专利摘要

本实用新型公开一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，利用忆阻器的电学特性与负阻源耦差分对电路进行组合，通过脉冲编程设定忆阻器的阻值来改变该放大器的增益和相位。架构上采用具有高输出阻抗的电流镜对忆阻器的直流分量进行旁路，使忆阻器两端的静态工作电压小于忆阻器的阈值电压，相比于传统的旁路电容方式显著地节省了集成电路版图面积。通过负阻产生电路与忆阻器进行串联，通过脉冲编程调节作为正电阻的忆阻器就可以获得一定正负阻值范围内可调的电阻值，并将此正负可调电阻作为源耦差分对电路的负载就可以实现既能调节该放大器增益又能调节该放大器相位。

权利要求

1.一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，其特征是，包括源耦差分对电路、负阻产生电路、忆阻器MR1-MR2和电流镜CM1-CM4；

忆阻器MR1的负极、电流镜CM3的输出端和负阻产生电路的输出端M相连；忆阻器MR2的负极、电流镜CM4的输出端和负阻产生电路的输出端N相连；忆阻器MR1的正极、电流镜CM1的输出端和源耦差分对电路的同相输出端P相连；忆阻器MR2的正极、电流镜CM2的输出端和源耦差分对电路的反相输出端Q相连；源耦差分对电路与输入的差分信号Vip和Vin相接。

2.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，其特征是，还进一步包括开关S1-S5；

开关S1的两端分别接脉冲编程输入信号Vpro和负阻产生电路的输出端N；开关S2的两端分别接负阻产生电路的两个输出端M和N；开关S3的两端分别接复位输入信号Vres和负阻产生电路的输出端N；开关S4的两端分别接源耦差分对电路的同相输出端P和反相输出端Q；开关S5的两端分别接源耦差分对电路的反相输出端Q和地Vss。

3.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，其特征是，还进一步包括负载电阻RL；

负载电阻RL的两端分别与源耦差分对电路的同相输出端P和源耦差分对电路的反相输出端Q连接。

4.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，其特征是，电流镜CM1、电流镜CM2、电流镜CM3和电流镜CM4的输出拉电流或者灌电流与源耦差分对电路单边静态电流相等。

5.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，其特征是，电流镜CM1和CM2均为PMOS电流镜；电流镜CM3和CM4均为NMOS电流镜。

6.根据权利要求1或5所述的一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，其特征是，电流镜CM1和CM2的结构完全相同，其中：

电流镜CM1由PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3和电阻R1组成；PMOS管M1的源极和PMOS管M2的源极同时接电源Vdd；PMOS管M1的漏极接PMOS管M3的源极；PMOS管M1的栅极、PMOS管M2的栅极和漏极、PMOS管M3的栅极和电阻R1的一端相连；电阻R1的另一端接地Vss；PMOS管M3的漏极形成电流镜CM1的输出端；

电流镜CM2由PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6和电阻R2组成；PMOS管M4的源极和PMOS管M5的源极同时接电源Vdd；PMOS管M4的漏极接PMOS管M6的源极；PMOS管M4的栅极、PMOS管M5的栅极和漏极、PMOS管M6的栅极和电阻R2的一端相连；电阻R2的另一端接地Vss；PMOS管M6的漏极形成电流镜CM2的输出端。

7.根据权利要求1或5所述的一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，其特征是，电流镜CM3和CM4的结构完全相同，其中：

电流镜CM3由NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9和电阻R3组成；电阻R3的一端接电源Vdd；电阻R3的另一端、NMOS管M7的栅极、NMOS管M8的栅极、以及NMOS管M9的栅极和漏极相连；NMOS管M7的源极和NMOS管M8的漏极相连；NMOS管M8的源极和NMOS管M9的源极同时接地Vss；NMOS管M7的漏极形成电流镜CM3的输出端；

电流镜CM4由NMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12和电阻R4组成；电阻R4的一端接电源Vdd；电阻R4的另一端、NMOS管M10的栅极、NMOS管M11的栅极、以及NMOS管M12的栅极和漏极相连；NMOS管M10的源极和NMOS管M11的漏极相连；NMOS管M11的源极和NMOS管M12的源极同时接地Vss；NMOS管M10的漏极形成电流镜CM4的输出端。

8.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，其特征是，负阻产生电路由PMOS管M13和PMOS管M14组成；PMOS管M13的源极和PMOS管M14的源极同时接电源Vdd；PMOS管M13的漏极和PMOS管M14的栅极相连后，形成负阻产生电路的一个输出端M；PMOS管M14的漏极和PMOS管M13的栅极相连后，形成负阻产生电路的另一个输出端N。

9.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器，其特征是，源耦差分对电路由NMOS管M15、NMOS管M16和NMOS管M17组成；NMOS管M15的栅极接输入的差分信号Vip；NMOS管M16的栅极接输入的差分信号Vin；NMOS管M15的漏极形成源耦差分对电路的同相输出端P；NMOS管M16的漏极形成源耦差分对电路的反相输出端Q；NMOS管M15的源极、NMOS管M16的源极和NMOS管M17的漏极相连；NMOS管M17的漏极接输入的偏置电压V2；NMOS管M17的源极形成接地Vss。

一种基于忆阻器的增益与相位可调放大器专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。