专利摘要

本发明涉及一种半导体晶圆的密封环结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：在半导体基底的密封环区中形成平行排列的第一凹槽和第二凹槽，在所述第一凹槽中依次形成第一金属纳米颗粒层、第一电介质层、第二金属纳米颗粒层，在所述第二凹槽中沉积金属材料以形成第一金属层，通过平坦化工艺去除位于所述第一凹槽的外部的第二金属纳米颗粒层以及位于所述第二凹槽的外部的第一金属层，接着在所述第二金属纳米颗粒层上沉积第一金属/介质叠层，以形成第一密封环；并在所述第一金属层上沉积第二金属/介质叠层，以形成第二密封环。

权利要求

1.一种半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一半导体基底，所述半导体基底包括划片区、集成电路区以及位于所述划片区与所述集成电路区之间的密封环区，在所述半导体基底的所述密封环区中形成平行排列的第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽靠近所述划片区，所述第二凹槽靠近所述集成电路区；

2)接着在所述半导体基底上形成第一掩膜，所述第一掩膜仅暴露所述第一凹槽；

3)接着在所述半导体基底上旋涂含有金属纳米颗粒的溶液，以在所述第一凹槽的底部形成第一金属纳米颗粒层，接着在所述第一金属纳米颗粒层上沉积电介质材料以形成第一电介质层，接着在所述第一电介质层上形成开孔以暴露所述第一金属纳米颗粒层，接着再旋涂含有金属纳米颗粒的溶液，以在所述第一电介质层上和所述开孔中形成第二金属纳米颗粒层，其中，所述第一金属纳米颗粒层、所述第一电介质层以及所述第二金属纳米颗粒层均嵌入到所述第一凹槽中，所述第一、第二金属纳米颗粒层中具有间隙，接着去除所述第一掩膜；

4)接着在所述半导体基底上形成第二掩膜，所述第二掩膜仅暴露所述第二凹槽；

5)接着在所述第二凹槽中沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填满所述第二凹槽，接着去除所述第二掩膜；

6)通过平坦化工艺去除位于所述第一凹槽的外部的第二金属纳米颗粒层以及位于所述第二凹槽的外部的第一金属层；

7)接着在所述第二金属纳米颗粒层上沉积第一金属/介质叠层，以形成第一密封环；并在所述第一金属层上沉积第二金属/介质叠层，以形成第二密封环。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤1)中，所述第一凹槽和所述第二凹槽均通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度为1-3微米。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤2)中，首先在所述半导体基底上涂覆光致抗刻蚀剂以形成光致抗刻蚀剂层，接着通过掩膜版使用紫外光照射所述光致抗刻蚀剂层，接着通过显影工艺去除未曝光区域的光致抗刻蚀剂，以暴露所述第一凹槽。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤3)中，所述金属纳米颗粒的材质为金、银、铜、镍、铁、钴、钛、钯中的一种或两种以上的合金，所述金属纳米颗粒的粒径为50-200纳米，所述第一金属纳米颗粒层的厚度为200-600纳米，所述第二金属纳米颗粒层的厚度为600-2000纳米。

5.根据权利要求4所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤3)中，所述电介质材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锆以及氧化钽中的一种或多种，所述第一电介质层的制备工艺是等离子体增强化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积以及化学气相沉积中的一种。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤4)中，首先在所述半导体基底上涂覆光致抗刻蚀剂以形成光致抗刻蚀剂层，接着通过掩膜版使用紫外光照射所述光致抗刻蚀剂层，接着通过显影工艺去除未曝光区域的光致抗刻蚀剂，以暴露所述第二凹槽。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆的密封环结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤5)中，所述金属材料包括铜、铝、银、镍、铁、钯、钛、镍中的一种或多种，所述第一金属层通过热蒸镀、电镀、化学镀、磁控溅射或电子束蒸发工艺形成。

8.一种半导体晶圆的密封环结构，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制备形成的。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，特别是涉及一种半导体晶圆的密封环结构及其制备方法。

