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申请号
专利名称
CN201510404012.5
调控SiC纳米阵列密度的方法
CN201510510896.2
一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法
CN201310027870.3
一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法
CN201510404917.2
SiC纳米阵列
CN201910389990.5
一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法
CN201910355286.8
一种花色碳化硅宝石的制备方法
CN201410340812.0
大尺寸钙钛矿结构甲胺溴铅晶体的制备方法
CN201810603756.3
一种超薄钙钛矿单晶材料的制备方法
CN201910288571.2
利用光响应行为制备异质结构材料的方法及其应用
CN201810769121.0
一种二维共晶有机单晶微米晶体、制备方法及其应用
CN201610619304.5
一种硫化锌孪晶纳米球及其制备方法
CN202010070422.1
氧化铁单晶纳米球形颗粒及其熔盐法合成方法
CN201910488709.3
一种Bi2O2Se晶体及其制备方法
CN201110081268.9
双加热器移动热屏式直拉单晶炉
CN201210347878.3
水热法合成In2Se3(en)纳米空心球的方法
CN201510353880.5
一种螺旋状GaN单晶纳米线及其制备方法
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