专利摘要
本实用新型提供了一种导光板结构及其背光模组，导光板结构包括导光板本体；导光板本体具有入光面；入光面上形成有网点，网点包括浅凹坑以及多个错位排布的深凹坑；沿入光面的第一侧边延伸方向，每相邻两个深凹坑之间具有第一预定距离；沿入光面的第二侧边延伸方向，每相邻两个深凹坑之间具有第二预定距离；入光面包括由光源照射形成的阴影区域以及明亮区域，浅凹坑设置于明亮区域，深凹坑设置于阴影区域；通过在本实用新型的导光板结构上所形成的阴影区域和明亮区域对应设置深凹坑以及浅凹坑，将入射在导光板结构上的线光源变为均为的面光源射出，解决了导光板结构入光侧的灯影现象，保证了导光板结构导光效果的均匀性。
权利要求
1.一种导光板结构，其特征在于，包括导光板本体；
所述导光板本体具有入光面；所述入光面上形成有网点，所述网点凹设于所述导光板本体上，所述网点包括浅凹坑以及多个错位排布的深凹坑；
沿所述入光面的第一侧边延伸方向，每相邻两个所述深凹坑之间具有第一预定距离；沿所述入光面的第二侧边延伸方向，每相邻两个所述深凹坑之间具有第二预定距离；
所述深凹坑为半球形结构，所述浅凹坑为圆台形结构；所述深凹坑的凹口半径为第一半径，所述浅凹坑的凹口半径为第二半径；
所述入光面包括由光源照射形成的阴影区域以及明亮区域，所述浅凹坑设置于明亮区域，所述深凹坑设置于阴影区域。
2.根据权利要求1所述的导光板结构，其特征在于，所述第一预定距离为1.8mm-2.5mm，第二预定距离为0.75mm-1.5mm。
3.根据权利要求1所述的导光板结构，其特征在于，所述深凹坑的深度为0.05mm-0.18mm，所述浅凹坑的深度为0.001mm-0.0035mm。
4.根据权利要求1所述的导光板结构，其特征在于，所述阴影区域为光源未覆盖的区域，所述明亮区域为光源覆盖的区域。
5.根据权利要求1所述的导光板结构，其特征在于，所述第一半径小于所述第二半径。
6.一种背光模组，其特征在于，包括多个光源以及如权利要求1-5任一项所述导光板结构；
所述光源与所述导光板结构的入光面对应设置，多个所述光源沿所述导光板结构的入光面的第一侧边延伸方向依次间隔排列，每相邻两个光源之间具有第三预定距离。
7.根据权利要求6所述的背光模组，其特征在于，所述光源为LED光源。
8.根据权利要求6所述的背光模组，其特征在于，所述第三预定距离为8mm-10mm。
一种导光板结构及其背光模组专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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