专利摘要

本实用新型提供单壁碳纳米管的悬空结构，利用硅微加工技术，在柔性基底上设置电极对；然后通过交流耦合介电电泳的方法，使单壁碳纳米管在悬浮液中的电场力作用下定向沉积在柔性基底上的电极对间；接着配比饱和的Au电镀液，实施区域选择性电沉积Au技术，实现Au电极上的 定域沉积Au压覆单壁碳纳米管。本实用新型实现了单根或单束单壁碳纳米管的一维定向排布与加固，提高器件的灵敏性和稳定性，易于工业化生产。

权利要求

1.单壁碳纳米管的悬空结构，其特征在于，包括由多个平行电极对有序排列组成的电极对阵列、基底(1)和单壁碳纳米管(7)，所述电极对阵列一极为设在基底(1)一侧的独立电极阵列(5)，另一极为设在基底(1)另一侧的非独立电极阵列(6)，所述非独立电极阵列(6)与信号源的输入端(2)与连接，信号源的输出端(3)悬空放置在独立电极阵列(5)的顶部；

所述独立电极阵列(5)由若干个独立电极组成，所述非独立电极阵列(6)由若干个相互之间电连接的非独立电极组成，所述单壁碳纳米管(7)定向悬空放置在独立电极和非独立电极间。

2.根据权利要求1所述的单壁碳纳米管的悬空结构，其特征在于，所述基底(1)为柔性基底或硬基底。

3.根据权利要求1所述的单壁碳纳米管的悬空结构，其特征在于，所述电极对之间的间距小于5μm，所述独立电极与非独立电极之间间隔为5～10μm，所述独立电极与非独立电极均为微电极，所述微电极宽度为2～4μm，长度约为13～18μm，所述微电极为金微电极或铂微电极。

4.根据权利要求1所述的单壁碳纳米管的悬空结构，其特征在于，信号源的输出端(3)与独立电极阵列(5)的距离为0.4～0.6mm。

5.根据权利要求1所述的单壁碳纳米管的悬空结构，其特征在于，所述基底(1)表面铺设有分散液层(4)。

说明书

技术领域

本实用新型涉及传感器技术与纳米技术领域，具体涉及单壁碳纳米管的悬空结构。

背景技术

一维纳米材料与微结构结合的纳器件制造过程，实现了微纳加工工艺上的创新升级，有可能突破微米级器件的性能极限，并将为实现超微型化和高功能密度化的柔性器件铺平道路。单壁碳纳米管(Single-walled carbon nanotubes,SWNTs)作为典型的一维纳米材料，由于其独特的结构而具有许多突出的物理及化学性质，在力学、电学、光学及材料学等方面有着潜在的应用，尤其是SWNTs优异的力电特性，使它有望成为高效能应变传感器件的理想备选材料。目前商用传感设备一般可分为光学传感器、压电传感器和压阻式应变传感器。其中,压阻式应变传感器由于其在技术应用方面的广泛与便利，而成为最重要的传感设备之一。

现有技术中的基于单壁碳纳米管的柔性传感器，不易实现大规模独立器件制作；柔性基底上的电极对距离在5微米以下，就很难实现在一个电极对上实现单壁碳纳米管的单根或单束的沉积；器件稳定性不高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供了单壁碳纳米管的悬空结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现以上目的，本实用新型采用的技术方案是：

单壁碳纳米管悬空结构，包括由多个平行电极对有序排列组成的电极对阵列、基底和单壁碳纳米管，所述电极对阵列一极为设在基底一侧的独立电极阵列，另一极为设在基底另一侧的非独立电极阵列，所述非独立电极阵列与信号源的输入端与连接，信号源的输出端悬空放置在独立电极阵列的顶部；所述独立电极阵列由若干个独立电极组成，所述非独立电极阵列由若干个相互之间电连接的非独立电极组成，所述单壁碳纳米管通过交流耦合介电电泳的方法被定向悬空放置在独立电极和非独立电极间。

优选的是：所述基底为柔性基底或硬基底。

优选的是：所述电极对之间的间距小于5μm，所述独立电极与非独立电极之间间隔为5～10μm，所述独立电极与非独立电极均为微电极，微电极宽度为2～4μm，长度约为13～18μm，所述微电极为金微电极或铂微电极。

