专利摘要

本发明是有关于一种透明导电膜用腐蚀液组合物，其在液晶显示器等使用的ITO膜等的透明导电膜用腐蚀处理中草酸铟析出是很少的。通过含有草酸和、碱性化合物(其中三乙醇胺除外)的透明导电膜用腐蚀液组合物，在透明导电膜腐蚀工序中即使腐蚀液中的铟的浓度很高也可以有效地防止草酸铟的析出。

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于液晶显示器(LCD)和电发光显示器(ELD)显示元件等的透明导电膜用的腐蚀液组合物。

背景技术

作为用于液晶显示器(LCD)和电发光显示器(ELD)显示元件等的透明导电膜，有氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟、氧化锡、氧化锌等、其中ITO膜、IZO膜被广泛地使用着。作为透明导电膜的布图方法一般是在玻璃等的基板上使透明导电膜以溅射法等成膜后，通过照相平版法形成抗蚀剂图形，腐蚀透明导电膜形成电极图形的方法。

透明导电膜的腐蚀液以往是使用(1)氯化铁水溶液、(2)碘酸水溶液、(3)磷酸水溶液、(4)盐酸-硝酸水溶液(王水)及(5)草酸水溶液等的含有溶解氧化铟成分的腐蚀液。

作为ITO膜，以往是使用着作为透明导电膜的基本特性如电阻率和透射率良好的多结晶ITO膜，但是近年来随着显示元件的大型化、高精度化、高性能化，要求提高加工精度、工艺温度的低温化、高的表面平坦性等，作为满足这些要求的透明导电膜，开始使用了非结晶ITO膜、IZO膜。

非结晶ITO膜、IZO膜等的透明导电膜的腐蚀液，广泛地使用着廉价、稳定性好、具有实用的腐蚀速度且对AI布线的伤害小的草酸水溶液。可是，用草酸水溶液对透明导电膜的腐蚀，存在容易析出草酸铟结晶的问题。

通常，由于腐蚀液在腐蚀装置内反复循环使用，所以使用含有草酸的腐蚀液腐蚀透明导电膜时，腐蚀液中的铟的浓度上升容易析出草酸铟。一旦析出后，就以此为核进行结晶成长，形成粗大的结晶物付着在装置内。其结果，产生装置的动作不良和过滤器的堵塞、伤害基板等的问题。

由于草酸铟是极其难以溶解的盐，所以难以再溶解在腐蚀液中，另外也难以溶解在水中。为此，在去除溶解在装置内的析出结晶物时，只能将装置内的腐蚀液排出后用手工操作或者用药液溶解除去等方法除去，这样就要关系到生产率下降、成本的提高。另外对堵塞的过滤器可以用一些方法除去结晶物或者只能是更换过滤器，这仍要关系到生产率下降、成本的提高的问题。因此，对于使用含有草酸的腐蚀液对透明导电膜的腐蚀，形成最大的问题是草酸铟的结晶容易析出。

作为解决上述问题的方法，可以举出对使用上述草酸以外的氧化铟进行溶解的成分，不过，氯化铁水溶液侧面腐蚀量大，含有对半导体最不好影响的铁的缺点。另外碘酸水溶液，有容易游离出碘，稳定性差而且价高的缺点。继而磷酸水溶液对AI布线有伤害，容易产生腐蚀残渣的缺点。再有，盐酸-硝酸混合液(王水)存在经时变化显著，工艺控制困难，不能传送的缺点。

进而，用以草酸为主成分的腐蚀液的对非结晶ITO膜和IZO膜等的透明导电膜的腐蚀操作中，存在容易产生腐蚀残渣的问题。

作为解决这些问题的方法，本发明者提出了含有从草酸和聚磺酸化合物及聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物构成群中选择出的1种或者2种以上化合物的、ITO膜用腐蚀液组合物(专利文献1)。另外还提出了含有草酸和氨基羧酸或者三乙醇胺的ITO膜用腐蚀液组合物(专利文献2)、含有草酸和羧酸的非晶质ITO膜用腐蚀剂(专利文献3)，含有全氟烷基磷酸酯盐、草酸及水的ITO膜及IZO膜用腐蚀液组合物(专利文献4)、含有草酸和氟系表面活性剂的ITO膜及IZO膜用腐蚀液组合物(专利文献5)等。这些含有草酸的腐蚀液具有实用的腐蚀速度可以看到防止残渣的效果，但是完全没有认识到草酸铟的结晶析出的问题，还是处于一直未解决的状态。

