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申请号
专利名称
CN201810068437.7
一种铜过量的P-型Cu3.9Ga4.2Te8基中温热电材料及其制备工艺
CN201710875369.0
一种三维硅基微纳光子晶体太阳能电池
CN201611119880.X
化学水浴制备太阳能电池吸收层CuInS2薄膜的方法
CN200510040154.4
磁敏传感器阵列及其制造方法
CN201810309970.8
光伏板硅片加工用清洗装置
CN201810966034.4
一种用于LED管芯备胶作业的自动化机器
CN201210116551.5
具有过压保护的半导体器件及基于此器件的双向极性器件
CN201610300033.7
一种新型Cu-Bi-Se基热电材料及其制备方法
CN201610613952.X
一种自对准GaAs-PMOS器件结构
CN200910232924.3
一种纳米硅薄膜电致发光显示单元
CN201810257171.0
一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料
CN201910931220.9
一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器
CN201611224957.X
一种Ag-Ga-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺
CN201310145707.7
一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法
CN201410775252.1
一种通过激光加热制作薄膜图案的方法
CN201610502910.9
半导体器件
CN201510289055.3
能伸长的热电材料、热电器件、能穿戴的电子设备、和电子设备
CN201810376012.2
一种平板微热管的落差式灌封装置和方法
CN200510056344.5
一种寄存器传输级可观测性覆盖分析与激励生成方法
CN201010263865.9
平面螺旋电感
CN201810106367.X
一种制备过渡金属硫化物的金属与半导体异质结结构的方法
CN201780059478.3
发光元件
CN201710097726.5
MIM电容器结构的制造方法
CN201810310442.4
光伏板清理一体化装置
CN201810072735.3
一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET
一种光伏板清理一体化装置
CN201410647299.X
一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的分层电极及其连接工艺
CN201810569867.7
一种位置及尺寸精确可控的刻蚀方法
CN201910054320.8
一种利用紫外激光加工干法刻蚀中硬掩膜板的方法
CN201410008044.9
一种发光二极管封装结构
CN201911206961.7
一种芯片内部电路断路缺陷的修复方法及装置
CN201610566736.4
一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件
CN201811013186.9
一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法
CN201210263411.0
一种基于内置位移传感器音圈电机的粘片机焊头机构
CN201310217774.5
基于热电制冷器的高密度集成微纳光电子芯片散热装置
CN201811552241.1
一种碳对电极硫化锑薄膜太阳电池及其制备方法
CN201610851659.7
一种SiO2/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
CN201410230353.0
一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其制备方法
CN202011418165.2
基于紫外吸收剂添加的光活性层及三元有机太阳能电池
CN201811269359.3
二维拓扑绝缘体及其制备方法和应用
CN201711198920.9
全无机钙碳矿量子点CsPbBr3电存储器件及其制备方法
CN201110337703.X
基于低温制备的Ag2S片状纳米晶阵列与P3HT杂化的薄膜光电转换器件
CN201610962686.1
一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件
CN201711347587.3
一种柔性单晶颗粒薄膜及其制备方法和应用
CN201711418665.4
稀土络合物掺杂二氧化硅微球溶液和改性太阳能电池的制备方法
CN201510701094.X
电致动材料及其制备方法和采用该电致动材料的致动器
CN201410148982.9
一种基于垂直交换耦合的磁场探测器及其制备和使用方法
CN201110325521.0
用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及制备方法
CN201811534822.2
一种N型热电薄膜及其制备和应用
CN201680026992.2
气体诱导钙钛矿形成
CN200610026291.7
与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法
CN201810064170.4
基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管
CN201810967019.1
一种LED备胶封装加工专用的机械化设备
CN201810819082.0
一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法
CN201811028434.7
一种半导体集成圆片生产用热处理装置
CN201410149990.5
利用磁控溅射法在柔性衬底上制备铜锌锡硫薄膜的方法
CN201811614645.9
一种深紫外LED外延芯片正装结构
CN201811577696.9
一种Micro-LED的转移方法
CN201910290197.X
一种纳米柱阵列异质结及其制备方法
CN202010192097.6
用于Micro-LED巨量转移的仿生抓取装置及使用、制造方法
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