优选的是：信号源的输出端与独立电极阵列的距离为0.4～0.6mm。

优选的是：所述基底表面铺设有分散液层。

基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器，包括柔性基底、多个平行电极对有序排列组成的电极对阵列、单壁碳纳米管，所述电极对阵列一极为设在柔性基底一侧的独立电极阵列，另一极为设在柔性基底另一侧的非独立电极阵列，所述非独立电极阵列与信号源的输入端与连接，信号源的输出端悬空放置在独立电极阵列的顶部；所述独立电极阵列由若干个排列有序的独立电极组成，所述非独立电极阵列由若干个相互之间电连接的非独立电极组成，所述单壁碳纳米管的两端分别与独立电极和非独立电极固定连接。

优选的是：所述柔性基底为PI薄膜，柔性基底的厚度为10～30μm。

柔性传感器的制作方法，包括以下步骤：

S1：利用硅微加工方法，在柔性基底上设置排列有序的电极对，电极对一极为独立电极阵列，另一极为非独立电极阵列，所述非独立电极阵列(6) 由若干个相互之间电连接的非独立电极组成，所述独立电极阵列(5)包括若干个与非独立电极相对应且以功能为导向的有序独立电极；

S2：先将信号源的输出端悬空放置在独立电极阵列上方，信号源的输入端与非独立电极阵列相连，再将单壁碳纳米管分散剂滴加至设有电极对阵列的柔性基底中，然后打开信号源，通过交流耦合介电电泳，使得单壁碳纳米管定向悬空放置在电极对间；

S3：配比饱和的Au电镀液，利用区域选择性电沉积，定域沉积Au压覆单壁碳纳米管，使单壁碳纳米管的两端分别与独立电极阵列和非独立电极阵列固定连接。

优选的是：所述硅微加工方法包括真空吸附、溅射、涂光刻胶、光刻胶曝光并显影、离子束刻蚀、反应离子刻蚀、去胶，所述溅射厚度为

优选的是：所述交流耦合介电电泳的电泳时间4～7min。

本实用新型通过交流耦合介电电泳，实现了单根或单束单壁碳纳米管的一维定向排布，减小了单壁碳纳米管混乱搭接对相互之间的干扰，可提高器件的灵敏性和稳定性，同时耦合作用使大量独立电极能同时进行介电电泳作用，可实现单壁碳纳米管传感器件的大规模制备，易于工业化生产，节约生产成本；对基底的要求低，与基底的预处理和器件的后处理能较好结合；此悬空结构器件工作时不易受基底的影响，最大限度避免纳米材料的尺度效应、界面效应和体积效应的负面作用；碳纳米管器件应用的可拓展性，提高器件的稳定性，可实现单壁碳纳米管传感器件的大规模制备；区域选择性电沉积 Au技术和退火工艺可提高单壁碳纳米管与电极的稳定性和接触特性，缩小接触电阻近一个量级。

附图说明

构成本实用新型的一部分附图用来提供对本实用新型的进一步理解。在附图中：

图1为单壁碳纳米管悬空结构示意图。

图2为本实用新型结构示意图。

图中：1为基底，2为信号源的输入端，3为信号源的输出端，4为分散剂层，5为独立电极阵列，6为非独立电极阵列，7为单壁碳纳米管，8为PI 薄膜，9为RIE PI，10为IBE Au，11为Deposited Au。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1：如图1所示，单壁碳纳米管悬空结构，包括由多个电极对有序排列组成的电极对阵列、基底1、单壁碳纳米管7、信号源的输入端2和信号源的输出端3，电极对阵列一极为设在基底1一侧的独立电极阵列5，独立电极阵列5是没有电连接的，可实现大规模独立器件的制作，另一极为设在基底1另一侧的非独立电极阵列6，在传感器实现过程中，非独立电极阵列6与信号源的输入端2与连接，信号源的输出端2悬空放置在独立电极阵列5的顶部；独立电极阵列5由若干个独立电极组成，非独立电极阵列6由若干个相互之间电连接的非独立电极组成，单壁碳纳米管通过交流耦合介电电泳的方法被定向放置在独立电极和非独立电极间。

进一步的是：基底1为柔性基底或硬基底；电极对之间的间距小于5μm，小间距易使单壁碳纳米管7处于悬空状态，即使是硬基底也能使单壁碳纳米管7脱离基底，减小基底对单壁碳纳米管7的性能干扰；电极对由两个一一对应的微电极组成，电极宽度约为3μm，长度约为15μm，微电极为金微电极或铂微电极，电极之间间隔5～10μm，信号源的输出端3与独立电极阵列5的距离为0.4～0.6mm，基底上表面铺设有分散液层4。