进而，作为不含有草酸的腐蚀液，提出了由含有氨基磺酸和聚氧化乙烯烷基醚硫酸盐、聚氧化乙烯烷基苯基醚硫酸盐或者聚氧化亚烷基烷基醚磷酸酯的水溶液构成的非晶质ITO用腐蚀剂组合物(专利文献6)等。但是这些不含有草酸的腐蚀液虽然不析出草酸结晶有防止腐蚀残渣的效果，但是与含有草酸的水溶液比较却存在腐蚀速度慢，生产率下降等的问题。

如以上所述的那样，草酸以外的溶解氧化铟的无机酸等作为主成分的已知的腐蚀液中，在腐蚀的特性及腐蚀稳定性等的点中使用上存在大的问题，尚不存在与草酸为主成分的腐蚀液匹敌的具有优良特性的腐蚀液。另外，还不存在，在草酸为主成分的腐蚀液中维持其优良的特性，进而可以抑制草酸铟结晶析出的腐蚀液。

因此，现在作为对以草酸为主成分的腐蚀液用于含有铟的透明导电膜的腐蚀工序中防止结晶析出的对策，是采用将使用后的腐蚀液用纳米膜过滤再生的方法、对装置的定期地进行维修及采用结晶难以析出的装置结构等，目前只是在装置上进行对策的方式(专利文献7及非专利文献1)。

[专利文献1]特开2002-164332号公报

[专利文献2]特开2002-033304号公报

[专利文献3]特开2003-306676号公报

[专利文献4]特开2005-116542号公报

[专利文献5]特开2005-244083号公报

[专利文献6]特开2002-367974号公报

[专利文献7]特开2006-013158号公报

[非专利文献1]2007年12月17日第1版，株式会社情报机构发行“最新透明导电膜大全集”P556-P557

由此可见，上述现有的腐蚀液组合物在使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般腐蚀液组合物又不能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的透明导电膜用腐蚀液组合物，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的腐蚀液组合物存在的缺陷，而提供一种新的透明导电膜用腐蚀液组合物，所要解决的技术问题是使其在用于液晶显示器的非晶质ITO及IZO等的透明导电膜的腐蚀工序中，可以防止草酸铟的析出，可以提高生产率及降低成本。

本发明者为了解决上述问题进行了精细的研究，发现了含有草酸和、碱性化合物的透明导电膜用腐蚀液组合物具有以草酸为主成分的腐蚀液的优良特性，而且可以抑制草酸铟结晶的析出，进而研究的结果，直到本发明的完成。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的透明导电膜用腐蚀液组合物，其中涉及含有草酸和碱性化合物(但，其中三乙醇胺除外)。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的透明导电膜用腐蚀液组合物，其中所述的碱性化合物是从氢氧化季铵类、碱金属类的氢氧化物、烷醇胺类(但，其中三乙醇胺除外)及羟基胺类构成群中选择出的1种或者2种以上。

前述的透明导电膜用腐蚀液组合物，其中所述的pH值是1.1-5.0。

前述的透明导电膜用腐蚀液组合物，其中进而含有从聚磺酸化合物、聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物及磺酸盐型阴离子表面活性剂组成群中选择出1种或者2种以上的化合物。

前述的透明导电膜用腐蚀液组合物，其中进而含有1种或者2种以上的水溶性聚合物。

前述的透明导电膜用腐蚀液组合物，其是用于含有氧化铟透明导电膜的腐蚀。

前述的透明导电膜用腐蚀液组合物，其是使用了上述透明导电膜用腐蚀液组合物。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，草酸铟的结晶容易析出的原因，可以认为草酸水溶液中的铟的溶解度低的缘故。本发明者们的调查中发现草酸水溶液中铟的溶解量是300ppm，超过上述浓度时草酸铟的结晶就容易析出。也就是，认为使草酸水溶液中的铟的溶解量增加，就可以抑制草酸铟的结晶的析出。

本发明的透明导电膜用腐蚀液组合物，通过含有碱性化合物，可以抑制草酸铟的结晶析出的理由未必是很明确的，但是可以认为在溶液中，随着pH的提高，OH基和胺、季铵要比草酸容易与铟生成络合物，这样就抑制了草酸铟的生成，其结果是增加了铟的溶解量。

通过使用本发明的透明导电膜用腐蚀液组合物，在透明导电膜的腐蚀工序中由于可以抑制草酸铟结晶的析出，可以延长腐蚀液的生命。另外还可以减轻除去结晶的作业，可以提高生产率降低成本。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

(无)

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的透明导电膜用腐蚀液组合物，其具体实施方式、步骤、特征及其功效，详细说明如后。

