专利摘要

混合卤化物闪烁材料，具有通式AB(1‑y)MyX'wX"(3‑w)，其中0≤y≤1，0.05≤w≤1，A可以为碱金属，B可以为碱土金属，并且X'和X"可以为两种不同的卤素原子，和具有通式A(1‑y)BMyX'wX"(3‑w)，其中0≤y≤1，0.05≤w≤1，A可以为碱金属，B可以为碱土金属，并且X'和X"为两种不同的卤素原子。式(1)的闪烁材料包括二价的外部活化剂M，例如Eu2+或Yb2+。式(2)的闪烁材料包括一价的外部活化剂M，例如Tl+、Na+和In+。

权利要求

1.闪烁体，其包含具有以下化学式的化学化合物

AB_(1-y)M_yX'_wX"_(3-w)，

其中0≤y≤1，

0.05≤w≤1，

A为Li、Na、K、Rb、Cs、In之一或其任何组合，

B为Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合，

M为Eu或Yb，

X'为F、Cl、Br、I之一或其任何组合，并且

X"不同于X'且为F、Cl、Br和I之一或其任何组合。

2.权利要求1的闪烁体，其中0≤y≤0.15。

3.权利要求1的闪烁体，其中M为Eu²⁺或Yb²⁺。

4.权利要求1的闪烁体，其中A是Cs。

5.闪烁体，其包含具有以下化学式的化学化合物

A_(1-y)BM_yX'_wX"_(3-w)

其中0≤y≤1，

0.05≤w≤1，

A为Li、Na、K、Rb、Cs、In之一或其任何组合，

B为Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合，

M为In、Na或Tl，并且

X'为F、Cl、Br、I之一或其任何组合，并且

X"不同于X'且为F、Cl、Br和I之一或其任何组合。

6.权利要求5的闪烁体，其中0≤y≤0.15。

7.权利要求5的闪烁体，其中M为In⁺、Na⁺或Tl⁺。

8.权利要求5的闪烁体，其中A是Cs。

9.闪烁体，其包含具有以下化学式的化学化合物

AB_(1-y)M_yX'X"₂

其中0≤y≤1，

A为Li、Na、K、Rb、Cs、In之一或其任何组合，

B为Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合，

M为Eu或Yb，

X'为F、Cl、Br、I之一或其任何组合，并且

X"不同于X'且为F、Cl、Br和I之一或其任何组合。

10.权利要求9的闪烁体，其中0≤y≤0.15。

11.权利要求9的闪烁体，其中M为Eu。

12.权利要求9的闪烁体，其中A是Cs。

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年5月8日提交的名称为“MIXED HALIDE SCINTILLATORS FOR RADIATION DETECTION”的美国临时申请序列号61/990,541的权益，通过引用将其公开内容以其全文并入本文。

发明领域

本发明涉及用于探测辐射例如X-射线、γ射线和热中子辐射的闪烁材料。

背景

闪烁体是能够吸收高能颗粒并将这些颗粒转化为多个低能光子的材料。闪烁材料与光电探测器结合来探测各种应用(包括医学成像、地质勘探、国土安全和高能物理)中的高能光子、电子和其它颗粒是科学上和经济上重要的。为了使应用中的闪烁体的值最大化，需要包括高闪烁光产额、快速闪烁衰减时间和上升时间、良好的能量分辨率、高程度的比例、合适的发射波长以及在宽温度范围内的良好热响应的特性。为此，获得电子/空穴陷阱和无缺陷的闪烁体是重要的。

