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分焦平面偏振探测器的制作方法及正交偏振图像获取方法

分焦平面偏振探测器的制作方法及正交偏振图像获取方法

IPC分类号 : G01J4/00,G02B5/30

申请号
CN202010358798.2
可选规格
  • 专利类型: 发明专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2020-04-29
  • 公开号: 111664943B
  • 公开日: 2020-09-15
  • 主分类号: G01J4/00
  • 专利权人: 西北工业大学

专利摘要

本发明公开了一种分焦平面偏振探测器的制作方法及正交偏振图像获取方法,通过在基底上镀制呈梳状周期排布的单方向偏振膜形成微偏振片阵列、在焦平面探测器的焦平面上粘贴微偏振片阵列构成分焦平面偏振探测器、获取分焦平面偏振探测器直接输的强度图像和第一幅偏振图像、将强度图像和第一幅偏振图像沿垂直于单方向偏振膜延展方向分别进行两倍放大处理、在全尺寸的强度图像中去除全尺寸的第一幅偏振图像得到全尺寸的第二幅偏振图像,提出具有制造工艺简单、结构紧凑、集成度高、可快照式成像、成本低的分焦平面偏振探测器的制作方法和正交偏振图像获取方法。

权利要求

1.一种分焦平面偏振探测器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

S11:在基底上镀制呈梳状周期排布的单方向偏振膜形成微偏振片阵列;

S12:将所述微偏振片阵列粘贴至焦平面探测器的焦平面构成分焦平面偏振探测器,所述基底和所述焦平面探测器的工作波段具有交集波段I,所述单方向偏振膜的工作波段和交集波段I具有交集波段II;

多条所述单方向偏振膜在所述基底表面呈梳状周期排布,其中单条所述单方向偏振膜的宽度等于其排布周期的1/2;

所述微偏振片阵列粘贴至所述焦平面探测器,所述微偏振片阵列与所述焦平面探测器的对齐方向为沿所述焦平面探测器的焦平面的水平方向对齐、沿所述焦平面探测器的焦平面的垂直方向对齐两种方向中的任何一种。

2.根据权利要求1所述的分焦平面偏振探测器的制作方法,其特征在于,所述基底的厚度为0.1-2.0mm。

3.根据权利要求1所述的分焦平面偏振探测器的制作方法,其特征在于,所述焦平面探测器为可见光焦平面探测器、可见-近红外焦平面探测器、可见-短波红外焦平面探测器、短波红外焦平面探测器中的任何一种。

4.根据权利要求1所述的分焦平面偏振探测器的制作方法,其特征在于,将所述微偏振片阵列粘贴至所述焦平面探测器的焦平面,所述微偏振片阵列的粘贴面为有所述单方向偏振膜的表面和无所述单方向偏振膜表面中的任何一种。

5.根据权利要求1所述的分焦平面偏振探测器的制作方法,其特征在于,所述沿所述焦平面探测器的焦平面的水平方向对齐,所述单方向偏振膜的延展方向与所述焦平面探测器的焦平面的水平方向一致,且单条所述单方向偏振膜与所述焦平面探测器的n1行像元对齐,n1为正整数。

6.根据权利要求1所述的分焦平面偏振探测器的制作方法,其特征在于,所述沿所述焦平面探测器的焦平面的垂直方向对齐,所述单方向偏振膜的延展方向与所述焦平面探测器的焦平面的垂直方向一致,且单条所述单方向偏振膜与所述焦平面探测器的n2列像元对齐,n2为正整数。

7.根据权利要求1所述的分焦平面偏振探测器的制作方法,其特征在于,将所述微偏振片阵列粘贴至焦平面探测器的焦平面构成分焦平面偏振探测器,包括如下步骤:

S21:在所述焦平面探测器的焦平面上涂厚度小于100nm的紫外敏感胶;

S22:通过在LED光源前增加偏振片构成工作光源,其中所述偏振片的透振方向不同于所述单方向偏振膜的透振方向;

S23:在所述工作光源照射下,调节所述微偏振片阵列的位置和角度,使得所述微偏振片阵列与所述焦平面探测器的焦平面像元对齐;

S24:利用紫外灯曝光,将所述微偏振片阵列与所述焦平面探测器的焦平面固化在一起。

8.一种正交偏振图像获取方法,其特征在于,包括如下步骤:

