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基于太赫兹波段的太赫兹超表面调制器

基于太赫兹波段的太赫兹超表面调制器

IPC分类号 : G02F1/01,H01P1/00,H01P1/18

申请号
CN202022518394.3
可选规格
  • 专利类型: 实用新型专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2020-11-04
  • 公开号: 213023815U
  • 公开日: 2021-04-20
  • 主分类号: G02F1/01
  • 专利权人: 桂林电子科技大学

专利摘要

本实用新型公开了一种基于太赫兹波段的太赫兹超表面调制器,它包括底部的二氧化硅介质层(3),其特征在于:在二氧化硅介质层(3)上方设有均匀间隔排列石墨烯条(2),在石墨烯条(2)的上方设有金属十字结构(4),在金属十字结构(4)划分的四个区域分别设有开口的金属开口谐振环(1),金属十字结构(4)可以满足被入射电磁波直接激励,四个金属开口谐振环(1)的开口在不同方向。本实用新型该可以很好的应用于太赫兹波导和回旋管中,在保证太赫兹入射波高透射的基础上保证对反射波的重新利用。

权利要求

1.一种基于太赫兹波段的太赫兹超表面调制器,它包括底部的二氧化硅介质层(3),其特征在于:在二氧化硅介质层(3)上方设有均匀间隔排列石墨烯条(2),在石墨烯条(2)的上方设有金属十字结构(4),在金属十字结构(4)划分的四个区域分别设有开口的金属开口谐振环(1),金属十字结构(4)可以满足被入射电磁波直接激励,四个金属开口谐振环(1)的开口在不同方向。

2.根据权利要求1所述的基于太赫兹波段的太赫兹超表面调制器,其特征在于:二氧化硅介质层(3)的厚度为36um,金属开口谐振环(1)的开口距离为5um,金属十字结构(4)的十字金属条宽度为5um,石墨烯条(2)的宽度为5um,金属开口谐振环(1)的宽度为10um,二氧化硅介质层(3)的长和宽均为150um。

3.根据权利要求1所述的基于太赫兹波段的太赫兹超表面调制器,其特征在于:在石墨烯条(2)上涂有离子凝胶层,金属十字结构(4)和金属开口谐振环(1)位于离子凝胶层上。

基于太赫兹波段的太赫兹超表面调制器专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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