包含一价或二价的外部活化剂的卤化物闪烁体是一类有前途的闪烁体。一价的外部活化剂包括Tl⁺、Na⁺和In⁺。例如，在M.Gascón等人的“Scintillation Properties of CsBa₂I₅ Activated with Monovalent Ions Tl⁺,Na⁺and In⁺”,Journal of Luminescence,2014,156,63-68中制造了用Tl⁺、Na⁺和In⁺闪烁体掺杂的CsBaI₅并且将其用作γ射线探测器。Eu²⁺和Yb²⁺是二价的外部活化剂的实例。描述了几种Eu²⁺掺杂的卤化物闪烁体，其一致地显示出高的光输出和熔化，允许采用Bridgman-Stockbarger技术生长闪烁体。例如，在K.Yang等人的“Crystal Growth and Characterization of CsSr_1-xEu_xI₃High Light Yield Scintillators”，Rapid Research Letters，2011，5，43-45和K.Yang等人的“Optical and Scintillation Properties of Single Crystal CsSr_l-xEu_xI₃”,Nuclear Science Symposium Conference Record(NSS/MIC),2010IEEE2010，1603-1606中制备了Eu²⁺掺杂的CsSrI₃闪烁体并且公开了它们的光物理性质。M.Zhuravleva等人的美国专利公开号2012/0273726报道了掺杂有Eu²⁺的CsSrBr₃的闪烁性质。另一个实例M.Zhuravleva等人的“New Single Crystal Scintillators,CsCaCl₃：Eu和CsCaI₃：Eu”，Journal of Crystal Growth，2012,352，115-119描述了掺杂有Eu²⁺的CsCaI₃和CsCaCl₃的闪烁性质。发现掺杂有Eu²⁺的CsBaI₃的闪烁体晶体具有优良的闪烁体性质，如公开在U.Shirwadkar等人的“New Promising Scintillator for Gamma-Ray Spectroscopy:Cs(Ba，Sr)(Br，I)₃”，IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record，2011，1583-1585中的那样。

已经提出使用混合卤化物闪烁体即含有两种或更多种不同的卤原子的闪烁体作为增加闪烁体光输出的手段，如A.V.Gektin等人的“Scintillation Efficiency Improvement by Mixed Crystal Use”，IEEE Transactions on Nuclear Science，2014，61，262-270中所示。混合卤化物闪烁体在有限的上下文中已经举例。例如，在H.Wei等人的“Two New Cerium-Doped Mixed-Anion Elpasolite Scintillators:Cs₂NaYBr₃I₃and Cs₂NaLaBr₃I₃”，Optical Materials，2014，38，154-160中制作了掺杂有三价活化剂Ce³⁺的Cs₂NaYBr₃I₃和Cs₂NaLaBr₃I₃的混合卤化物钾冰晶石闪烁体并且报道了其光学性质。在H.Wei等人的“The Scintillation Properties of CeBr_3-xCl_x Single Crystals”,Journal of Luminescence，2014,156，175-179中报道了Ce³⁺基单晶混合卤化物闪烁体。在另一个实例中，在“Scintillation and Optical Properties of BaBrI：Eu²⁺and CsBa₂I₅：Eu²⁺”,IEEE Transactions on Nuclear Science，2011，58，3403-3410中G.Bizarri等人报道了BaBrI的Eu²⁺掺杂的闪烁体。

附图简要说明

图1示出了示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体、示例性CsSrClBr₂(Eu 10％)闪烁体和示例性CsCaBrI₂(Eu 7％)闪烁体的差示扫描量热法热分析图。

图2A示出了在安瓿中示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体的晶体生长。

图2B示出了示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体的裸晶体(bare crystal)。

图2C示出了示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体的5×5×5mm³的抛光样品。

图3A示出了在安瓿中示例性CsCaBrI₂(Eu 7％)闪烁体的晶体生长。

图3B示出了示例性CsCaBrI₂(Eu 7％)闪烁体的裸晶体。

图3C示出了示例性CsCaBrI₂(Eu 7％)闪烁体的8×8×20mm³的抛光样品。

图4A示出了在安瓿中示例性CsSrClBr₂(Eu 10％)闪烁体的晶体生长。

图4B示出了示例性CsSrClBr₂(Eu 10％)闪烁体的6×5×13mm³的抛光样品。

图5示出了示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体、示例性CsCaBrI₂(Eu 10％)闪烁体和示例性CsSrClBr₂(Eu 10％)闪烁体的X-射线激发的辐射发光光谱。