S31:利用权利要求1-7任一项所述的分焦平面偏振探测器的制作方法所制备的分焦平面偏振探测器中未经所述单方向偏振膜作用的像元输出强度图像,经所述单方向偏振膜作用的像元输出第一幅偏振图像,从而获得所述强度图像和所述第一幅偏振图像;

S32:利用图像放大处理方法,分别对所述强度图像和所述第一幅偏振图像沿垂直于所述单方向偏振膜延展方向进行两倍图像放大处理,对应得到全尺寸的强度图像和全尺寸的第一幅偏振图像,所述图像放大处理方法为最近邻插值、线性插值、三次样条插值、深度学习四种方法中的任何一种;

S33:从所述全尺寸的强度图像中去除所述全尺寸的第一幅偏振图像得到全尺寸的第二幅偏振图像,从而获得两幅全尺寸的正交偏振图像,其中,去除的方法是从β倍的所述全尺寸的强度图像中减去所述全尺寸的第一幅偏振图像得到所述全尺寸的第二幅偏振图像,所述β值是与所述单方向偏振膜的透振方向相同的线偏振光源照射条件下,所述分焦平面偏振探测器输出的所述第一幅偏振图像平均值与所述强度图像平均值的比值,其中图像平均值为图像中所有像素值的平均值。

说明书

技术领域

本发明属于光电成像技术领域,具体涉及一种分焦平面偏振探测器的制作方法及正交偏振图像获取方法。

背景技术

光有四个基本的物理特性,分别是强度、波长、偏振和相位。自然界的许多生物能够感知光的偏振特性,比如昆虫、鲨鱼等。人眼无法感知光的偏振信息,但人类借助偏振成像技术可以获取场景的偏振信息。目前,偏振成像技术在去雾霾成像、水下目标探测、工业检测等方面有着潜在的应用价值。

偏振成像可以获得场景的偏振信息。目前国际上的偏振成像系统主要分为四类:分时型、分振幅型、分孔径型和分焦平面型。分时型偏振成像系统通过在光路中增加可旋转的偏振片,在不同时刻获得偏振片在不同旋转角度下的多幅偏振图像,再经过偏振解析处理后得到偏振特征图像,该类系统只适用于静态场景。分振幅型偏振成像系统利用分光棱镜的折反原理,将入射光分为多路,每路对应一个探测器,存在体积大、稳定性差的缺点,如文献(CN 107392948A)公开了一种分振幅偏振成像系统。分孔径型偏振成像系统虽然多路共用一个探测器,但其光学系统设计复杂,且不同焦平面区域需要进行像素级配准,系统稳定性差,如文献(专利公布号:CN 105352603B)公开了一种分孔径偏振成像系统及方法。相比其他三类偏振成像系统,分焦平面偏振成像系统通过在探测器焦平面上集成微偏振片阵列来实现,具有结构紧凑、集成度高、可快照式成像等优点,如文献(CN 108731821B)公开了一种分焦平面红外偏振成像系统。

文献(“像素偏振片阵列制备及其在偏振图像增强中的应用”,《物理学报》,2014年4月,第63卷第2期,张志刚等)公开了制备具有0°、45°、90°、135°四种偏振方向的微偏振片阵列样片,并集成封装至探测器的焦平面构成分焦平面偏振相机。该制作方案存在微偏振片阵列样片的图案复杂,四种偏振方向的微偏振片交错排布,且光栅的周期小于200nm,只能依赖于高精密且昂贵的电子束曝光设备对光刻胶进行曝光来完成,导致制作成本高;在将含有四种偏振方向的微偏振片阵列样片粘贴至探测器焦平面过程中,四种不同偏振方向的微偏振片均要求严格对准,配准难度大。

发明内容

本发明针对现有上述方案存在的不足,提供一种分焦平面偏振探测器的制作方法及正交偏振图像获取方法。通过在基底上镀制呈梳状周期排布的单方向偏振膜形成微偏振片阵列、在焦平面探测器的焦平面上粘贴微偏振片阵列、强度图像和第一幅偏振图像沿垂直于偏振膜延展方向分别进行两倍放大处理、在全尺寸强度图像中去除全尺寸的第一幅偏振图像得到全尺寸的第二幅偏振图像,提出具有制造工艺简单、结构紧凑、集成度高、可快照式成像、成本低的分焦平面偏振探测器的制作方法和正交偏振图像获取方法。

