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申请号
专利名称
CN201710505203.X
新型氧化物半导体多晶块体的制备方法
CN201910401737.7
一种铜纳米线及其制备方法
CN202010899018.5
一种移动式区域熔炼制备单晶金属氘化物的方法
CN201810947517.X
一种制备二维四氧化三铁单晶的方法
CN201910429369.7
化合物锗酸锂铯和锗酸锂铯非线性光学晶体及制备方法和用途
CN201210081872.6
化合物氯硼酸铅钡和氯硼酸铅钡非线性光学晶体及制备方法和用途
CN201911021567.6
一种非线性光学晶体锶锂硅硫及其制备方法与应用
CN202022545111.4
一种热能利用率高的多晶硅铸锭炉
CN202122560862.8
一种扩散均匀且高效的扩散炉
CN202122226371.X
一种密封性能好的具有均匀喷淋功能的扩散炉
CN202122313536.7
一种单晶硅加工用高温加工装置
CN201710733133.3
一种棒状氧化锆晶须的制备方法
CN202010084927.3
一种用磷石膏制备硫酸钙晶须的方法
CN201410620995.1
一种硬硅钙石晶须的制备方法
CN201811512578.X
一种气敏型LaCoO外延薄膜的制备方法
CN202010192731.6
一种合成小尺寸金属纳米晶的方法
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