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申请号
专利名称
CN201410176393.1
一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法
CN201510510985.7
柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用
CN201510510679.3
P掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用
CN201310230977.8
SiC柔性场发射阴极材料
CN201910684353.0
一种Au纳米颗粒修饰枝状TiO2纳米棒阵列作为场发射阴极材料的应用
CN201510510666.6
一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法
CN201510749621.4
一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线的制备方法
CN201510752329.8
一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极
CN201610566819.3
B掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用
CN201810311138.1
一种Graphene/SiC异质结纳米阵列的制备方法
CN201610597107.8
一种低电场光电子成像仪
CN201610586415.0
影像大小可调谐光电子成像仪
CN201610080850.6
双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置
CN201510237939.4
一种基于四极板设计的高时间分辨离子速度成像仪
CN201810763110.1
一种介质交错双栅慢波结构
CN201811173315.0
可提高离子探测效率的质谱系统
CN201810447449.0
一种基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法
CN201910152237.4
一种电离源装置
CN201910152236.X
一种复合电离源装置
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