为了达到上述目的,本发明采用以下技术方案予以实现:

本发明公开一种分焦平面偏振探测器的制作方法,包括如下步骤:

S11:在基底上镀制呈梳状周期排布的单方向偏振膜形成微偏振片阵列;

S12:将所述微偏振片阵列粘贴至焦平面探测器的焦平面构成分焦平面偏振探测器,所述基底和所述焦平面探测器的工作波段具有交集波段I,所述单方向偏振膜的工作波段和交集波段I具有交集波段II。

作为本发明的一种优选实施方式:多条所述单方向偏振膜在所述基底表面呈梳状周期排布,其中单条所述单方向偏振膜的宽度等于其排布周期的1/2。

作为本发明的一种优选实施方式:所述基底的厚度为0.1-2.0mm。

作为本发明的一种优选实施方式:所述焦平面探测器为可见光焦平面探测器(工作波段为0.4-0.7μm)、可见-近红外焦平面探测器(工作波段为0.4-1.0μm)、可见-短波红外焦平面探测器(工作波段为0.4-1.7μm)、短波红外焦平面探测器(工作波段为0.9-1.7μm)中的任何一种。

作为本发明的一种优选实施方式:将所述微偏振片阵列粘贴至所述焦平面探测器的焦平面,所述微偏振片阵列的粘贴面为有所述单方向偏振膜的表面和无所述单方向偏振膜表面中的任何一种。

作为本发明的一种优选实施方式:所述微偏振片阵列粘贴至所述焦平面探测器,所述微偏振片阵列与所述焦平面探测器的对齐方向为沿所述焦平面探测器的焦平面的水平方向对齐、沿所述焦平面探测器的焦平面的垂直方向对齐两种方向中的任何一种。

作为本发明的一种优选实施方式:所述沿所述焦平面探测器的焦平面的水平方向对齐,所述单方向偏振膜的延展方向与所述焦平面探测器的焦平面的水平方向一致,且单条所述单方向偏振膜与所述焦平面探测器的n1行像元对齐,n1为正整数。

作为本发明的一种优选实施方式:所述沿所述焦平面探测器的焦平面的垂直方向对齐,所述单方向偏振膜的延展方向与所述焦平面探测器的焦平面的垂直方向一致,且单条所述单方向偏振膜与所述焦平面探测器的n2列像元对齐,n2为正整数。

作为本发明的一种优选实施方式:将所述微偏振片阵列粘贴至焦平面探测器的焦平面构成分焦平面偏振探测器,包括如下步骤:

S21:在所述焦平面探测器的焦平面上涂厚度小于100nm的紫外敏感胶;

S22:通过在LED光源前增加偏振片构成工作光源,其中所述偏振片的透振方向不同于所述单方向偏振膜的透振方向;

S23:在所述工作光源照射下,调节所述微偏振片阵列的位置和角度,使得所述微偏振片阵列与所述焦平面探测器的焦平面像元对齐;

S24:利用紫外灯曝光,将所述微偏振片阵列与所述焦平面探测器的焦平面固化在一起。

基于上述分焦平面偏振探测器,本发明公开一种正交偏振图像获取方法,包括如下步骤:

S31:利用上述任一项实施例所述的分焦平面偏振探测器的制作方法所制备的分焦平面偏振探测器中未经所述单方向偏振膜作用的像元输出强度图像,经所述单方向偏振膜作用的像元输出第一幅偏振图像,从而获得所述强度图像和所述第一幅偏振图像;

S32:利用图像放大处理方法,分别对所述强度图像和所述第一幅偏振图像沿垂直于所述单方向偏振膜延展方向进行两倍图像放大处理,对应得到全尺寸的强度图像和全尺寸的第一幅偏振图像;

S33:从所述全尺寸的强度图像中去除所述全尺寸的第一幅偏振图像得到全尺寸的第二幅偏振图像,从而获得两幅全尺寸的正交偏振图像,其中,去除的方法是从β倍的所述全尺寸的强度图像中减去所述全尺寸的第一幅偏振图像得到所述全尺寸的第二幅偏振图像,所述β值是与所述单方向偏振膜的透振方向相同的线偏振光源照射条件下,所述分焦平面偏振探测器输出的所述第一幅偏振图像平均值与所述强度图像平均值的比值,其中图像平均值为图像中所有像素值的平均值。