本发明的透明导电膜，是指氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)及氧化铟等构成的透明导电膜，特别是非晶质ITO膜及IZO膜构成的透明导电膜。另外，本发明的透明导电膜用腐蚀液组合物，是在显示器及电发光显示器等的制造工序中、在上述透明导电膜的腐蚀工序中被使用的腐蚀液组合物。

用于本发明的腐蚀液组合物草酸的浓度，在考虑得到实用上的充分腐蚀速度和不析出草酸结晶等后可以适当地决定，但是优选的是0.1-10重量％，更优选的是0.3-8重量％，特别优选的是0.5-6重量％。草酸的浓度低时，腐蚀速度降低，草酸浓度高时有草酸结晶析出的倾向，如果草酸的浓度在上述的范围时，就可以得到实用上的腐蚀速度，另外，最好不要有由于草酸结晶的析出，在保存和运输上所带来的障碍。

用于本发明的腐蚀液组合物中的碱性化合物，是在考虑了铟溶解量及腐蚀速度等而进行选择的，但是，本发明的腐蚀液组合物，其特征是在加入碱性成分后的腐蚀速度的下降减小，所以铟溶解量和腐蚀速度的平衡是极其重要的。作为用于本发明腐蚀液组合物的碱性化合物，典型的可举出氢氧化季铵类、碱金属类的氢氧化物、烷醇胺类(但是除去三乙醇胺类)及羟基胺类等。

具体地，作为氢氧化季铵类可以举出氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、胆碱等。

另外，作为碱金属类氢氧化物可以举出例如氢氧化钠、氢氧化钾等。

进而，作为烷醇胺类，可以举出单烷醇胺类、二烷醇胺类、除去三乙醇胺的三烷醇胺类等。单烷醇胺类可以举出例如单乙醇胺、2-甲基氨基乙醇、2-乙基氨基乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、1-氨基-2-丙醇、单丙醇胺、二甲基氨基乙醇及这些的盐类等。另外，作为二烷醇胺类，可以举出例如，二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、二丁醇胺、及这些的盐类等。上述的烷醇胺类中，从铟的溶解量及腐蚀速度等的观点看，优选的是单烷醇胺类、二烷醇胺类等，更优选的是单烷醇胺类，最优选的是单乙醇胺等。

进而，作为羟基胺类，可以举出例如羟基胺、N-甲基羟基胺、N，N-二甲基羟基胺、N，N-二乙基羟基胺、硫酸羟基胺、盐酸羟基胺等，优选的是羟基胺等。

此外。这些的碱性化合物，根据用途也可以含有1种或者2种以上。

用于本发明的腐蚀液组合物的碱性化合物的浓度，是在考虑了铟的溶解量、草酸铟的结晶析出、腐蚀液组合物的pH值及腐蚀速度等后可以适宜地决定，但是优选的是0.1-10重量％，更优选的是0.3-7重量％，特别优秀的是0.5-5重量％。碱性化合物的浓度低时，容易析出草酸铟的结晶，浓度高时腐蚀速度有下降的倾向，碱性化合物的浓度在上述的范围时，就可以得到充分的防止草酸铟结晶析出的效果和实用的腐蚀速度，所以是理想的。

本发明的腐蚀液组合物的pH值，是在考虑了铟的溶解量、草酸铟的结晶析出及腐蚀速度等后适宜地决定的，但是优选的是1.1-5.0，更优选的是1.2-4.0，特别优选的是1.3-3.0。pH低时，容易析出草酸铟的结晶，pH高时腐蚀速度有下降的倾向，pH在上述的范围时，就可以得到充分的防止草酸铟结晶析出的效果和实用的腐蚀速度，所以是理想的。

本发明的腐蚀液组合物中，含有草酸和碱性化合物的本发明的组合物的pH值和不含有碱性化合物以外的同一组成的组合物的pH进行比较时，由于加入碱性化合物的pH值的变化量ΔpH，是在考虑铟溶解量、草酸铟的结晶析出及腐蚀速度等可以适宜地决定，通过加入的碱性化合物的种类及浓度等适宜地调整。

ΔpH的范围，优选的是0.1-4.0，更优选的是0.3-3.0，特别优选的是0.5-2.0。ΔpH小时草酸铟结晶容易析出，ΔpH大时，腐蚀速度有下降的倾向，如果ΔpH在上述范围的话，就可以得到充分的防止草酸铟的结晶析出的效果和实用的腐蚀速度。所以是理想的。