图6示出了示例性KSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体的辐射发光光谱。

图7示出了示例性RbSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体的辐射发光光谱。

图8示出了示例性CsSrBrI₂(Yb 1％)闪烁体的辐射发光光谱。

图9示出了示例性CsSrBrI₂(In 0.5％)闪烁体的辐射发光光谱。

图10示出了示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体、示例性CsCaBrI₂(Eu 10％)闪烁体和示例性CsSrClBr₂(Eu 10％)闪烁体的闪烁衰减时间分布图。

图11示出了示例性KSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体的闪烁衰减分布图。

图12示出了示例性RbSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体的闪烁衰减分布图。

图13示出了示例性CsSrBrI₂(Yb 1％)闪烁体的闪烁衰减分布图。

图14示出了作为示例性CsSrBr I₂闪烁体、示例性CsSrClBr₂闪烁体和示例性CsCaBrI₂闪烁体的铕浓度的函数的光产额。

图15A示出了示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体的脉冲高度谱。

图15B示出了示例性CsCaBrI₂(Eu 7％)闪烁体的脉冲高度谱。

图15C示出了示例性CsSrClBr₂(Eu 10％)闪烁体的脉冲高度谱。

图16示出了示例性KSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体的脉冲高度谱。

图17示出了示例性RbSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体的脉冲高度谱。

图18示出了示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体、示例性CsCaBrI₂(Eu 7％)闪烁体和示例性CsSrClBr₂(Eu 10％)闪烁体的沉积的γ-射线能量的函数的每单位能量的闪烁光产额。

图19示出了示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体的光致发光光谱。

图20示出了示例性示例性CsSrI₃(Eu 7％)、CsSrBrI₂(Eu 7％)和CsSrBr_0.5I_2.5(Eu 7％)闪烁体的透射。

图21示出了示例性CsSrI₃(Eu 7％)、CsSrBr_0.25I_2.75(Eu 7％)、CsSrBr_0.5I_2.5(Eu 7％)、CsSrBr_0.75I_2.25(Eu 7％)和CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体的光产额。

详细描述

本公开涉及一组新发现的混合卤化物闪烁体化合物。这些闪烁体具有优良的闪烁体性质，例如高能量分辨率和高的光输出。

根据本发明的实施方案的混合卤化物闪烁体可包括具有以下一般的示例性式子的两个族：

AB_(1-y)M_yX'_wX"_(3-w) (1)

和

A_(1-y)BM_yX'_wX"_(3-w) (2)

其中0≤y≤1，且

0.05≤w≤1。

这些式子的闪烁体可包括一价或二价的外部活化剂。在式(1)中，M可包括二价的外部活化剂(例如Eu或Yb)；A可包括碱金属(例如Li、Na、K、Rb、Cs)、铟(In)或其任何组合；B可包括碱土金属(例如Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合)；以及X′和X"是两种不同的卤素原子(例如F、Cl、Br、I)或其任何组合。

式(2)的闪烁体包括一价的外部活化剂。在式(2)中，M可包括一价的外部活化剂，例如In、Na或Tl；A可包括碱金属(例如Li、Na、K、Rb、Cs)、铟(In)或其任何组合；B可包括碱土金属(例如Mg、Ca、Sr、Ba)或其任何组合；以及X′和X"是两种不同的卤素原子(例如F、Cl、Br、I)或其任何组合。

式(1)和(2)的化合物能够形成优良的闪烁体。这些新的闪烁体可适用于辐射探测应用，包括医学成像、国土安全、高能物理实验和地球物理勘探。这些闪烁体对于它们的高光输出、优良的能量分辨率、同成分熔化和实用的晶体生长是特别值得注意的。

现在描述制备混合卤化物闪烁体的方法的实施方案。根据一个实施方案，以根据各化合物的化学式的化学计量比手工混合来自Sigma-Aldrich的无水高纯度起始材料并且将其装载到清洁的石英安瓿中。在具有水分和氧含量小于0.01ppm的干燥手套箱中进行该混合和装载。