作为本发明的一种优选实施方式:所述图像放大处理方法为最近邻插值、线性插值、三次样条插值、深度学习四种方法中的任何一种。

本发明有益效果是:

本发明通过在基底上镀制呈梳状周期排布的单方向偏振膜、在焦平面探测器的焦平面上粘贴微偏振片阵列、获取分焦平面偏振探测器直接输的强度图像和第一幅偏振图像、将强度图像和第一幅偏振图像沿垂直于单方向偏振膜延展方向分别进行两倍放大处理、在全尺寸的强度图像中去除全尺寸的第一幅偏振图像得到全尺寸的第二幅偏振图像,提出的分焦平面偏振探测器的制作方法和正交偏振图像获取方法具有制造工艺简单、结构紧凑、集成度高、可快照式成像、成本低的优点。

本发明在分焦平面偏振探测器制作过程中,若将微偏振片阵列中四种偏振方向的图案,改为单偏振方向的图案,则微偏振片阵列的制作工艺可以采用全息光刻微纳光栅的制作工艺来完成,从而降低微偏振片的制作难度和成本,及其与焦平面探测器集成封装的工艺难度和成本。

附图说明

图1是本发明提出的一种分焦平面偏振探测器的制作方法及正交偏振图像获取方法的流程图;

图2是本发明提出的一种用于沿焦平面水平方向对齐的微偏振片阵列的结构示意图;

图3是本发明提出的一种用于沿焦平面水平方向对齐的分焦平面偏振探测器的分层示意图;

图4是本发明提出的一种用于沿焦平面水平方向对齐的分焦平面偏振探测器的示意图;

图5是本发明提出的一种用于沿焦平面垂直方向对齐的微偏振片阵列的结构示意图;

图6是本发明提出的一种用于沿焦平面垂直方向对齐的分焦平面偏振探测器的分层示意图;

图7是本发明提出的一种用于沿焦平面垂直方向对齐的分焦平面偏振探测器的示意图。

附图标记说明:

101-透明玻璃的基底;102-用于沿焦平面水平方向对齐的单方向偏振膜;103-用于沿焦平面水平方向对齐的微偏振片阵列;104-工作波段为0.4-0.7μm的可见光焦平面探测器;105-可见光焦平面探测器的像元;106-沿焦平面水平方向对齐的可见光波段的分焦平面偏振探测器;

201-短波红外材料的基底;202-用于沿焦平面垂直方向对齐的单方向偏振膜;203-用于沿焦平面垂直方向对齐的微偏振片阵列;204-工作波段为0.9-1.7μm的短波红外焦平面探测器;205-短波红外焦平面探测器的像元;206-沿焦平面垂直方向对齐的短波红外波段的分焦平面偏振探测器。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例一

请参见图1,图1是本发明提出的一种分焦平面偏振探测器的制作方法及正交偏振图像获取方法的流程图。本发明实施例提出一种分焦平面偏振探测器的制作方法,用于设计一种可见光波段的正交偏振成像方法实施例,该分焦平面偏振探测器制作方法包括以下步骤:

S11:在基底上镀制呈梳状周期排布的单方向偏振膜形成微偏振片阵列。

具体地,如图2和图3所示,在透明玻璃的基底101上镀制呈梳状周期排布的工作波段为0.4-0.7μm的单方向偏振膜102,形成微偏振片阵列103。

S12:将微偏振片阵列粘贴至焦平面探测器的焦平面构成分焦平面偏振探测器106,基底和焦平面探测器的工作波段具有交集波段I,单方向偏振膜的工作波段和交集波段I具有交集波段II。

具体地,如图3和图4所示,微偏振片阵列103粘贴至工作波段为0.4-0.7μm的可见光焦平面探测器104的焦平面上,构成沿可见光焦平面探测器104的焦平面的水平方向对齐的可见光波段的分焦平面偏振探测器106。

本发明实施例中,基底101可选用工作波段覆盖0.35-1.0的玻璃基底,基底101优选K9玻璃作为基底,还可以选用K7、F5玻璃作为基底。

本发明实施例中,单方向偏振膜102的工作波段为0.4-0.7μm,K9玻璃基底的工作波段为0.35-2.0μm,可见光焦平面探测器104的工作波段为0.4-0.7μm。单方向偏振膜102、透明玻璃的基底101、可见光焦平面探测器104的工作波段的交集为0.4-0.7μm。

