专利摘要
本实用新型涉及存储技术领域，尤其是一种具有稳定结构的双极阻变存储器，采用MgO衬底层、W金属底电极层、TiO2薄膜阻变层、Ti金属顶电极层组成，形成Ti/TiO2/W/MgO结构，在水平方向，采用所述TiO2薄膜阻变层位于所述W金属底电极层中间位置，极大程度方便了各个角度集成应用时的安装，降低了集成难度。
权利要求
1.一种具有稳定结构的双极阻变存储器，其特征在于，包括MgO衬底层(1)、W金属底电极层(2)、TiO
2.如权利要求1所述的具有稳定结构的双极阻变存储器，其特征在于，所述的Ti金属顶电极层(4)为多个独立的点电极。
3.如权利要求1所述的具有稳定结构的双极阻变存储器，其特征在于，所述的TiO
4.如权利要求1或3所述的具有稳定结构的双极阻变存储器，其特征在于，所述的TiO
5.如权利要求1所述的具有稳定结构的双极阻变存储器，其特征在于，所述的MgO衬底层(1)为单晶衬底。
6.如权利要求5所述的具有稳定结构的双极阻变存储器，其特征在于，所述的MgO衬底层(1)为100取向的单晶衬底。
7.如权利要求1所述的具有稳定结构的双极阻变存储器，其特征在于，所述的W金属底电极层(2)的厚度为50-200nm。
8.如权利要求1或7所述的具有稳定结构的双极阻变存储器，其特征在于，所述的W金属底电极层(2)上设有至少1个所述TiO
9.如权利要求8所述的具有稳定结构的双极阻变存储器，其特征在于，所述的Ti金属顶电极层(4)为多边形或圆形。
10.如权利要求8所述的具有稳定结构的双极阻变存储器，其特征在于，所述的TiO
一种具有稳定结构的双极阻变存储器专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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