筛选出 548 条数据
申请号
专利名称
CN201810415010.X
一种植物栽培用的LED灯珠
CN201810208513.X
一种三维NAND型存储器下选择管的实现方法
CN201711390819.3
一种光泵白光LED器件的制备方法
CN201710903676.5
一种低温下具有阈值电阻转变功能的材料及其制备方法
CN201910077837.9
解决近程空心光束的头灯及其球状光源封装方法
CN201710060578.X
专用RFID并行晶圆测试系统及验证方法
CN201810988701.9
一种协同作用可控制备有机半导体纳米线的方法
CN201910436704.6
良柔性三明治型PN结电存储器件
CN201610841253.0
一种用于冷却微电子芯片的气凝胶电渗泵
CN201410069877.6
一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法
CN201410162603.1
掺钴非晶碳膜/硅光伏器件的制备方法
CN201910428920.6
一种阻变存储器及其制备方法
CN201310610481.3
一种含有Fe的纳米薄膜材料及其制备方法
CN201910179839.9
一种非对称的PN结热电偶结构及其参数确定方法
CN202010302164.5
一种Micro-LED巨量转移方法及转移装置
CN201611191826.6
一种有机电致发光器件的制备方法
CN201811204677.1
一种电子元件的巨量转移方法及装置
CN201910055206.7
一种通过激光加工顶接触结构有机场效应晶体管的方法
CN201910446516.1
一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构与方法
CN201911379301.9
一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法及芯片封装结构
CN201910339759.5
一种双模混合控制芯片倒装方法
CN201310112421.9
一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极及其连接工艺
CN202010485067.4
一种可收集冷凝水的芯片散热装置
CN201910716432.5
新型纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法
CN201810072735.3
一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET
CN201610273153.2
高调制速度发光二极管及其调制方法和制造方法
CN201710743328.6
一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法
CN201510593942.X
抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器
CN201480057910.1
自旋控制机构及自旋裝置
CN201510820822.9
一种发电复合膜及其制备方法
CN201180029738.5
半导体集成电路装置的检查方法及半导体集成电路装置
CN201210539358.2
双掺杂InSe基热电材料及其制备和用途
CN200580022327.8
结构形成
CN200910046633.5
用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料
CN201410454375.5
一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件
CN201910021590.9
一种量子阱红外圆偏振探测器
CN201710087046.5
具有固定界面电荷场限环的功率器件
CN201510653152.6
一种在垂直位置使用的三角形截面的电子元件散热器组件
CN201310154664.9
一种有机阻变存储器及其制备方法
CN201610020249.8
一种透明电致动材料及其透明电致动器
CN201610935487.1
一种氧化铟纳米纤维场效应晶体管电学性能的调控方法
CN201710192874.5
一种金属氧化物薄膜的制备方法
CN201610168327.9
一种铜铁锌锡硫微米单晶颗粒的制备方法
CN201611039072.2
一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法
CN202010111699.4
一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法
CN201710006430.8
一种纳米晶硅薄膜太阳能电池的制备方法
CN201810895722.6
一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN201910614954.4
一种溶液法制备晶体硅太阳能电池的工艺
CN201910262252.4
一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管
CN201710442032.0
一种太阳能电池
CN201810036001.X
一种钙钛矿前驱体溶液及其制备方法与应用
CN201811390761.7
一种基于极化的铁电钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN201810058066.4
钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN201610794092.4
一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法
CN201910146148.9
一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法
CN201811277372.3
一种紫外发光二极管及其制作方法
CN201710019563.9
一种微结构刻蚀的加工装置
CN201610624781.0
一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构
CN201610958505.8
一种LED倒装结构
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