背景技术

在半导体晶圆的制造工艺中，通过光刻、刻蚀以及沉积等工艺可以在半导体衬底上形成包括半导体有源器件以及设置在器件上的互连结构的半导体芯片。通常，在一个晶圆上可以形成多个芯片，最后再将这些芯片从晶圆上切割下来，进行封装工艺，形成集成电路区。在切割芯片的过程中，切割刀所产生的应力会对芯片的边缘造成损害，甚至会导致芯片发生崩塌。现有为了防止芯片在切割时受到损伤，在芯片的有源器件区域外围设置密封环，该密封环可以阻挡切割刀产生的应力造成有源器件区域不想要的应力破裂，并且芯片密封环可以阻挡水汽渗透例如含酸物质、含碱物质或污染源的扩散造成的化学损害，但是目前的密封环不能够很好的保护半导体芯片。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体晶圆的密封环结构及其制备方法。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种半导体晶圆的密封环结构的制备方法，包括以下步骤：

1)提供一半导体基底，所述半导体基底包括划片区、集成电路区以及位于所述划片区与所述集成电路区之间的密封环区，在所述半导体基底的所述密封环区中形成平行排列的第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽靠近所述划片区，所述第二凹槽靠近所述集成电路区。

2)接着在所述半导体基底上形成第一掩膜，所述第一掩膜仅暴露所述第一凹槽。

3)接着在所述半导体基底上旋涂含有金属纳米颗粒的溶液，以在所述第一凹槽的底部形成第一金属纳米颗粒层，接着在所述第一金属纳米颗粒层上沉积电介质材料以形成第一电介质层，接着在所述第一电介质层上形成开孔以暴露所述第一金属纳米颗粒层，接着再旋涂含有金属纳米颗粒的溶液，以在所述第一电介质层上和所述开孔中形成第二金属纳米颗粒层，其中，所述第一金属纳米颗粒层、所述第一电介质层以及所述第二金属纳米颗粒层均嵌入到所述第一凹槽中，所述第一、第二金属纳米颗粒层中具有间隙，接着去除所述第一掩膜。

4)接着在所述半导体基底上形成第二掩膜，所述第二掩膜仅暴露所述第二凹槽。

5)接着在所述第二凹槽中沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填满所述第二凹槽，接着去除所述第二掩膜。

6)通过平坦化工艺去除位于所述第一凹槽的外部的第二金属纳米颗粒层以及位于所述第二凹槽的外部的第一金属层。

7)接着在所述第二金属纳米颗粒层上沉积第一金属/介质叠层，以形成第一密封环；并在所述第一金属层上沉积第二金属/介质叠层，以形成第二密封环。

作为优选，在所述步骤1)中，所述第一凹槽和所述第二凹槽均通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度为1-3微米。

作为优选，在所述步骤2)中，首先在所述半导体基底上涂覆光致抗刻蚀剂以形成光致抗刻蚀剂层，接着通过掩膜版使用紫外光照射所述光致抗刻蚀剂层，接着通过显影工艺去除未曝光区域的光致抗刻蚀剂，以暴露所述第一凹槽。

作为优选，在所述步骤3)中，所述金属纳米颗粒的材质为金、银、铜、镍、铁、钴、钛、钯中的一种或两种以上的合金，所述金属纳米颗粒的粒径为50-200纳米，所述第一金属纳米颗粒层的厚度为200-600纳米，所述第二金属纳米颗粒层的厚度为600-2000纳米。

作为优选，在所述步骤3)中，所述电介质材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锆以及氧化钽中的一种或多种，所述第一电介质层的制备工艺是等离子体增强化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积以及化学气相沉积中的一种。

作为优选，在所述步骤4)中，首先在所述半导体基底上涂覆光致抗刻蚀剂以形成光致抗刻蚀剂层，接着通过掩膜版使用紫外光照射所述光致抗刻蚀剂层，接着通过显影工艺去除未曝光区域的光致抗刻蚀剂，以暴露所述第二凹槽。