实施例2：基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器，包括柔性基底、多个电极对有序排列组成的电极对阵列和单壁碳纳米管7，电极对阵列一极为设在柔性基底一侧的独立电极阵列，另一极为设在柔性基底另一侧的非独立电极阵列6，非独立电极阵列6与信号源的输入端2与连接，信号源的输出端3 悬空放置在独立电极阵列5的顶部；独立电极阵列5由若干个独立电极组成，非独立电极阵列6由若干个相互之间电连接的电极组成，单壁碳纳米管7的两端分别与独立电极和非独立电极固定连接。

进一步的是：柔性基底为PI薄膜8，柔性基底的厚度为10～30μm。

实施例3：柔性传感器制作方法，包括以下步骤：

S1：利用硅微加工技术，在柔性基底上设置排列有序的平行电极对，电极对阵列中一极为独立电极阵列5，另一极为非独立电极阵列6，其中独立阵列电极5包括大量以阵列形式存在的独立电极，非独立电极电极阵列6中所有电极均相互有电连接，将柔性基底与硅微电子工艺相结合，实现了在柔性基底上制作出排列整齐的电极对；

S2：先将信号源的输出端3悬空放置在独立电极阵列5的分散剂内，信号源的输入端2与电极阵列6相连；再将单壁碳纳米管7分散于分散剂中，滴加分散剂至设有电极对的柔性基底上，在一般的水中，单壁碳纳米管7会相互吸附在一起，而在特殊的分散剂中，它是可以单根存在的，然后打开信号源，通过交流耦合介电电泳方法，使得单壁碳纳米管7定向悬空在电极对间，交流耦合介电电泳的信号源输出端不直接连在电极上，而是通过某种介质来感应产生耦合作用达到电泳的目的，通过交流耦合介电电泳，可获得电泳过程中的自限性，实现电极对间单根单束单壁碳纳米管7的定向排布，可减小单壁碳纳米管7混乱搭接对相互之间的干扰，提高器件的稳定性。此外，耦合作用使大量独立电极能同时进行介电电泳作用，可实现单壁碳纳米管7 传感器件的大规模制备；

S3：配比饱和的Au电镀液，利用区域选择性电沉积技术，定域沉积Au 压覆单壁碳纳米管7，使单壁碳纳米管7的两端分别与独立电极阵列5和非独立电极阵列6固定连接，区域选择性电沉积Au技术和退火工艺可提高单壁碳纳米管7与Au电极的稳定性和接触特性，缩小接触电阻近一个量级，为微纳连接的可靠性提供了一种简单、快捷的方法。

进一步的是：硅微加工方法包括真空吸附、溅射、涂光刻胶、光刻胶曝光并显影、离子束刻蚀、反应离子刻蚀、去胶，所述溅射厚度为 交流耦合介电电泳的电泳时间4～7min。

实施例4：柔性传感器包括柔性基底、多个电极对有序排列组成的电极对阵列、单壁碳纳米管7、信号源的输入端2和信号源的输出端3，电极对阵列中一极为设在柔性基底一侧的独立电极阵列，另一极为设在柔性基底另一侧的非独立电极阵列6，非独立电极阵列6与信号源的输入端2与连接，信号源的输出端3悬空放置在独立电极阵列5的顶部；将装置连接完成后进行交流耦合介电电泳，独立电极阵列与浸入分散剂层4的悬空信号源的输出端3形成耦合作用，分散剂层4内有分散剂，分散剂会使单壁碳纳米管保持分散状态，悬空信号源的输出端3电极与独立电极阵列5的距离保持在0.5mm左右，电泳时间约5min。独立电极对阵列5获得耦合作用后再与信号源的输入端2 相连的非独立电极阵列6形成非均匀电场，对分散剂中的单壁碳纳米管7产生定向吸引力，对已经搭接有单壁碳纳米管7的对电极因周围电场的改变，会对分散剂中的单壁碳纳米管7产生相反的自限性排斥作用力，在分散剂层4介电常数短时间内没改变及温度稳定的情况下，已形成单壁碳纳米管7电连接的对电极上不会再排布其它的单壁碳纳米管7，从而实现单壁碳纳米管7的单根单束定向有序排列；独立电极阵列5由若干个独立电极组成，非独立电极阵列6由若干个相互之间电连接的电极组成，再通过区域选择性电沉积的方法将单壁碳纳米管7两端分别与独立电极阵列5和电极阵列6固定。

