筛选出 548 条数据
申请号
专利名称
CN201410135212.0
一种用于微电极接触的过载保护装置及其制备和使用方法
CN201310217774.5
基于热电制冷器的高密度集成微纳光电子芯片散热装置
CN201110065836.6
一种势垒型硅基薄膜半叠层太阳电池
CN200910232924.3
一种纳米硅薄膜电致发光显示单元
CN201610649086.X
一种提高砷化镓太阳能电池光电转换效率方法
CN201910456444.9
一种基于COB封装的大功率LED的散热装置
CN201711275941.6
叠加式金属网格型透明电极的激光定域去除制备方法
CN201410026623.6
一种非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管及其制备方法
CN201910092975.4
一种用于功率型LED散热的集成式离子风热沉
CN201910982833.5
一种基于晶面结的单晶氧化亚铜纳米发电机及其制造方法
CN201310610481.3
一种含有Fe的纳米薄膜材料及其制备方法
CN201710479484.6
一种多叠层式纳米压电器件及其制备方法
CN201610016506.0
一种用于扇出式圆片级封装的散热构件及制造方法
CN201811265097.3
低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法
CN201810290070.3
以纳米遮蔽层进行离子定位注入的阻变存储器制备方法
CN201810288366.1
以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法
CN201910428920.6
一种阻变存储器及其制备方法
CN201910659740.9
一种阻变存储器
CN201711322148.7
具有复合式背镀反射层的发光二极管
CN201811552241.1
一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池及其制备方法
CN201910146148.9
一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法
CN201810257171.0
一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料
CN201810614958.8
Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
CN201710755340.9
一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法
CN201610851659.7
一种SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
CN201610889171.3
一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
CN201610620373.8
稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法
CN201510876374.4
稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法
CN201510067700.7
用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法
CN201410123117.9
掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法
CN201810155240.7
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
CN201710767384.3
一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法
CN201610788846.5
氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法
CN201511030291.X
用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料及薄膜制备方法
CN201510889657.2
用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
CN201510206563.0
用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
CN201810257259.2
一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
CN201810684530.0
Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料及其制备方法
CN201810660527.5
一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法
CN201610851411.0
一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用
CN201710101643.9
一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途
CN201610852807.7
一种Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
CN201610794092.4
一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法
CN201510317313.4
用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法
CN201910831941.2
一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管
CN201910832419.6
一种像素结构有机发光二极管及其制备方法
CN201910977182.0
一种铁电薄膜的周期性条带畴结构的表征方法
CN201710148866.0
一种线偏振出光有机发光二极管
CN202010053655.0
集成有波导的低维材料异质结光电探测器
CN201810242585.6
准直出光的OLED结构及其构成的器件
CN201810095679.5
基于光子晶体异质结的反式三维钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN201710148870.7
一种倒置结构有机发光二极管及其制备方法
CN202010055133.4
集成有多端口光波导的低维材料异质结光电探测器
CN201810097797.X
基于光子晶体异质结的反式低维钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN201810195059.9
氧化锌薄膜及其制备方法和应用
CN201910716432.5
新型纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法
CN201810529019.3
一种费米能级可调的石墨烯异质结结构及其制备方法
CN201410162603.1
掺钴非晶碳膜/硅光伏器件的制备方法
CN201410069878.0
一种n型半绝缘GaAs欧姆接触电极材料及其制备方法
CN201410069877.6
一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法
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