专利摘要
本发明涉及射频开关领域,尤其涉及一种具有体区自适应偏置功能的CMOS SOI射频开关结构,包括若干电阻、若干BC nMOS开关管和若干FB nMOS偏置管,将BC nMOS开关管的体区连接到“二极管连接”的FB nMOS偏置管阳极,将BC nMOS开关管的栅极连接到“二极管连接”的FB nMOS偏置管的阴极。本发明所提供的技术方案能够让射频开关同时获得低的插入损耗和低的二次三次谐波;另一方面,随着开关掷数的增加,本发明可以有效简化射频开关内部连线与结点接触、降低寄生耦合效应以及节省芯片面积。
专利附图
一种具有体区自适应偏置功能的CMOS SOI射频开关结构专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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