作为优选，在所述步骤5)中，所述金属材料包括铜、铝、银、镍、铁、钯、钛、镍中的一种或多种，所述第一金属层通过热蒸镀、电镀、化学镀、磁控溅射或电子束蒸发工艺形成。

本发明还提出一种半导体晶圆的密封环结构，其采用上述方法制备形成的。

本发明与现有技术相比具有下列优点：

在本发明的半导体晶圆的密封环结构的制备过程中，通过在所述密封环区中形成平行排列的第一凹槽和第二凹槽，且在在所述第一凹槽中依次形成第一金属纳米颗粒层、第一电介质层、第二金属纳米颗粒层，上述第一、第二金属纳米颗粒层的形成过程，由于采用旋涂工艺使得金属纳米颗粒之间存在间隙，进而可以吸收切割刀切割半导体衬底产生的应力，同时在在所述第二凹槽中沉积金属材料以形成第一金属层，且在所述第二金属纳米颗粒层上沉积第一金属/介质叠层，并在所述第一金属层上沉积第二金属/介质叠层，通过双密封环结构的设置，可以很好的阻挡水汽渗透。通过本发明的双密封环结构的设置，且在第一凹槽中设置有金属纳米颗粒层，利用金属纳米颗粒层中存在间隙，可以阻挡切割应力进一步延伸至集成电路区，且通过在第二凹槽中设置金属层，可以阻挡水汽渗透，且制作方法简单易行，可以与现有技术相融合。

附图说明

图1-图5为本发明的半导体晶圆的密封环结构的制备过程中的结构示意图。

具体实施方式

为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二等来描述半导体芯片，但这些半导体芯片不应限于这些术语。这些术语仅用来将半导体芯片彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一半导体芯片也可以被称为第二半导体芯片，类似地，第二半导体芯片也可以被称为第一半导体芯片。

请参阅图1～图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1～图5所示，本实施例提供一种半导体晶圆的密封环结构的制备方法，该制备方法包括以下步骤：

如图1所示，首先进行步骤1)，提供一半导体基底1，所述半导体基底1具体可以为硅基底、锗基底、硅锗基底或SOI基底，所述半导体基底1包括划片区11、集成电路区13以及位于所述划片区11与所述集成电路区13之间的密封环区12，在所述半导体基底1的所述密封环区12中形成平行排列的第一凹槽121和第二凹槽122，其中，所述第一凹槽121靠近所述划片区，所述第二凹槽122靠近所述集成电路区。

具体的，该集成电路区13具有场效应晶体管、电阻、电容、电感、二极管等器件，所述半导体基底1上具有多个呈矩阵排列集成电路区13。

具体的，所述第一凹槽和所述第二凹槽均通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度为1-3微米，更为具体的，所述第一凹槽121的深度可以为1微米、1.5微米、2微米、2.5微米或3微米，所述第二凹槽的深度可以为1微米、1.5微米、2微米、2.5微米或3微米，在具体的实施例中，所述第二凹槽的深度可以等于或大于所述第一凹槽的深度。

如图2所示，接着进行步骤2)，在所述半导体基底1上形成第一掩膜2，所述第一掩膜2仅暴露所述第一凹槽121。

其中，在所述步骤2)中，首先在所述半导体基底1上涂覆光致抗刻蚀剂以形成光致抗刻蚀剂层，接着通过掩膜版使用紫外光照射所述光致抗刻蚀剂层，接着通过显影工艺去除未曝光区域的光致抗刻蚀剂，以暴露所述第一凹槽121。

接着进行步骤3)，接着在所述半导体基底1上旋涂含有金属纳米颗粒的溶液，以在所述第一凹槽的底部形成第一金属纳米颗粒层31，接着在所述第一金属纳米颗粒层31上沉积电介质材料以形成第一电介质层32，接着在所述第一电介质层32上形成开孔以暴露所述第一金属纳米颗粒层31，接着再旋涂含有金属纳米颗粒的溶液，以在所述第一电介质层上和所述开孔中形成第二金属纳米颗粒层33，其中，所述第一金属纳米颗粒层31、所述第一电介质层32以及所述第二金属纳米颗粒层33均嵌入到所述第一凹槽121中，所述第一、第二金属纳米颗粒层31和33中具有间隙(未图示)，接着去除所述第一掩膜(未图示)。

其中，在所述步骤3)中，所述金属纳米颗粒的材质为金、银、铜、镍、铁、钴、钛、钯中的一种或两种以上的合金，所述金属纳米颗粒的粒径为50-200纳米，所述第一金属纳米颗粒层的厚度为200-600纳米，所述第二金属纳米颗粒层的厚度为600-2000纳米。旋涂所述含有金属纳米颗粒的溶液的转速为2000-5000转/分钟，旋涂的时间为1-5分钟，接着在100-120℃的条件下进行烘干处理10-20分钟以去除溶剂，并通过多次旋涂/烘干处理以分别形成合适厚度的第一金属纳米颗粒层31和第二金属纳米颗粒层33。所述电介质材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锆以及氧化钽中的一种或多种，所述第一电介质层32的制备工艺是等离子体增强化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积以及化学气相沉积中的一种。