随后在石英安瓿中在10^-6乇真空下在200℃下将起始材料干燥4小时，冷却降至室温，并用氢/氧焰炬在真空下密封在石英安瓿内。可以使用单一区域炉来熔化和合成式(1)和(2)的化合物，但是应该理解的是，还可以使用其它的炉，包括但不限于两区域透明炉和三区域立式Bridgman炉。

在这个实施方案中，使熔体和合成温度升高至高于所使用的起始材料的最高熔化温度20℃。保持该温度7小时，并且在7小时内冷却降至室温。翻转安瓿并重复上述的工序以促进所有起始材料的完全混合和反应。这导致多晶样品。合成技术(包括但不限于Bridgman法、电子动态梯度法、Czochralski法、微下拉法(micro-pulling down method)、薄膜沉积、熔体冷冻和陶瓷热压)可用来生产多晶、单晶、薄膜和陶瓷形式的最终产品。

根据另一个实施方案，可以使用多个安瓿交替的(“MAA”)混合工艺来混合该起始材料。MAA混合是多个熔体混合工艺，在该工艺中，一次或几次翻转竖炉中安瓿的方向，以便促进用于化学反应的所有起始材料的均匀混合。MAA混合提供起始材料的更均匀分布和改进的混合物透明性。在MAA混合工艺中采用的翻转数目可以由多种因素确定，包括例如特定的起始材料、预期的化学反应、所得产物的形式、和温度。关于多个安瓿交替的混合方法的额外细节在Wei等人的“Scintillation Properties of Cs₃LaCl₆：Ce³⁺和Cs₃LaBr₆：Ce³⁺,IEEE Transactions on Nuclear Science，2014，61，390-396中呈现，通过引用将其公开内容并入本文。

根据本公开的示例性混合卤化物闪烁体包括式(1)和(2)的晶体。这些示例性闪烁体中的几种的闪烁性质呈现在下表I中。

表I示例性闪烁体的闪烁性质

示例性闪烁体的差示扫描量热法

使用Setaram Labsys Evo差示扫描量热仪(DSC)测量示例性闪烁体的熔点和结晶点。在流动的超高纯氩气下在25℃与800℃之间以5°K/分钟加热和冷却样品。在图1中呈现了来自几种示例性闪烁体的DSC数据。

图1呈现了对于示例性CsSrBrI₂闪烁体(Eu 7％)、示例性CsSrCIBr₂闪烁体(Eu 10％)和示例性CsCaBrI₂闪烁体(Eu 7％)测量的DSC数据。如该图中所示，CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体的DSC曲线表明熔化温度为611℃，CsSrClBr₂(Eu 10％)闪烁体的DSC曲线表明熔化温度为752℃，并且CsCaBrI₂(Eu 7％)闪烁体的DSC曲线表明熔化温度为671℃。

示例性闪烁体的晶体生长

在图2A至2C中显示了示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体的晶体生长。在图2A中显示了在安瓿中CsSrBrI₂闪烁体(Eu 7％)的晶体生长。图2B示出了示例性CsSrBrI₂闪烁体(Eu 7％)的裸晶体。图2C示出了示例性CsSrBrI₂闪烁体(Eu 7％)的5×5×5mm³抛光样品。

图3A-3C显示了示例性CsCaBrI₂(Eu 7％)闪烁体的晶体生长。在图3A中显示了在安瓿中示例性CsCaBrI₂闪烁体(Eu 7％)的晶体生长。图3B示出了示例性CsCaBrI₂闪烁体的裸晶体。图3C示出了示例性CsCaBrI₂闪烁体(Eu 7％)的8×8×20mm³抛光样品。

图4A和4B示出了示例性CsSrClBr₂(Eu 10％)闪烁体的晶体生长。图4A示出了在安瓿中示例性CsSrClBr₂闪烁体(Eu 10％)的晶体生长，并且图4B示出了示例性CsSrClBr₂闪烁体(Eu 10％)的6×5×13mm³抛光样品。

