IPC分类号 : G01N21/65; C03C17/10; C03C17/36; C03C17/40; C04B41/51; C04B41/52; C25D13/02
专利摘要
本发明公开了一种表面增强拉曼散射基底的制备方法,基底包括导电衬底、二维贵金属微纳结构阵列和金纳米星;本发明的表面增强拉曼散射基底的制备方法首先利用光刻技术,在平整的导电衬底材料上,制备一层二维贵金属微纳结构阵列,阵列单元为星形,阵列单元尺寸范围在150nm~1000nm,间距为10nm~500nm;然后通过电泳法,把金纳米星颗粒沉积在二维贵金属微纳结构阵列中各星形单元的尖端附近区域;由于二维贵金属微纳结构阵列中各星形单元的尖端电场极大的特征,电泳过程中金纳米星颗粒优先吸附到尖端位置,金纳米星颗粒与二维贵金属微纳结构阵列中各星形单元的尖端间距可达10nm以下。
专利附图
表面增强拉曼散射基底的制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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