专利摘要

本实用新型适用于实验仪器领域，提供了一种晶体同步培养装置，该晶体同步培养装置包括孔板箱和晶体培养管，其中，孔板箱包括箱盖和设置有至少一个插孔的孔板，每个插孔可供一只晶体培养管插入。利用本实用新型提供的晶体同步培养装置可使得至少一份晶体同时进行培养，提高了晶体培养成功的效率。

权利要求

1.一种晶体同步培养装置，其特征在于，所述晶体同步培养装置包括孔板箱和晶体培养管；

所述孔板箱包括箱盖和设置有至少一个插孔的孔板，每个所述插孔可供一只所述晶体培养管插入。

2.根据权利要求1所述的晶体同步培养装置，其特征在于，所述晶体培养管为锥形内插管；

所述锥形内插管的上部为柱形，下部为锥形。

3.根据权利要求1所述的晶体同步培养装置，其特征在于，所述孔板为96孔板。

说明书

技术领域

本实用新型属于实验仪器领域，尤其涉及一种晶体同步培养装置。

背景技术

单晶在配位化学、无机材料化学、金属有机化学等领域的结构解析中有着广泛的应用，单晶培养对于使用单晶衍射仪解析晶体结构具有重要的意义。

实验室中常用的单晶培养方法有冷却法、两相扩散法、挥发结晶法、溶胶凝胶法等，温度、溶剂挥发的气压、温度变化速度等外界因素都可能对晶体生长有重要影响。利用现有的晶体培养装置培养单晶时通常存在培养效率太低的问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种晶体同步培养装置，旨在解决现有技术中晶体培养效率低的技术问题。

本实用新型是这样实现的：提供了一种晶体同步培养装置，包括孔板箱和晶体培养管；

所述孔板箱包括箱盖和设置有至少一个插孔的孔板，每个所述插孔可供一只所述晶体培养管插入。

进一步地，所述晶体培养管为锥形内插管；

所述锥形内插管的上部为柱形，下部为锥形。

进一步地，所述孔板为96孔板。

本实用新型与现有技术相比，有益效果在于：本实用新型提供的晶体同步培养装置中，晶体培养溶液置于晶体培养管中，由于孔板上设置有至少一个插孔，每个插孔可供一只晶体培养管插入，从而使得有至少一份晶体同时进行培养，提高了晶体培养成功的效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例提供的的技术方案，下面将对本实用新型中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的晶体同步培养装置中的孔板的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的晶体同步培养装置中的晶体培养管的结构示意图。

具体实施方式

为使得本实用新型的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而非全部实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1和图2，图1为本实用新型实施例提供的晶体同步培养装置中的孔板的结构示意图，图2为本实用新型实施例提供的晶体同步培养装置中的晶体培养管的结构示意图。

本实用新型实施例提供的孔板箱包括箱盖和设置有至少一个插孔2的孔板1，如图1所示，孔板1上的每个插孔2可供一只晶体培养管插入。

如图2所示，晶体培养管为锥形内插管。该锥形晶体培养管包括柱形部和锥形部，其中，锥形内插管的上部为柱形，下部为锥形。

需要说明的是，锥形内插管的底部孔径较小，利用锥形内插管进行结晶实验时，由于溶剂不断挥发，其底部的溶液浓度逐渐增加，更利于析出晶体。

进一步地，孔板为96孔板。该96孔板上设有均匀分布的96个插孔，每孔容量相等，实际应用中其容量可设置为2毫升。

孔板1上的插孔2可以为柱形插孔，也可以为锥形插孔，插孔2的内缘尺寸与晶体培养管的的外缘尺寸相等。孔板1上的每个插孔2都可以用于插入一只晶体培养管，且插入后两者的开口端平齐。本实施例中的具有96个插孔2的孔板1可用于同时培养96份晶体。需要说明的是，孔板1上插孔2的数量可以但不限于96个，按实际需要设置即可。

利用本实用新型提供的晶体同步培养装置培养晶体的步骤如下：

将纯的固体化合物溶解于较易挥发的有机溶剂中，形成的晶体培养溶液分装于至少一只晶体培养管，然后将该至少一只晶体培养管依次插入孔板箱的孔板1中，盖上孔板箱的箱盖，最后将该孔板箱放在实验所需温度环境下静置培养。由于溶剂不断挥发，使得晶体培养管中的溶液由不饱和状态逐渐达到饱和甚至过饱和状态，从而在晶体培养管中析出晶体。

由于每只晶体培养管可用于培养一份单晶，本实用新型提供的晶体同步培养装置可用于批量培养单晶。单晶在晶体培养管的锥形部中的培养工序是：一边使在晶种上方生长的单晶体的晶体直径增加，一边使单晶体生长；单晶在晶体培养管的柱形部中的培养工序是：在保持晶体的直径为固定状态下使单晶体生长。

在本实用新型提供的晶体同步培养装置中，溶液置于晶体培养管中，由于该晶体培养管为锥形内插管，底部溶液浓度高，有利于晶体析出，并且，由于孔板上设置有至少一个插孔，可供至少一只晶体培养管插入，使得至少一份晶体同时进行培养，提高了晶体培养成功的效率。

以上为对本实用新型实施例提供的一种晶体同步培养装置的描述，对于本领域的技术人员，依据本实用新型实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

一种晶体同步培养装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。