专利摘要
本发明公开了一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法，包括如下步骤：利用丙酮将去除硅衬底的金刚石薄膜窗口材料进行超声清洗；将清洗后的金刚石薄膜窗口含硅杂质的一面向上放置于离子体装置反应腔中的基片台上并对腔体抽真空；待真空度下降到标准真空度后通入氢气；用氢等离子体刻蚀金刚石薄膜窗口，直至碳化硅完全还原成硅；最后用硝酸与氢氟酸腐蚀去除硅。本发明利用氢等离子体将金刚石窗口表面的碳化硅还原成硅并用酸去除，在没有破坏金刚石窗口薄膜的前提下有效去除了残留在金刚石窗口表面的碳化硅等大分子杂质，减少了大分子杂质对金刚石薄膜窗口电子束的干扰和吸收，极大的提升了金刚石窗口的热稳定性。
专利附图
一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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