本发明的腐蚀液组合物的腐蚀速度，在考虑处理时间及均匀的腐蚀等后，草酸的浓度、可以通过所加入碱性化合物的种类及浓度适宜地进行调整。

另外，在不妨碍上述效果的前提下，可以在本发明的腐蚀液组合物中进而含有除去腐蚀残渣的成分。作为这个目的所使用的成分优选的是聚磺酸化合物、聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物、磺酸盐型阴离子表面活性剂等。

作为聚磺酸化合物，可以举出萘磺酸甲醛缩合物及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐、木质素磺酸及其盐等。作为磺酸甲醛缩合物及其盐，具体地可以举出ルノツクス 1000C、1500A、イオネツトD-2、三洋レベロンPHL(以上、束邦化学株式会社)、ロ一マ PWA-40(サンノプコ株式会社)、デモ一ルN(花王株式会社)、ポリテイN-100K(ライオン株式会社)、ラベリンFH-P(第一工業製薬株式会社)等的商品名市面有售。作为木质素磺酸及其盐，具体地可以举出以ソルポ一ル9047K(东邦化学工业株式会社)、サンエキス(日本制纸化学株式会社)等商品名在市面有售。这些聚磺酸化合物中，含有钠等金属的物质，作为电子工业使用是不适宜的，通过离子交换树脂等的处理，除去钠就可以使用了。

聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物，根据聚氧化乙烯和聚氧化丙烯的比例及分子量有各种的型号，具体的在市场上贩卖的例如有以商品名ニユ一ポ一ルPE系列(三洋化成工业株式会社)、エパン系列(第一工业制药株式会社)等。

作为磺酸盐型阴离子表面活性剂，可以举出例如十二烷基苯磺酸样的烷基苯磺酸酯及其盐、烷基硫酸酯及其盐、磺基琥珀酸的二烷基酯及其盐、聚氧化乙烯烷基醚磺酸及其盐、聚氧化乙烯烯丙基醚磺酸及其盐等。其中聚氧化乙烯烷基醚磺酸及其盐、聚氧化乙烯烯丙基醚磺酸及其盐，由于发泡比较少是优选的，是以ニユ一コ一ル系列(日本乳化剂株式会社)的商品名市售的。再有，这些化合物根据用途可以含有1种或者2种以上。

本发明的腐蚀液组合物中所使用的聚磺酸化合物、聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物和/或磺酸盐型阴离子表面活化剂的浓度，从可以充分去掉腐蚀残渣的效果观点看，优选的是0.0001-10重量％，特别优选的是0.001-10重量％。

进而，本发明的腐蚀液组合物，在不妨碍上述效果的范围内，可以使其含有为进一步抑制草酸铟析出的成分。作为这样目的所使用的成分，优选的是防止水垢效果的水溶性聚合物。

作为水溶性聚合物，可以举出聚丙烯酸、聚马来酸、丙烯酸-马来酸共聚物、丙烯酸-磺酸系共聚物、丙烯酸-苯乙烯共聚物以及这些的盐。具体地可以举出例如アクアリツク系列(株式会社日本触媒)、アロン系列(东亚合成株式会社)、ポリテイ系列(ライオン株式会社)等的商品名的市售品。这些的水溶性聚合物中含有钠等的金属是不适于电子工业使用，但是用离子交换树脂等处理，将钠除去后是可以使用的。此外，这些水溶性聚合物，根据用途可以含有1种或者2种以上。

本发明的腐蚀液组合物中所使用的水溶性聚合物的浓度，从获得充分抑制结晶析出的效果的观点看，优选的是0.001-10重量％，特别优选的是0.01-10重量％。另外，这些的水溶性聚合物的分子量，优选的是200-100,000，特别优选的是500-10,000。

本发明的腐蚀液组合物，可以在室温或者加热后使用，为了得到所需要的腐蚀速度及腐蚀时间可以适当地设定条件进行使用。

使用本发明的腐蚀液组合物的透明导电膜的腐蚀方法，可以举出用喷嘴向基板喷射腐蚀液组合物的喷射处理、将基板直浸渍在腐蚀液中的方法、摇动基板自身或者搅拌腐蚀液的浸渍处理的方法等。

以下表示了本发明的实施例及比较例，进而详细说明本发明，但是本发明不受这些实施例的限制，在不脱离本发明的技术思想范围内可以进行各种的变化。

实施例

(腐蚀液的组成)

在表1中表示了本发明的实施例及比较例的腐蚀液的组成。

表1

TMAH 氢氧化四甲基铵

MEA  单乙醇胺

德莫尔N萘磺酸甲醛缩合物的钠盐(花王株式会社制)

