IPC分类号 : H01L33/32; H01L33/12; H01L33/14; H01L33/00
专利摘要
本发明公开了一种深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法,其中,制备方法包括:在衬底上生长AlGaN缓冲层,并在AlGaN缓冲层上生长N型AlGaN层;在N型AlGaN层上生长Al组分渐变的N型AlGaN层,并在Al组分渐变的N型AlGaN层上生长Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区;在Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区上生长AlGaN阻挡层,并在AlGaN阻挡层上生长P型GaN层。本申请公开的上述技术方案,由于生长Al组分渐变的N型AlGaN层在生长有源区之前,因此,则不会引起有源区能带结构发生变化,从而可以提高深紫外LED芯片的发光效率。
专利附图
深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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