在具体的实施例中，所述金属纳米颗粒具体可以为银纳米颗粒或铜纳米颗粒，所述金属纳米颗粒的粒径优选为80-150纳米，所述第一金属纳米颗粒层的厚度优选为200纳米、250纳米、300纳米、400纳米、500纳米或600纳米，所述第二金属纳米颗粒层的厚度优选为600纳米、700纳米、900纳米、1200纳米、1400纳米、1600纳米、1800纳米或2000纳米。旋涂所述含有金属纳米颗粒的溶液的转速优选为3000-4000转/分钟，更优选为3500转/分钟，旋涂的时间优选为2-4分钟，更优选为3分钟，接着在110℃的条件下进行烘干处理15分钟以去除溶剂，并通过多次旋涂/烘干处理以分别形成所述第一金属纳米颗粒层31和所述第二金属纳米颗粒层33，所述电介质材料优选为氧化硅/氮化硅叠层结构，所述第一电介质层32的制备工艺是等离子体增强化学气相沉积。

如图3所示，接着进行步骤4)，接着在所述半导体基底1上形成第二掩膜4，所述第二掩膜4仅暴露所述第二凹槽122。

在所述步骤4)中，首先在所述半导体基底1上涂覆光致抗刻蚀剂以形成光致抗刻蚀剂层，接着通过掩膜版使用紫外光照射所述光致抗刻蚀剂层，接着通过显影工艺去除未曝光区域的光致抗刻蚀剂，以暴露所述第二凹槽122。

接着进行步骤5)，接着在所述第二凹槽122中沉积金属材料以形成第一金属层5，所述第一金属层5填满所述第二凹槽122，接着去除所述第二掩膜4(未图示)。

其中，所述金属材料包括铜、铝、银、镍、铁、钯、钛、镍中的一种或多种，所述第一金属层5通过热蒸镀、电镀、化学镀、磁控溅射或电子束蒸发工艺形成，在具体的实施例中，所述金属材料具体为铜或铝，所述第一金属层5通过热蒸镀形成。

如图4所示，接着进行步骤6)，通过平坦化工艺去除位于所述第一凹槽121的外部的第二金属纳米颗粒层33以及位于所述第二凹槽122的外部的第一金属层5。

具体的可以通过化学机械掩膜工艺以去除所述所述第一凹槽的外部的第二金属纳米颗粒层以及位于所述第二凹槽的外部的第一金属层，进而得到平坦的上表面。

如图5所示，接着进行步骤7)，接着在所述第二金属纳米颗粒层33上沉积第一金属/介质叠层6，以形成第一密封环；并在所述第一金属层5上沉积第二金属/介质叠层7，以形成第二密封环。

其中所述第一金属/介质叠层6和第二金属/介质叠层7的具体制备方法为：首先在所述基板上沉积一层电介质层，具体的采用化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或物理气相沉积法沉积形成电介质层，所述电介质层的材料优选为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝中的一种或多种，接着对所述电介质层进行激光开孔以暴露部分的第二金属纳米颗粒层33以及部分的第一金属层5，接着在所述向开孔内填充金属形成金属插塞，并在所述电介质层上沉积金属层，所述金属插塞和所述金属层的材料包括铜、铝、银、镍、铁、钯、钛、镍中的一种或多种，所述金属插塞和所述金属层通过热蒸镀、电镀、化学镀、磁控溅射或电子束蒸发工艺形成，接着利用掩膜对所述金属层进行图案化，接着多次重复上述各步骤，以同时形成所述第一金属/介质叠层6和第二金属/介质叠层7。