本发明实施例中,多条单方向偏振膜102在透明玻璃的基底101表面上呈梳状周期的排布,单条单方向偏振膜102的排布周期为9.6μm,单条单方向偏振膜102的宽度为4.8μm,单条单方向偏振膜102的宽度等于其排布周期的1/2。

本发明实施例中,K9玻璃基底的厚度为0.5mm。

本发明实施例中,可见光焦平面探测器104选用帧曝光CCD焦平面探测器,工作波段为0.4-0.7μm,帧曝光CCD焦平面探测器的面阵大小为1280×1024,像元尺寸为4.8μm×4.8μm。

本发明实施例中,微偏振片阵列103粘贴至可见光焦平面探测器104的焦平面,微偏振片阵列103的粘贴面为其上表面和下表面中任何一种。

本发明实施例中,微偏振片阵列103与可见光焦平面探测器104的对齐方向为沿可见光焦平面探测器104的焦平面的水平方向对齐,单方向偏振膜102的延展方向与可见光焦平面探测器104的焦平面的水平方向一致,单条单方向偏振膜102与可见光焦平面探测器104的n1行像元对齐,n1为正整数。

作为本发明的一种优选实施方式:微偏振片阵列103粘贴至可见光焦平面探测器104的焦平面构成可见光波段的分焦平面偏振探测器106,其粘贴过程包括如下步骤:

S21:在可见光焦平面探测器104的焦平面上涂厚度小于100nm的紫外敏感胶;

S22:通过在LED光源前增加偏振片构成工作光源,其中偏振片的透振方向不同于单方向偏振膜102的透振方向;

S23:在工作光源照射下,调节微偏振片阵列103的位置和角度,使得微偏振片阵列103与可见光焦平面探测器104的焦平面像元对齐;

S24:利用紫外灯曝光,将微偏振片阵列103与可见光焦平面探测器104的焦平面固化在一起。

请再次参见图1,本实施例还在上述实施例所述的分焦平面偏振探测器的制作方法的基础上提出的一种正交偏振图像获取方法,该正交偏振图像获取方法包括如下步骤:

S31:利用上述实施例所述的分焦平面偏振探测器的制作方法所制备的分焦平面偏振探测器中未经单方向偏振膜作用的像元输出强度图像,经单方向偏振膜作用的像元输出第一幅偏振图像,从而获得强度图像和第一幅偏振图像;

S32:利用图像放大处理方法,分别对强度图像和所述第一幅偏振图像沿垂直于单方向偏振膜延展方向进行两倍图像放大处理,对应得到全尺寸的强度图像和全尺寸的第一幅偏振图像;

S33:从全尺寸的强度图像中去除全尺寸的第一幅偏振图像得到全尺寸的第二幅偏振图像,从而获得两幅全尺寸的正交偏振图像,其中,去除的方法是从β倍的全尺寸的强度图像中减去全尺寸的第一幅偏振图像得到全尺寸的第二幅偏振图像,β值是与单方向偏振膜的透振方向相同的线偏振光源照射条件下,分焦平面偏振探测器输出的第一幅偏振图像平均值与强度图像平均值的比值,其中图像平均值为图像中所有像素值的平均值。

作为本发明的一种优选实施方式:图像放大处理方法为最近邻插值、线性插值、三次样条插值、深度学习四种方法中的任何一种。

实施例二

请参见图1,图1是本发明提出的一种分焦平面偏振探测器制作方法的流程图。本发明实施例提出一种分焦平面偏振探测器的制作方法,用于设计一种短波红外波段的正交偏振成像方法实施例,该分焦平面偏振探测器制作方法包括以下步骤:

S11:在基底上镀制呈梳状周期排布的单方向偏振膜形成微偏振片阵列。

具体地,如图5和图6所示,在短波红外材料的基底201上镀制呈梳状周期排布的工作波段为0.9-1.7μm的单方向偏振膜202,形成微偏振片阵列203。

S12:将微偏振片阵列粘贴至焦平面探测器的焦平面构成分焦平面偏振探测器,基底和焦平面探测器的工作波段具有交集波段I,单方向偏振膜的工作波段和交集波段I具有交集波段II。

具体地,如图6和图7所示,微偏振片阵列203粘贴至工作波段为0.9-1.7μm的短波红外焦平面探测器204的焦平面上,构成沿短波红外焦平面探测器204的焦平面的垂直方向对齐的短波红外波段的分焦平面偏振探测器206。

