IPC分类号 : H01L31/0264; H01L31/10; H01L31/20
专利摘要
本发明提出了一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法。该方法以硅掺杂的n型GaAs基片作为底层,底层上预设两个电极区位,在一个电极区位的基片上,制备Co掺杂的a-C膜,在Co掺杂的a-C膜上,再采用真空热蒸发方法蒸镀Ag层;在底层上另一个电极区位的基片上直接蒸镀Ag层,从而构成具有p-n结和肖特基结的双结串联结构的光敏电阻器件。该器件不仅红光敏感、光灵敏度高、光响应速度快,具有线性的光照特性,可用作火警报警的光电开关或光功率计,而且还具有所取用的原材料价格低廉,制备工艺简洁,环保无污染等优越性。
专利附图
一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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