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申请号
专利名称
CN200680019640.0
可印刷半导体结构以及相关制造和组装方法
CN200410038297.7
具有微米级热电臂的微型热电元件的微加工方法
CN201110194902.X
空穴补偿型方钴矿热电材料及其制备方法
CN201010581188.5
相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法
CN201110325521.0
用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及制备方法
CN201110306843.0
用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法
CN201910899163.0
一种三明治结构全氧化物无铅铁电光伏器件及其制备方法
CN201410274020.8
基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料及其制备与应用方法
CN201480033310.1
超材料装置及其用途
CN201810376012.2
一种平板微热管的落差式灌封装置和方法
CN200580022327.8
结构形成
CN201210539358.2
双掺杂InSe基热电材料及其制备和用途
CN201210440428.9
荧光体高填充波长变换片、使用该波长变换片的发光半导体装置的制造方法及该发光半导体装置
CN200910167033.4
基材连接方法和3-D半导体器件
CN201811292091.5
二维Ga1-InSe合金及其制备方法及在制备光电探测中的应用
CN201811534822.2
一种N型热电薄膜及其制备和应用
CN200480032390.5
用于混合信号集成电路的低串扰衬底
CN201080048453.1
用于能量存储设备中的异质纳米结构材料及其制造方法
CN200510056344.5
一种寄存器传输级可观测性覆盖分析与激励生成方法
CN200510068117.4
纳机电非易失随机存取存储器
CN201810688651.2
一种探测器、热敏电阻、氧化钒薄膜及其制造方法
CN201310025243.6
用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料
CN201280031744.9
转印薄膜的方法
CN202011127677.3
一种氧化铌选通管
CN201010230775.X
一种纳米线堆叠结构及其形成方法和半导体层图形化方法
CN201180052889.2
包含具有分级掺杂的稀释氮化物子电池的多结太阳能电池
CN201410840455.4
一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法
CN201010263865.9
平面螺旋电感
CN201580007817.4
半导体的选择性电化学蚀刻
CN201711439215.3
兼容真空环境的图形转移的方法及系统
CN201510386988.4
SnSe基热电材料及其制备方法
CN201510219504.7
一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料及其制备方法
CN201480064696.2
用于太阳辐射转换装置的Tm2+发光材料
CN201480011857.1
电介质层及电介质层的制造方法、以及固态电子装置及固态电子装置的制造方法
CN201810106367.X
一种制备过渡金属硫化物的金属与半导体异质结结构的方法
CN201610786144.3
通过双氨基有机物制备热稳定钙钛矿CsPbI3的方法
CN201680026992.2
气体诱导钙钛矿形成
CN200610026291.7
与互补金属氧化物半导体工艺兼容的微机械热电堆红外探测器及制作方法
CN200510040154.4
磁敏传感器阵列及其制造方法
CN201180029738.5
半导体集成电路装置的检查方法及半导体集成电路装置
CN201180029805.3
CN201610284977.X
热电纳米复合材料及其制造方法
CN201911106587.3
酞菁铜磺酸掺杂聚合物基热电材料及其制备方法和应用
CN201080018971.9
如用于质量感测的单块FBAR-CMOS结构
CN201810064170.4
基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管
CN201610804501.4
一种可重构的磁逻辑器件及其制备方法
CN201210233913.9
一种耿氏二极管、其制备方法及毫米波振荡器
CN201710073117.6
多层膜异质结构、其制备方法及应用
CN201611261990.X
一种具有选择性滤波特性的自旋波起偏器
CN201611004502.7
一种微波探测元件以及微波探测器
CN201210167983.9
一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法
CN201510929601.5
一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的制造方法
CN201510820822.9
一种发电复合膜及其制备方法
CN201480057910.1
自旋控制机构及自旋裝置
CN201610054544.5
一种铋层状化合物超晶格的制备方法
CN201480020864.8
用来加速CMOS处理器的SPASER
CN201110215670.1
锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底
CN201580017904.8
发光元件和用于该发光元件的组合物
CN202010119441.9
一种三维自换行生长堆叠纳米线沟道及弹簧结构的制备方法
CN201510117491.2
基于notch结构的GaN耿氏二极管及制作方法
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