本发明还提出一种半导体晶圆的密封环结构，其采用上述方法制备形成的。

在本发明的半导体晶圆的密封环结构的制备过程中，通过在所述密封环区中形成平行排列的第一凹槽和第二凹槽，且在在所述第一凹槽中依次形成第一金属纳米颗粒层、第一电介质层、第二金属纳米颗粒层，上述第一、第二金属纳米颗粒层的形成过程，由于采用旋涂工艺使得金属纳米颗粒之间存在间隙，进而可以吸收切割刀切割半导体衬底产生的应力，同时在在所述第二凹槽中沉积金属材料以形成第一金属层，且在所述第二金属纳米颗粒层上沉积第一金属/介质叠层，并在所述第一金属层上沉积第二金属/介质叠层，通过双密封环结构的设置，可以很好的阻挡水汽渗透。通过本发明的双密封环结构的设置，且在第一凹槽中设置有金属纳米颗粒层，利用金属纳米颗粒层中存在间隙，可以阻挡切割应力进一步延伸至集成电路区，且通过在第二凹槽中设置金属层，可以阻挡水汽渗透，且制作方法简单易行，可以与现有技术相融合。

本发明提出一种半导体晶圆的密封环结构及其制备方法。

项目1：一种半导体晶圆的密封环结构的制备方法，包括以下步骤：

1)提供一半导体基底，所述半导体基底包括划片区、集成电路区以及位于所述划片区与所述集成电路区之间的密封环区，在所述半导体基底的所述密封环区中形成平行排列的第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一凹槽靠近所述划片区，所述第二凹槽靠近所述集成电路区。

2)接着在所述半导体基底上形成第一掩膜，所述第一掩膜仅暴露所述第一凹槽。

3)接着在所述半导体基底上旋涂含有金属纳米颗粒的溶液，以在所述第一凹槽的底部形成第一金属纳米颗粒层，接着在所述第一金属纳米颗粒层上沉积电介质材料以形成第一电介质层，接着在所述第一电介质层上形成开孔以暴露所述第一金属纳米颗粒层，接着再旋涂含有金属纳米颗粒的溶液，以在所述第一电介质层上和所述开孔中形成第二金属纳米颗粒层，其中，所述第一金属纳米颗粒层、所述第一电介质层以及所述第二金属纳米颗粒层均嵌入到所述第一凹槽中，所述第一、第二金属纳米颗粒层中具有间隙，接着去除所述第一掩膜。

4)接着在所述半导体基底上形成第二掩膜，所述第二掩膜仅暴露所述第二凹槽。

5)接着在所述第二凹槽中沉积金属材料以形成第一金属层，所述第一金属层填满所述第二凹槽，接着去除所述第二掩膜。

6)通过平坦化工艺去除位于所述第一凹槽的外部的第二金属纳米颗粒层以及位于所述第二凹槽的外部的第一金属层。

7)接着在所述第二金属纳米颗粒层上沉积第一金属/介质叠层，以形成第一密封环；并在所述第一金属层上沉积第二金属/介质叠层，以形成第二密封环。

项目2：在所述步骤1)中，所述第一凹槽和所述第二凹槽均通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度为1-3微米。

项目3：在所述步骤2)中，首先在所述半导体基底上涂覆光致抗刻蚀剂以形成光致抗刻蚀剂层，接着通过掩膜版使用紫外光照射所述光致抗刻蚀剂层，接着通过显影工艺去除未曝光区域的光致抗刻蚀剂，以暴露所述第一凹槽。

项目4：在所述步骤3)中，所述金属纳米颗粒的材质为金、银、铜、镍、铁、钴、钛、钯中的一种或两种以上的合金，所述金属纳米颗粒的粒径为50-200纳米，所述第一金属纳米颗粒层的厚度为200-600纳米，所述第二金属纳米颗粒层的厚度为600-2000纳米。

项目5：在所述步骤3)中，所述电介质材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锆以及氧化钽中的一种或多种，所述第一电介质层的制备工艺是等离子体增强化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积以及化学气相沉积中的一种。

项目6：在所述步骤4)中，首先在所述半导体基底上涂覆光致抗刻蚀剂以形成光致抗刻蚀剂层，接着通过掩膜版使用紫外光照射所述光致抗刻蚀剂层，接着通过显影工艺去除未曝光区域的光致抗刻蚀剂，以暴露所述第二凹槽。

项目7：在所述步骤5)中，所述金属材料包括铜、铝、银、镍、铁、钯、钛、镍中的一种或多种，所述第一金属层通过热蒸镀、电镀、化学镀、磁控溅射或电子束蒸发工艺形成。

项目8：本发明还提出一种半导体晶圆的密封环结构，其采用上述方法制备形成的。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

一种半导体晶圆的密封环结构及其制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。