示例性闪烁体的辐射发光

在室温下在来自X射线发生器模型CMX003(在35kV和0.1mA下)的连续辐射下测量示例性闪烁体的辐射发光光谱。使用模型PI Acton Spectra Pro SP-2155单色仪来记录光谱。图5示出了几种示例性闪烁体的辐射发光发射。这些数据显示归因于Eu²⁺5d-4f跃迁的特征发射的单一峰值发射，这表明Eu²⁺以二价形式进入晶格。Eu²⁺5d-4f激发态的能量由P.Dorenbos在“Energy of the First 4f⁷→4f⁶5d Tansition of Eu²⁺in Inorganic Compounds”,Journal of luminescence，2003，104，239-260中描述，并且来自这种激发态的发光由D.H.Gahane等人在“Luminescence of Eu²⁺in Some Iodides”,Optical Materials,2009，32，18-21中报道，并且通过引用将这些公开内容并入本文。

如图5中所呈现的辐射发光光谱所示，示例性CsSrBrI₂闪烁体(Eu 7％)具有以455nm为中心的单一峰值；示例性CsCaBrI₂(Eu 10％)闪烁体具有以462nm为中心的单一峰值；并且示例性CsSrClBr₂闪烁体(Eu 10％)具有以445nm为中心的单一峰值。

图6-9呈现了另外的示例性闪烁体的辐射发光光谱。如图6所示，示例性KSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体具有以460nm为中心的单一峰值。示例性RbSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体具有以453nm为中心的单一峰值，如图7所示。图8示出了示例性CsSrBrI₂(Yb 1％)闪烁体，该闪烁体具有以453nm为中心的单一峰值。图9示出了示例性的CsSrBrI₂(In 0.5％)闪烁体，该闪烁体具有以530nm为中心的单一峰值。

示例性闪烁体的闪烁衰减

使用¹³⁷Cs源和时间相关的单一光子计数技术来记录示例性闪烁体的闪烁衰减时间，该时间相关的单一光子计数技术由L.M.Bollinger等人在“Measurement of Time Dependence of Scintillation Intensity by a Delayed-Coincidence Method,”，The Review of Scientific Instruments，1961，32，1044-1050中描述，并且通过引用将这篇公开内容并入本文。在图10至13中示出了几种示例性闪烁体的闪烁衰减分布图。

图10示出了：示例性CsSrBrI₂闪烁体(Eu 7％)的闪烁衰减分布图，其具有0.77μs初级衰减分量(占总光输出的～89％)并且在3μs内收集剩余的光；示例性CsCaBrI₂闪烁体(Eu 10％)的闪烁衰减分布图，其显示双指数衰减响应，其中初级衰减分量为1.2μs(占总光输出的～82％)并且在较长的分量内收集剩余的光；和示例性CsSrCIBr₂闪烁体(Eu 10％)的闪烁衰减分布图，其示出双指数衰减响应，其中初级分量为2.5μs并且0.38μs的较快分量占总光输出的约～5％。采用双分量指数衰减函数对该图中呈现的闪烁衰减曲线进行拟合。

在图11至13中呈现了另外的示例性闪烁体的衰减分布图。图11显示了用单分量指数衰减函数拟合的示例性KSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体的闪烁衰减分布图。图12显示了用双分量指数衰减函数拟合的示例性RbSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体的衰减分布图。图13显示了用双分量指数衰减函数拟合的示例性CsSrBrI₂(Yb 1％)闪烁体的衰减分布图。

示例性闪烁体的闪烁光产额

使用Hamamatsu 3177-50或R6231-100光电倍增管(“PMT”)并且记录对γ射线(例如来自¹³⁷Cs(铯-137同位素)源)的响应来测量示例性闪烁体的闪烁光产额。使用矿物油来保护样品闪烁体晶体免于劣化，以及提供样品闪烁体晶体与PMT之间的光学耦合，使得样品闪烁体晶体中产生的闪烁光会透射到PMT用于测量。从662keV光峰的位置和来自单一光电子的峰值计算光电子数目。用高斯函数对光峰进行拟合，以确定峰值中心。从所测量的光电子数目到由该闪烁体所发射的光子数目/MeV即闪烁体的光产额的转换，通过采用样品的X射线激发的发射光谱卷积作为波长(由Hamamatsu即PMT的制造商测量)的函数的PMT的量子效率来实现。使用Spectralon的半球圆顶来改进进入PMT中的闪烁光收集并且使用10μs的成形时间来确保光脉冲的完全集成。对于¹³⁷Cs、⁵⁷Co、¹⁰⁹Cd、¹³³Ba和²⁴¹Am的γ射线响应和能量分辨率，将样品置于填充有矿物油的石英容器中以保护它们免受测量期间的水分。

