专利摘要
本发明涉及薄膜材料技术领域，尤其涉及一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置，包括真空室、磁控靶、工件架和旋转支座，磁控靶包括高功率脉冲磁控溅射靶和脉冲直流磁控靶，固定在真空室内，呈九十度对向设置，其磁场布局方式相反，形成闭合场；每个磁控靶的磁场布局方式都为非平衡磁场。本发明通过以上结构的实施方式，具有较好的磁场分布及离子镀效果，能够方便沉积出膜层结合力好、涂层致密、力学性能好、化学成分精确可控的优质涂层用于高速切削刀具。
专利附图
一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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