同；④授权专利铟镁内凹微晶复合层 (ZL201410481279.X)、铟镁内凹微晶复合层表面织构(ZL 201410481282.1)、铟铝复合球微晶复合层表面织构(ZL 201410481278.5)、铟铝复合球微晶复合层 (ZL 201410481275.1)、铟镁复合球微晶复合层 (ZL201410481213.0) 、铟镁复合球微晶复合层表面织构(ZL 201410481208.X)的内容与本发明明显不同。⑤CN101804551A 的《微纳复合织构化刀具的飞秒激光制备方法》和CN2692409的《轴瓦》授权专利，本发明的内容与之明显不同。因此，本发明的相关技术具有明显重大改进，具有明显的创造性。

本发明实现表面材料层主要成份为含铁超过40%( Wt%)且含铟超过30%( Wt%)，由许多直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒组成的复合微晶，形成一个环状复合微晶，不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙，能在磁盘表面的磁流变液形成微磁体的复合粘弹性磁流变液状态，因此，本发明的铁铟环状复合微晶磁盘的晶粒具有重要的应用价值和实用意义。

本发明的有益效果是，能在磁盘表面的磁流变液形成微磁体的复合粘弹性磁流变液状态，使用方便，结构简单，适用性强，且应用成本适宜，适合批量生产的特点。

附图说明

图1为本发明实施例1的铁铟环状复合微晶磁盘的结构示意图。

图2为本发明实施例1的铁铟环状复合微晶磁盘样品的扫描电镜图像。

附图中，1-表面材料层，2-基体材料。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步说明。

实施例1

图1为本发明实施例1的铁铟环状复合微晶磁盘的结构示意图，图2为本发明实施例1的铁铟环状复合微晶磁盘样品的扫描电镜图像,附图中，1为表面材料层，2为基体材料。

本发明的铁铟环状复合微晶磁盘特征在于：在干燥洁净的空气环境中，将40Cr钢材料在170℃条件的保温5分钟，快速冷却，通过机械加工方法制成磁盘零件，在磁盘零件的相应表面进行磨削加工、清洁、除油、除锈后，进行精磨、超声波清洗、干燥后，在磁盘零件设一表面材料层，表面材料层主要成份为含铁超过40%( Wt%)且含铟超过30%( Wt%)，由不少于4个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成复合球微晶单元、分布组成密闭状的外环或缺口小于2μm的外环，环内密排许多的单个直径小于200nm的晶粒或由不少于2个直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒紧密结合组成的复合微晶，形成一个环状复合微晶，不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙；零件表面材料层和基体材料成为一体，去除各小孔如螺纹孔等附着的表面材料层，形成铁铟环状复合微晶磁盘。

铁铟环状复合微晶磁盘的样品的表面材料层的的扫描电镜图像如图2，本发明实现表面材料层主要成份为含铁超过40%( Wt%)且含铟超过30%( Wt%)，由许多直径小于200nm的球状晶粒或近似球状晶粒组成的复合微晶，形成一个环状复合微晶，不同的环状复合微晶之间存在大于10nm的间隙，能在磁盘表面的磁流变液形成微磁体的复合粘弹性磁流变液状态。

铁铟环状复合微晶磁盘专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。