实施例5：柔性传感器的制作步骤：

1)柔性基底上制备Au电极

在25μm厚的PI薄膜8上溅射厚度为 的Au，可以获得电极间距为3μm的Au电极对阵列，其主要工艺流程如下：

a.备PI薄膜8膜片(2.5in，厚25μm)，清洗，压平；b.真空吸附PI薄膜；c.溅射Au；d.涂光刻胶；e.掩膜版正面光刻曝光并显影；f.离子束刻蚀(Ion Beam Etching,IBE)；g.反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching, RIE)；h.去胶。光刻胶通过掩膜版曝光显影后用离子束刻蚀(Ion Beam Etching,IBE)掉没有被光刻胶挡住的溅射形成的Au膜，形成中间层IBEAu。再用反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching,RIE)继续刻蚀无Au膜覆盖的PI 膜，形成最下层的RIE PI凸起，形状与电极图形一致。在去完胶并实施交流耦合介电泳搭接上碳纳米管之后，再利用选择性电沉积Au，形成第三层 Deposited Au。

2)单壁碳纳米管7的单根单束定向排列

柔性基底上的电极对阵列的一组阵列由等间距的独立指形电极构成，电极对阵列的另一组则是由相互具有电连接的指形电极构成，电极之间间隔8 μm,在进行交流介电电泳时，独立电极阵列5与浸入分散剂的悬空信号源的输出端3形成耦合作用，悬空信号源的输出端3电极与独立电极阵列5的距离保持在0.5mm左右。独立电极对阵列5获得耦合作用后再与信号源的输入端2相连的电极阵列6形成非均匀电场，对分散剂中的单壁碳纳米管7产生定向吸引力，对已经搭接有单壁碳纳米管7的对电极，因其周围电场的改变，对分散剂中的单壁碳纳米管7则会产生相反的自限性排斥作用力，从而实现单壁碳纳米管7的单根单束定向排列。

3)区域选择性电沉积Au

在半导体和金属的交界面，由于其不同的功函数，将导致半导体能带弯曲。Au的功函数为5.1eV，而单壁碳纳米管7功函数约为4.5eV。正是由于两者功函数的这一差异，在单壁碳纳米管7与电极的交界面将产生极化使单壁碳纳米管7价带与Au电极的费米能级相等，而电极对之间的单壁碳纳米管7 能级将向低能级弯曲。由于价带与金属能级相等，与Au电极接触的单壁碳纳米管7将体现半导体特性。因此在电镀的过程中容易沉积金属Au，选择适当的电镀参数可以实现选择性电沉积。通过静电力显微镜(Electrostatic ForceMicroscope,EFM)对器件进行静电势分析，结果发现，如果以基底为零电势点，金属电极与单壁碳纳米管7间会产生电势差(0.3～0.4V)的电势差，利用此电势差，可实现区域选择性电沉积。在实施过程中，先用1.5g的碘和1.5g 的碘化钾溶于酒精后在80℃恒温状态下溶解Au至饱和制成电镀液。在定向沉积了单壁碳纳米管7的PI薄膜8上定量滴入电镀液后，以Au电极对为工作电极，Ag/AgCl电极作为参考电极，接通电源进行电沉积，同时观察电流，若电流小于2.4mA时，继续滴加电镀液。3分钟后，断开电源，将PI薄膜取出用无水乙醇清洗干净后烘干退火。

实施例6，如图2所示，在PI膜上溅射Au，涂光刻胶，通过掩膜版曝光显影后用离子束刻蚀(Ion Beam Etching,IBE)掉没有被光刻胶挡住的溅射形成的Au膜，形成中间层IBEAu10。再用反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching, RIE)继续刻蚀无Au膜覆盖的PI膜，形成最下层的RIE PI9凸起，形状与电极图形一致。在去完胶并实施交流耦合介电电泳搭接上碳纳米管之后，再利用选择性电沉积Au，形成第三层Deposited Au11。

尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

单壁碳纳米管的悬空结构专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。