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一种低温等离子体脱硫再生废橡胶装置

一种低温等离子体脱硫再生废橡胶装置

IPC分类号 : C08J11/10,C08L17/00

申请号
CN202020812191.2
可选规格
  • 专利类型: 实用新型专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2020-05-15
  • 公开号: 212687945U
  • 公开日: 2021-03-12
  • 主分类号: C08J11/10
  • 专利权人: 大连理工大学

专利摘要

一种低温等离子体脱硫再生废橡胶装置,采用低温等离子体发生方法,产生高能电子、羟基自由基、臭氧或紫外光等活性物质,废橡胶粉以通过等离子体区域,发生活性物质与废橡胶粉的脱硫反应,实现废橡胶再生性能。装置由低温等离子体再生器、高压电源、进料器、风机等构成;其中电晕流光放电低温等离子体再生器是由高压电极、低压电极等组成,介质阻挡放电低温等离子体再生器由高压电极、低压电极、绝缘介质层等组成;高压电源用于给低温等离子体再生器供电,风机用于提供反应气体,废橡胶粉通过进料器送入等离子体区。本发明优点是在常温常压下再生处理废橡胶,不需要添加化学试剂,无二次污染,不需要冷却系统,装置装备结构简单。

权利要求

1.一种低温等离子体脱硫再生废橡胶装置,其特征在于,所述的再生废橡胶装置为卧式低温等离子体脱硫再生废橡胶装置、立式低温等离子体脱硫再生废橡胶装置两种;

所述的卧式低温等离子体脱硫再生废橡胶装置,包括低温等离子体再生器(1)、高压电源(2)、风机(4);所述的风机(4)与低温等离子体再生器(1)的气路通过管路(5)连接,用于为低温等离子体再生器(1)提供反应气体;高压电源(2)与低温等离子体再生器(1)的电路通过电缆(10)连接;需要再生的废橡胶粉(11)水平铺装在电晕流光放电低温等离子体再生器(1)中的低压电极(7)上、介质阻挡放电低温等离子体再生器(1)中的低压电极(7)或低压电极(7)上面的绝缘介质板(8)上;

所述的立式低温等离子体脱硫再生废橡胶装置,包括低温等离子体再生器(1)、高压电源(2)、进料器(3)、风机(4);所述的风机(4)与低温等离子体再生器(1)的气路通过管路(5)连接,用于为低温等离子体再生器(1)提供反应气体;高压电源(2)与低温等离子体再生器(1)的电路通过电缆(10)连接;进料器(3)中填满需要再生的废橡胶粉(11),从低温等离子体再生器(1)上方向下方散洒,或从低温等离子体再生器(1)下方向上方随气流鼓入通过立式低温等离子体再生器(1);经低温等离子体再生处理后的胶粉落入收集斗(12)中。

2.根据权利要求1所述的一种低温等离子体脱硫再生废橡胶装置,其特征在于:所述的低温等离子体再生器(1)包括电晕流光放电低温等离子体再生器和介质阻挡放电低温等离子体再生器,具体结构形式如下:

所述的电晕流光放电低温等离子体再生器采用同轴线-筒式、线-板式结构,主要由高压电极(6)、低压电极(7)组成;

所述的介质阻挡放电低温等离子体再生器包括单介质阻挡放电低温等离子体再生器和双介质阻挡放电低温等离子体再生器,采用同轴线-筒式单介质、同轴线-筒式双介质、线-板式单介质、线-板式双介质、板-板式单介质、板-板式双介质结构;其中,介质阻挡放电低温等离子体再生器主要由高压电极(6)、低压电极(7)、绝缘介质板(8)组成;单介质阻挡放电低温等离子体再生器是一层绝缘介质板(8)放在高压电极(6)或低压电极(7)表面,双介质阻挡放电低温等离子体再生器是绝缘介质板(8)同时放在高压电极(6)和低压电极(7)表面。

3.根据权利要求2所述的一种低温等离子体脱硫再生废橡胶装置,其特征在于:所述的电晕流光放电低温等离子体再生器中:

所述的线-板式结构,水平或垂直放置:线为高压电极(6)金属线,板为低压电极(7)金属板,低压电极(7)位于高压电极(6)下方,线-板电极间距1mm-500mm;当采用卧式线-板式结构时,废橡胶粉水平铺装到低压电极(7)表面;当采用立式线-板式结构时,废橡胶粉从上方向下方散洒或者从下方向上方随气体鼓入方式通过等离子体区域;根据处理规模增加板电极面积或是多层电极结构并联;所述金属线直径为1mm-50mm;

所述的同轴线-筒式结构,只能垂直放置:线为高压电极(6)金属线,筒为低压电极(7)金属筒,高压电极(6)位于低压电极(7)中心处;橡胶粉(11)从低温等离子体再生器(1)上方向下方散洒,或从低温等离子体再生器(1)下方向上方随气体鼓入通过立式低温等离子体再生器的等离子体区域,根据处理规模增加线-筒式电极结构长度或是多组电极结构并联;所述金属线直径为1mm-50mm,所述金属筒的直径为20mm-1000mm。

