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申请号
专利名称
CN201610831800.7
一种柔性N型碲化银纳米线热电薄膜的制备方法
CN201510289055.3
能伸长的热电材料、热电器件、能穿戴的电子设备、和电子设备
CN201310025243.6
用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料
CN201810334479.0
硅板机械清洗装置
CN201911091630.3
一种电子设备组装机构
CN201610300033.7
一种新型Cu-Bi-Se基热电材料及其制备方法
CN201410695949.8
一种动态特性自适应匹配的微结构阵列精密加工机床
CN201710591305.8
一种非均匀化学计量比反铁电陶瓷、其制备方法及其应用
CN201910339192.1
一种力反馈闭环控制复合键合装置
CN201910054320.8
一种利用紫外激光加工干法刻蚀中硬掩膜板的方法
CN201710600473.9
一种紫外LED外延结构
CN201610518480.X
一种平台的定位系统及其控制方法
CN201410008044.9
一种发光二极管封装结构
CN201910290197.X
一种纳米柱阵列异质结及其制备方法
CN201610649086.X
一种提高砷化镓太阳能电池光电转换效率方法
CN201910659740.9
一种阻变存储器
CN201811552241.1
一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池及其制备方法
CN201810257171.0
一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料
CN201710148866.0
一种线偏振出光有机发光二极管
CN201410230353.0
一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其制备方法
CN201910147496.8
一种有机半导体阵列晶体的制备方法
CN202011418165.2
基于紫外吸收剂添加的光活性层及三元有机太阳能电池
CN201710301065.3
一种PIN结构紫外光电探测器及其制备方法
CN201510317977.0
一种微米级球形铜锌锡硫单晶颗粒的制备方法
CN201611119880.X
化学水浴制备太阳能电池吸收层CuInS2薄膜的方法
CN201110325521.0
用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及制备方法
CN201910899163.0
一种三明治结构全氧化物无铅铁电光伏器件及其制备方法
CN201810376012.2
一种平板微热管的落差式灌封装置和方法
CN200610026291.7
与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法
CN201780059478.3
发光元件
CN201810309970.8
光伏板硅片加工用清洗装置
CN201810819082.0
一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法
CN201810310442.4
一种光伏板清理一体化装置
CN201410647299.X
一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的分层电极及其连接工艺
CN201310262835.X
基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构及固晶机
CN201811614645.9
一种深紫外LED外延芯片正装结构
CN201911206961.7
一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法及装置
CN201610566736.4
一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件
CN201811013186.9
一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法
CN202010192097.6
用于Micro-LED巨量转移的仿生抓取装置及使用、制造方法
CN201110066394.7
一种超晶格量子阱太阳电池及其制备方法
CN201910982833.5
一种基于晶面结的单晶氧化亚铜纳米发电机及其制造方法
CN201510889657.2
用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
CN201810660527.5
一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法
CN201810529019.3
一种费米能级可调的石墨烯异质结结构及其制备方法
CN201810020970.6
一种聚3,4-乙烯二氧噻吩包覆氧化钨纳米棒、制备方法及其应用
CN201810997641.7
一种氧化锌基纳米颗粒稳定分散液的制备方法
CN201910055031.X
一种太阳能电池背板膜加工用一体化装置
CN201710350815.6
一种柔性电致发光器件及其制备方法
CN201310145707.7
一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法
CN201610263449.6
一种柔性硅基纳米薄膜热电器件
CN201410775252.1
一种通过激光加热制作薄膜图案的方法
CN201610502910.9
半导体器件
CN201110097172.1
氮化物系半导体晶片以及氮化物系半导体装置
CN200510056344.5
一种寄存器传输级可观测性覆盖分析与激励生成方法
CN201010263865.9
平面螺旋电感
CN201680026992.2
气体诱导钙钛矿形成
CN200510040154.4
磁敏传感器阵列及其制造方法
CN201810064170.4
基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管
CN201810569867.7
一种位置及尺寸精确可控的刻蚀方法
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