专利摘要
一种制备SiC柔性场发射阴极材料的方法，其包括以下具体步骤：(1)有机前驱体聚硅氮烷于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎：(2)选择碳布为柔性衬底，在0.05mol/LCo(NO3)2乙醇溶液中浸渍并超声处理10s，然后自然晾干备用；(3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的碳布衬底分别置于石墨坩埚底部和顶端：(4)将石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在氮氩混合气氛保护下加热至1500～1550℃进行高温热解；(5)随炉冷却至室温，实现以碳布为衬底的柔性SiC准定向纳米阵列的制备：(6)将SiC准定向纳米阵列结构用作场发射阴极进行场发射性能检测和分析。所制备的SiC场发射阴极材料具有良好的柔性和优异的场发射性能，有望应用在柔性显示和小型x射线管等领域。
专利附图
SiC柔性场发射阴极材料专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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