筛选出 256 条数据
申请号
专利名称
CN201210128812.5
苯三酸镉钙异金属配合物及其合成与应用
CN201210537156.4
一种纳米TiO2单晶材料、其制备方法及用途
CN201310526521.6
一种磁性羟基磷灰石晶须球的制备方法
CN201310261811.2
一种低维有机倍频晶体的构筑方法
CN201921878345.1
一种大颗粒金刚石的制备装置
CN201921875995.0
一种生长金刚石用散热装置
CN201810001477.X
化合物氟硼酸钙和氟硼酸钙非线性光学晶体及制备方法和用途
CN201911151400.1
一种理想狄拉克半金属CuHgSnSe晶体及其生长方法与应用
CN201911086509.1
一种高效调控CVD单晶金刚石局部区域位错密度的方法
CN201720506333.0
一种溶质浓度毛细对流液桥生成器
CN201720506331.1
一种自动进液式液桥生成系统
CN201910008774.1
硫锡锰锶化合物、硫锡锰锶非线性光学晶体及制备方法和应用
CN201110319535.1
BaGaSiS化合物、BaGaSiS非线性光学晶体及制法和用途
CN201911192021.7
一种稀土碲化物基高温热电材料的制备方法
CN200780010241.2
氮化物单晶的制造方法及其装置
CN200610137998.5
半导体晶体的生产方法
CN200780009865.2
氮化物单晶的制造装置
CN201210003531.7
CN200780011616.7
用于制造第Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法和设备
CN200780009623.3
CN201510075026.7
一种基于硫酸钙晶须的重金属吸附剂的制备方法
CN201510041379.5
大尺寸块状信息存储铁电单晶体的环保节能生长方法
CN202010103134.1
一种二硒化铬二维材料的制备和应用
CN202010066141.9
一种二维超薄BiOBr单晶纳米片的制备方法及其应用
CN201911192379.X
一种二维非层状InSnS晶体材料及其制备方法
CN202022421729.X
一种单晶炉热屏导流筒
CN202010110298.7
一种硒化钯单晶及其制备和应用
CN201710703145.1
一种非掺杂和Eu掺杂碘化锶晶体的定向区熔生长装置和方法
CN202022421798.0
一种新型单晶炉热屏升降装置
CN201810018733.6
一种本征发光的闪烁晶体钽酸镁及其制备方法和用途
CN201711338440.8
一种大尺寸、高性能六硼化镧单晶的制备方法
CN201610458073.4
用于混凝土杀菌防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法
CN201910341661.3
一种高温高压下生长羟基碳酸钐Sm(OH)CO3单晶的方法
CN201210302069.0
化合物磷钼酸铯和磷钼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途
CN201080060438.9
单晶立方倍半氧化物的制备方法及其用途
CN200810139859.5
一种助熔剂生长法中顶部籽晶重入技术
CN200810072858.3
大尺寸硼酸铋锌非线性光学晶体及制备方法和用途
CN201610018311.X
甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置
CN201521019186.1
膜蛋白自动化脂立方相结晶系统
CN201520345520.6
一种通过温场调控溶液流向的氮化物单晶生长装置
CN201610069163.4
一种氧化锌纳米单晶的制备方法
CN202010247872.3
一种非层状二维PbSe晶体材料及其制备方法
CN202010181843.1
熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法
CN202011021908.2
生长氮化铝晶体的坩埚装置
CN202010312686.3
生长单层磷化硅晶体的方法
CN200910077293.2
一种铁基高温超导晶体及其制备方法
CN201810618675.0
硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用
CN201910688722.3
氟硼铝酸铯化合物、氟硼铝酸铯非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN201010010097.6
一种简易的制备线形氧化锌晶须的方法
CN200910112584.0
一种非线性光学晶体硼酸铋镉
CN201310532627.7
一种非水解溶胶-凝胶工艺结合熔盐法制备硅酸锆晶须的方法
CN201711243362.3
一种金属有机框架薄膜包覆的金属氧化物纳米晶及其制备方法和用途
CN201710776715.X
基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法
CN201711261336.3
可控反溶剂扩散法生长大尺寸甲胺溴铅晶体的方法及装置
CN202010506839.8
一种层数可控的二硫化钨单晶的制备方法
CN200810204569.4
碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制系统
CN202011461283.1
一种碳化硅晶体取下装置
CN202010770393.X
一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法
CN202010604586.8
一种二维硫化铋晶体材料及其制备方法
CN201911231065.6
一种氟硼铝酸铯铷非线性光学晶体及其制备方法和用途
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