筛选出 256 条数据
申请号
专利名称
CN202010493030.6
一种硅酸铷非线性光学晶体的制备方法和用途
CN201610400788.4
一种多功能温度可控式液桥生成器
CN201610400782.7
一种上液桥柱可旋转式液桥生成器
CN201610519994.7
一种电子化合物C12A7:e-单晶体的制备方法
CN202010878896.9
共含锗和氮杂质的单晶硅片、其制备方法以及包含所述硅片的集成电路
CN201610316212.X
一种采用光学区熔技术制备LaB6-VB2共晶复合材料的方法
CN201910425005.1
一种多层石墨烯单晶薄膜的生长方法
CN201910491868.9
一种大尺寸三层硫化钼单晶的化学气相沉积制备方法
CN201910223620.4
一种理想二维费米液体系统BiOSe单晶及其制备方法和应用
CN201910317457.8
一种提高大块六方相氮化硼单晶产量的方法
CN201180073954.X
八足形纳米晶体的有序超晶格结构、它们的制备方法及其应用
CN201910196239.3
一种四方相和/或六方相一硒化钴二维材料及其制备和应用
CN201910462762.6
一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用
CN202020685312.1
一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭用的坩埚
CN202010333801.5
一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置及方法
CN202010335062.3
一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法
CN202010234442.8
基底触发单晶高温合金定向凝固工艺
CN202020476756.4
一种离心超重力熔铸与定向凝固系统
CN201510659844.1
采用一步法直接生长磁电材料Mn4Nb2O9单晶的方法
CN201510849964.8
一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法
CN201510377818.X
一种稀土硅化物单晶晶体的制备方法
CN201510453648.9
真空环境中使用的环形电子束无坩埚区域熔炼装置
CN201710215349.0
化合物氟硼酸钾和氟硼酸钾非线性光学晶体及制备方法和用途
CN201710215337.8
化合物氟硼酸铯和氟硼酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途
CN201910075768.8
一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法
CN201920275286.2
用于单晶金刚石生长的晶种托
CN201811225006.3
一种高质量CuSeA晶体的生长方法
CN201811339108.8
一种富氮气氛增强氮化硼薄膜p型导电掺杂的方法
CN200810243665.X
一种溶剂热合成纳米氧化铋单晶片的方法
CN201210048486.7
Li2In2SiS6化合物、Li2In2SiS6非线性光学晶体及制法和用途
CN202010090545.1
一种基于有限元的枝晶生长过程热模拟方法及装置
CN201510068308.4
磁制冷材料CaFe0.7Co0.3O3单晶及其制备方法
CN201510230383.6
一种周围剪切气流式液桥生成器
CN201510266266.5
一种直径可调式液桥生成器
CN202010285916.1
一种金属砷单晶的制备方法
CN201410724917.6
一种磁光晶体材料及其制备方法
CN201410841415.1
一种单晶镁合金生物降解材料及其制备方法
CN201810493951.5
一种元素辅助快速制备大尺寸单晶二维材料的方法
CN201810893502.X
一种碲化镍二维材料及其制备和应用
CN200810028488.3
一种低温可控制备氧化锌纳米线的方法及其应用
CN201810319100.9
一种绿色无催化剂法制备氮化镓纳米线的方法
CN201810474244.1
大尺寸单层六方氮化硼单晶或薄膜及制备方法
CN201911348765.3
一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法
CN201911347149.6
一种多坩埚晶体生长炉工位联动控制装置及方法
CN201810218839.0
一种碲化铂二维材料、制备及其电学器件中的应用
CN201810249484.1
一种碲化铌二维材料及其合成和应用
CN201711358841.X
一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品
CN201820145550.6
一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置
CN201710559394.8
一种HfS单晶纳米片的制备方法
CN201621066183.8
蓝宝石单晶电阻生长炉
CN201610385336.3
一种适合于屏幕材料的常温高强力学性能氧化铝晶片的制备方法及其制得的产品
CN201310095466.X
一种大尺寸稀土硼化物SmB6单晶体的制备方法
CN201710519326.9
重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法
CN201710305666.1
一种具有曲面结构的胶体光子晶体及其制备方法
CN201710372584.9
一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法
CN201780003659.4
用于制造多晶硅的超高温沉淀工艺
CN201710269810.0
一种具有巨大磁电阻的HfTe5-δ晶体及其生长方法
CN201710028076.9
超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法
CN201510834660.4
一种泡生法生长大尺寸晶体的收尾脱埚工艺及其应用
CN201510982616.8
偏硼酸锂晶体的制备方法和用途
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