图14呈现了作为铕浓度的函数的示例性闪烁体的光产额。对于示例性CsSrBrI₂和CsCaBrI₂闪烁体，7％的铕浓度给出最高的光产额，分别为60000和50000个光子/MeV，如图14所示。对于示例性CsSrClBr₂闪烁体，10％的铕浓度给出最高的光产额，35000个光子/MeV。

在图15-17中显示了示例性闪烁体的脉冲高度谱。在图15A-15C中通过高斯函数对全能峰(光峰)进行拟合。在图15A中，显示了示例性CsSrBrI₂闪烁体(Eu 7％)晶体(晶体尺寸：4×2×2mm³)在¹³⁷Cs激励下的脉冲高度谱，并且在662KeV下展现了60000个光子/MeV的光产额和3.5％的能量分辨率。在图15B中，显示了示例性CsCaBrI₂闪烁体(Eu 7％)晶体(晶体尺寸：8×8×20mm³)在¹³⁷Cs激励下的脉冲高度谱，并且在662KeV下展现了50000个光子/MeV的光产额和5.0％的能量分辨率。在图15C中，显示了示例性CsSrClBr₂闪烁体(Eu 10％)晶体(晶体尺寸：4×2×2mm³)在¹³⁷Cs激励下的脉冲高度谱，并且在662KeV下展现了35000个光子/MeV的光产额和5.0％的能量分辨率。

图16和17示出了在¹³⁷Cs激励下测量的另外的示例性闪烁体的脉冲高度谱。在图16中，显示了示例性KSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体的脉冲高度谱，其展现了36500个光子/MeV的光产额。在图17中呈现了示例性RbSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体的脉冲高度谱，并且该示例性RbSrBrI₂(Eu 3％)闪烁体展现了37200个光子/MeV的光产额。

图18呈现了对于几种示例性闪烁体晶体的作为沉积的γ射线能量的函数的每单位能量的闪烁光产额。通过用从14至662KeV的γ-射线激发能量辐射示例性闪烁体晶体(晶体尺寸：4×3×3mm³)来获得这些数据。

如图18所示，示例性CsSrBrI₂闪烁体(Eu 7％)展现了从20到662keV的比例响应并且在14keV下降低了～6％。示例性CsCaBrI₂(Eu 7％)和CsSrCIBr₂(Eu 10％)闪烁体在较高能量下开始展现非比例性。值得注意的是，示例性混合卤化物闪烁体的响应曲线缺少公知的“卤化物驼峰(hump)”，即经常观察到的在中间能量下光产额的增大，如由S.A.Payne等人在“Nonproportionality of Scintillator Detectors:Theory and Experiment”，IEEE Transactions on Nuclear Science，2009，56，2506-2512中以及B.D.Rooney等人在“Scintillator Light Yield Nonproportionality:Calculating Photon Response Using Measured Electron Response”，IEEE Transactions on Nuclear Science，1997，44，509-516中描述，并且通过引用将每个的公开内容并入本文。相反地，示例性闪烁体的响应曲线类似于对于其中光产额对于高能量和中间能量是恒定的然后在低能量下单调降低的氧化物闪烁体通常所观察到的响应。

示例性闪烁体的光致发光

图19呈现了示例性CsSrBrI₂闪烁体(Eu 7％)的光致发光光谱特征。使用配有Xenon灯的Hitachi荧光分光光度计在室温下获得这些数据。在图19中示出的光谱特征包括4f-5d激发态且是二价铕发光的特性。