本发明实施例中,基底201可选用工作波段覆盖0.9-1.7μm的短波红外材料基底,优选氟化镁材料作为基底,还可以选用氟化钙、氟化钡材料作为基底。

本发明实施例中,单方向偏振膜202的工作波段为0.9-1.7μm,氟化镁材料基底201的工作波段为0.11-8.5μm,短波红外焦平面探测器204的工作波段为0.9-1.7μm。单方向偏振膜202、短波红外材料的基底201、短波红外焦平面探测器204的工作波段的交集为0.9-1.7μm。

本发明实施例中,多条单方向偏振膜202在短波红外材料的基底201表面上呈梳状周期的排布,单条单方向偏振膜202的排布周期为9.6μm,单条单方向偏振膜202的宽度为4.8μm,单条单方向偏振膜202的宽度等于其排布周期的1/2。

本发明实施例中,氟化镁材料基底的厚度为0.8mm。

本发明实施例中,短波红外焦平面探测器204选用铟镓砷焦平面探测器,工作波段为0.9-1.7μm,铟镓砷焦平面探测器的面阵大小为640×512,像元尺寸为15μm×15μm。

本发明实施例中,微偏振片阵列203粘贴至短波红外焦平面探测器204的焦平面,微偏振片阵列203的粘贴面为短波红外焦平面探测器204上表面和下表面中任何一种。

本发明实施例中,微偏振片阵列203与短波红外焦平面探测器204的对齐方向为沿短波红外焦平面探测器204的焦平面的垂直方向对齐,单方向偏振膜202的延展方向与短波红外焦平面探测器204的焦平面的垂直方向一致,单条单方向偏振膜102与短波红外焦平面探测器204的n2列像元对齐,n2为正整数。

作为本发明的一种优选实施方式:微偏振片阵列203粘贴至短波红外焦平面探测器204的焦平面构成短波红外波段的分焦平面偏振探测器206,其粘贴过程包括如下步骤:

S21:在短波红外焦平面探测器204的焦平面上涂厚度小于100nm的紫外敏感胶;

S22:通过在LED光源前增加偏振片构成工作光源,其中偏振片的透振方向不同于单方向偏振膜202的透振方向;

S23:在工作光源照射下,调节微偏振片阵列203的位置和角度,使得微偏振片阵列203与短波红外焦平面探测器204的焦平面像元对齐;

S24:利用紫外灯曝光,将微偏振片阵列203与短波红外焦平面探测器204的焦平面固化在一起。

请再次参见图1,本实施例还在上述实施例的分焦平面偏振探测器制作方法的基础上提出一种正交偏振图像获取方法,该正交偏振图像获取方法包括如下步骤:

S31:利用上述实施例所述的分焦平面偏振探测器的制作方法所制备的分焦平面偏振探测器中未经单方向偏振膜作用的像元输出强度图像,经单方向偏振膜作用的像元输出第一幅偏振图像,从而获得强度图像和第一幅偏振图像;

S32:利用图像放大处理方法,分别对强度图像和第一幅偏振图像沿垂直于单方向偏振膜延展方向进行两倍图像放大处理,对应得到全尺寸的强度图像和全尺寸的第一幅偏振图像;

S33:从全尺寸的强度图像中去除全尺寸的第一幅偏振图像得到全尺寸的第二幅偏振图像,从而获得两幅全尺寸的正交偏振图像,其中,去除的方法是从β倍的全尺寸的强度图像中减去全尺寸的第一幅偏振图像得到全尺寸的第二幅偏振图像,β值是与单方向偏振膜的透振方向相同的线偏振光源照射条件下,分焦平面偏振探测器输出的第一幅偏振图像平均值与强度图像平均值的比值,其中图像平均值为图像中所有像素值的平均值。

作为本发明的一种优选实施方式:图像放大处理方法为最近邻插值、线性插值、三次样条插值、深度学习四种方法中的任何一种。

对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对于这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说是显而易见的。本发明将不会被限制与本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

上面结合附图对本发明优选实施方式作了详细说明,但是本发明不限于上述实施方式,在本领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化,这些变化涉及本领域技术人员所熟知的相关技术,这些都落入本发明专利的保护范围。

不脱离本发明的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解,本发明不限于特定的实施方式,本发明的范围由所附权利要求限定。

分焦平面偏振探测器的制作方法及正交偏振图像获取方法专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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