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申请号
专利名称
CN201180073954.X
八足形纳米晶体的有序超晶格结构、它们的制备方法及其应用
CN202010335062.3
一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法
CN200810243665.X
一种溶剂热合成纳米氧化铋单晶片的方法
CN201710519326.9
重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法
CN201510075026.7
一种基于硫酸钙晶须的重金属吸附剂的制备方法
CN201110034575.1
制备球形纳米单晶石英颗粒的方法
CN201520648634.8
一种生长Ⅲ族氮化物晶体的装置
CN201811613764.2
一种氧化钇纳米束状晶须的制备方法
CN201080060438.9
单晶立方倍半氧化物的制备方法及其用途
CN201911347149.6
一种多坩埚晶体生长炉工位联动控制装置及方法
CN201810385666.1
一种单晶六方氧化铝的制备方法及其应用
CN201810277002.3
一种层状双金属氢氧化物LDH-Cl3-I晶须的制备方法及其应用
CN201610316212.X
一种采用光学区熔技术制备LaB6-VB2共晶复合材料的方法
CN201910317457.8
一种提高大块六方相氮化硼单晶产量的方法
CN201920957791.5
一种制备金属配合物单晶的培养装置
CN202010770393.X
一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法
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