部分卤化物取代

式(1)和(2)的卤化物组分的部分取代可改进闪烁体性能。例如，图20示出了部分卤化物取代对示例性CsSrI₃(Eu 7％)、CsSrBrI₂(Eu 7％)和CsSrBr_0.5I_2.5(Eu 7％)闪烁体的透射的影响。通过采用MAA混合的Bridgman技术使用于测量该数据的这些示例性闪烁体的样品生长至厚度为3mm。如图20所示，示例性CsSrI₃(Eu 7％)闪烁体的透射改进约35％(对于在示例性CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体中33％碘化物被溴化物卤化物的取代)，并且改进约65％(对于在示例性CsSrBr_0.5I_2.5(Eu 7％)闪烁体中16.6％碘化物被溴化物卤化物的取代)。

在图21中示出了部分卤化物取代对光产额的影响。用MAA混合来熔体冷冻合成示例性CsSrI₃(Eu 7％)、CsSrBr_0.25I_2.75(Eu 7％)、CsSrBr_0.5I_2.5(Eu 7％)、CsSrBr_0.75I_2.25(Eu 7％)和CsSrBrI₂(Eu 7％)闪烁体的样品。如该图中所示，通过用溴化物取代碘化物，示例性CsSrI₃(Eu 7％)闪烁体的光产额增加，并且在8.33％碘化物被溴化物的取代下获得了最大的光产额。

应该理解的是，本公开可不限于所描述的实施方案，并且可以解释清楚其中存在冲突物件的任何数目的情况和实施方案。

尽管已经参照几个示例性实施方案描述了本公开，但是应当理解，所使用的词语是描述性和说明性的词语，而不是限制性的词语。可以在所附权利要求的范围内(如目前所述和如修改的)进行改变，而不脱离本公开在其各个方面的范围和精神。尽管已经参照特定的实例描述了本公开，但是本公开可并不旨在限于所公开的细节；相反，本公开延伸至例如在所附权利要求的范围内的所有功能等同的结构、方法和用途。

本文中描述的实例和实施方案的图示旨在提供各种实施方案的一般理解，并且许多其它实例和实施方案对于本领域的技术人员在审阅本发明时可为明显的。其它实施方案可得到利用并且衍生自本公开，使得可以做出结构和逻辑上的替换和改变而不背离本公开的范围。此外，这些图示仅是代表性的并且可以不按比例绘制。在这些图示内的某些比例可能被放大了，而其它比例可能被最小化。因此，本公开和附图应被认为是说明性的而不是限制性的。

本公开的一个或多个实例或实施方案可在本文中提及，单独地和/或共同地由术语“本公开”来表示，只是为了方便并且不是旨在将本申请的范围随意地限制于任何特定的公开或发明概念。此外，尽管在本文中已经说明和描述了具体的实例和实施方案，但是应该理解任何随后的经设计以用于实现相同或相似目的的装置可以代替所示的具体实例或实施方案。本公开可旨在覆盖各种实例和实施方案的任何和所有后续改变和变体。上述实例和实施方案、以及在本文中没有具体描述的其它实例和实施方案的组合对于本领域的技术人员在审阅本说明书时将为清楚的。

另外，在前面的详细描述中，可将各种特征组合在一起或在单一实施方案中进行描述，以用于简化本公开的目的。本公开可能不能被解释为反映了这样的意图：所要求保护的实施方案需要的特征多于每个权利要求中所明确记载的。相反，如以下权利要求所反映的那样，发明主题可以是针对少于任何所公开的实施方案的所有特征。因此，将以下的权利要求并入详细描述中，其中每项权利要求自身独立地限定了分别要求保护的主题。

以上公开的主题应被认为是说明性的，而非限制性的，并且所附权利要求书旨在覆盖所有这样的改变、增强和落入本公开的真实精神和范围内的其它实施方案。因此，在法律允许的最大限度，本公开的范围将可由以下的权利要求和它们的等价物的可最宽泛允许的解释所确定，而不应被以上的详细描述所限制或约束。

用于辐射探测的混合卤化物闪烁体专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。