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申请号
专利名称
CN201910225747.X
一种高性能四元稀土六硼化物-二硼化锆复合材料的制备方法
CN201610552213.4
一种金属铂的半金属化合物及其制备方法
CN201610385336.3
一种适合于屏幕材料的常温高强力学性能氧化铝晶片的制备方法及其制得的产品
CN201911348765.3
一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法
CN201810277002.3
一种层状双金属氢氧化物LDH-Cl3-I晶须的制备方法及其应用
CN201710519326.9
重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法
CN202010335062.3
一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法
CN201811613764.2
一种氧化钇纳米束状晶须的制备方法
CN201610029480.3
Sol-gel法制备NaNbO3粉体及烧结获得单晶的方法
CN201810385666.1
一种单晶六方氧化铝的制备方法及其应用
CN201911347149.6
一种多坩埚晶体生长炉工位联动控制装置及方法
CN201520648634.8
一种生长Ⅲ族氮化物晶体的装置
CN201910317457.8
一种提高大块六方相氮化硼单晶产量的方法
CN202010770393.X
一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法
CN201610316212.X
一种采用光学区熔技术制备LaB6-VB2共晶复合材料的方法
CN201920957791.5
一种制备金属配合物单晶的培养装置
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