(铟的溶解性评价)

将表1中所表示的各个腐蚀液一边加热到50℃，一边添加氧化铟粉末(平均粒径1μm、纯度99.99％)直到规定的铟浓度，搅拌2～3小时。用眼睛观察确认氧化铟粉末充分溶解后，用0.2μm滤器分别过滤各个腐蚀液，将过滤液密闭在容器中静置在设定为37℃的恒温槽内，用眼睛观察在每规定的时间内确认是否有结晶的析出。另外，测定出各个腐蚀液的pH。此外，腐蚀液中的铟溶解量，是从添加的铟的重量、腐蚀液的容量及过滤前后的过滤器重量的变化量计算出的。其结果表示在表2中。

表2

※铟溶解性评价标准

○168小时(7日)以上不析出结晶

×24小时(1日)以内析出结晶

如表2所表示的那样，可以看出比较例1～5那样的不含有碱性化合物的腐蚀液，其铟的溶解量小，在24小时以内析出结晶。与此相反，本发明的实施例1～13的含有碱性化合物腐蚀液，其铟的溶解量大，而且在168小时(7日)以上没有发生析出结晶，液体的稳定性是极其优良的。从这些结果可以看出增加铟的溶解量对抑制草酸铟的结晶析出是有效的，本发明的腐蚀液组合物具有极其优良的抑制草酸铟析出的效果。本发明的腐蚀液组合物中，上述铟的溶解量及稳定性和后述的腐蚀速度的平衡是特别重要的。

另外，如比较例2及3那样，即使将草酸浓度降低、pH控制在1.3～1.5也可以看到结晶析出，所以单纯地将含有草酸的腐蚀液的pH提高也没有效果，可以看出通过使其含有碱性化合物，可以极其有效地抑制草酸铟结晶的析出。

(腐蚀速度的评价)

将表1所表示的各个腐蚀液加热到40℃，把在 膜厚的非结晶ITO膜上所形成抗腐蚀图形的基板浸渍在各个腐蚀液中1分钟后，经水洗、干燥后，剥离抗腐蚀膜，用触针式膜厚计测定腐蚀量，计算出腐蚀速度。其结果表示在表3。

表3

如表3所表示的那样，本发明实施例1～13的含有碱性化合物的腐蚀液与比较例1～5的不含有碱性化合物的腐蚀液比较，可以看出虽然腐蚀速度有若干的减少，但是对非晶质ITO膜是具有充分的腐蚀速度的。

(残渣除去性评价)

将在玻璃基板上形成了ITO膜的基板，用从腐蚀速度计算出的恰好腐蚀时间的1.4倍的时间进行腐蚀处理后，进行电子显微镜观察评价腐蚀后的残渣。另外，对在玻璃基板上形成了氮化硅(SiN)膜，进而形成ITO膜的基板，同样用从腐蚀速度计算出的恰好腐蚀时间的1.4倍的时间进行腐蚀处理后，进行电子显微镜观察评价腐蚀后的残渣。其结果表示在表4。

表4

※残渣除去性的评价标准

○完全没有看到残渣

×全面地看到残渣

如表4所表示的那样，可以看出比较例1的只含有草酸的腐蚀液中，在玻璃基板上及SiN膜上全面地看到了残渣，而实施例12及13的含有草酸、碱性化合物及聚磺酸化合物的腐蚀液，具有与比较例5的含有草酸及聚磺酸的腐蚀液的相同的残渣除去能力。

从上述表1～4的结果可以看出本发明的腐蚀液组合物，由于铟的溶解量大，而且溶解铟后的液体稳定性极高，所以具有极其优良的抑制草酸铟的结晶析出的效果。

另外，与不含有碱性化合物的以往的以草酸为主成分的腐蚀液具有相同的、实用上充分的腐蚀速度。

进而，与不含有碱性化合物的以往的以草酸为主成分的腐蚀液同样地，通过添加聚磺酸化合物等可以得到优良的残渣除去能力。

按照本发明，使用含有草酸和碱性化合物的腐蚀液组合物，将在玻璃等基板上成膜了的ITO及IZO等的透明导电膜进行腐蚀，可以有效地抑制对腐蚀装置内的草酸铟的结晶析出，大幅度地延长腐蚀液的使用寿命，可以减轻装置内的结晶除去作业及过滤器的交换次数，可以达到提高生产率和降低成本。因此，在使用了ITO及IZO等的透明导电膜的、液晶显示器和电发光显示器等的制造技术领域中是特别有用的。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

透明导电膜用腐蚀液组合物专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。