4.根据权利要求2所述的一种低温等离子体脱硫再生废橡胶装置,其特征在于:所述的介质阻挡放电低温等离子体再生器中:

所述的同轴线-筒式单介质的电极结构,只能垂直放置:线为高压电极(6)金属线,筒为低压电极(7)金属筒,高压电极(6)位于低压电极(7)中轴处,绝缘介质板(8)安放于低压电极(7)金属筒的内表面或高压电极(6)金属线的外表面;橡胶粉(11)从低温等离子体再生器(1)上方向下方散洒,或从低温等离子体再生器(1)下方向上方随气体鼓入通过立式低温等离子体再生器中,根据处理规模增加线-筒式电极结构长度或是多组电极结构并联;所述金属线直径为1mm-50mm;所述金属筒的直径为20mm-1000mm,所述绝缘介质筒的厚度为0.1mm-50mm;

所述的同轴线-筒式双介质的电极结构,只能垂直放置:线为高压电极(6)金属线,筒为低压电极(7)金属筒,高压电极(6)位于低压电极(7)中轴处,绝缘介质板(8)分别安放于高压电极(6)金属线的外表面和低压电极(7)金属筒的内表面,橡胶粉(11)从低温等离子体再生器(1)上方向下方散洒,或从低温等离子体再生器(1)下方向上方随气体鼓入通过立式低温等离子体再生器中,根据处理规模增加线-筒式电极结构长度或是多组电极结构并联;所述金属线直径为1mm-50mm,所述金属筒的直径为20mm-1000mm,所述绝缘介质筒的厚度为0.1mm-50mm;

所述的线-板式单介质电极结构,水平或垂直放置:线为高压电极(6)金属线,板为低压电极(7)金属板,低压电极(7)位于高压电极(6)下方,绝缘介质板(8)放在高压电极(6)或低压电极(7)表面,低压电极(7)表面或低压电极(7)表面的绝缘介质板(8)表面用于铺装再生处理废橡胶粉(11),根据处理规模增加板电极面积或是多层电极结构并联;所述高压电极(6)为金属线,其直径为1mm-50mm;所述绝缘介质厚度为0.1mm-50mm;当绝缘介质板(8)套在高压电极(6)的外表面时,绝缘介质板(8)管外表面和低压电极(7)板内表面的间距为1mm-50mm,低压电极(7)金属板用于水平铺装再生处理废橡胶粉(11);当绝缘介质板(8)板位于低压电极(7)板的内表面时,绝缘介质板(8)板内表面和或高压电极(6)线间距为1mm-50mm;

所述的线-板式双介质电极结构,水平或垂直放置:线为高压电极(6)圆形金属线,板为低压电极(7)金属板,低压电极(7)位于高压电极(6)下方,高压侧绝缘介质板(8)套在高压电极(6)的外表面,低压侧绝缘介质板(8)板安放于低压电极(7)板的上表面,线-板电极间距1mm-50mm,低压电极(7)板上表面的绝缘介质板(8)表面水平铺装再生处理废橡胶粉(11),根据处理规模增加板电极面积或是多层电极结构并联;所述圆形金属线直径为1mm-50mm,所述高压侧绝缘介质管厚度为0.1mm-50mm,所述低压侧绝缘介质板厚度为0.1mm-50mm;

所述的板-板式单介质的电极结构,水平或垂直放置:上方金属板为高压电极(6),下方金属板为低压电极(7),绝缘介质板(8)板安放于高压电极(6)板或低压电极(7)板的内表面;当绝缘介质板(8)板位于高压电极(6)板内表面时,绝缘介质板(8)板内表面和低压电极(7)板内表面的间距为1mm-50mm,低压电极(7)金属板用于水平铺装再生处理废橡胶粉(11);当绝缘介质板(8)板位于低压电极(7)板的内表面时,绝缘介质板(8)板内表面和或高压电极(6)板内表面的间距为1mm-50mm,低压电极(7)上面的绝缘介质板(8)用于水平铺装再生处理废橡胶粉(11);根据处理规模增加板电极面积或是多层电极结构并联;所述的绝缘介质板厚度为0.1mm-50mm;

所述的板-板式双介质的电极结构,水平或垂直放置:上方金属板为高压电极(6),下方金属板为低压电极(7),绝缘介质板(8)板分别安放于高压电极(6)板的下表面和低压电极(7)板的上表面,上下两块绝缘介质板(8)板内表面的间距为1mm-50mm,低压电极(7)上面的绝缘介质板(8)用于水平铺装再生处理废橡胶粉(11),根据处理规模增加板电极面积或是多层电极结构并联;所述的绝缘介质板厚度为0.1mm-50mm。

一种低温等离子体脱硫再生废橡胶装置专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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