筛选出 548 条数据
申请号
专利名称
CN201110309043.4
一种倒置结构的聚合物本体异质结太阳电池及其制备方法
CN200680019640.0
可印刷半导体结构以及相关制造和组装方法
CN200910167033.4
基材连接方法和3-D半导体器件
CN201811292091.5
二维Ga1-InSe合金及其制备方法及在制备光电探测中的应用
CN201080048453.1
用于能量存储设备中的异质纳米结构材料及其制造方法
CN201510386988.4
SnSe基热电材料及其制备方法
CN201510219504.7
一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料及其制备方法
CN201480020864.8
用来加速CMOS处理器的SPASER
CN201711046073.4
一种平面耿氏毫米波、太赫兹功率放大器及其制备方法
CN201380052370.3
磁电传感器和其制造方法
CN201711465818.0
热三极管及热路
CN201810411151.4
石墨烯芯片生产原料用离心分选装置
CN201910162516.9
具有聚光功能的亚太赫兹波探测器
CN202010629707.4
一种半导体晶圆的密封环结构及其制备方法
CN201810394883.7
一种存储与选通双功能器件及其制备方法
CN201810166532.0
一种光探测与电致发光双功能集成器件及其制备方法和应用
CN201210212903.7
太阳能电池片自动上料装置
CN201611082139.0
一种晶圆键合结构的制造方法
CN202011371555.9
一种计算机用节能型USB接口芯片自动生产设备
CN201610191041.2
一种高性能GeSbTe基热电材料的制备方法
CN201810280619.0
一种高构型熵热电化合物及其设计方法与制备方法
CN201711479192.9
一种晶圆级倒装视觉系统中的高精度定位方法和装置
CN202010018794.X
一种光源引导下的超高密度空间互连引线的加工方法
CN201610958505.8
一种LED倒装结构
CN201610624781.0
一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构
CN201710019563.9
一种微结构刻蚀的加工装置
CN201811277372.3
一种紫外发光二极管及其制作方法
CN201910146148.9
一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法
CN201610794092.4
一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法
CN201810058066.4
钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN201811390761.7
一种基于极化的铁电钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN201810036001.X
一种钙钛矿前驱体溶液及其制备方法与应用
CN201710442032.0
一种太阳能电池
CN201910262252.4
一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管
CN201910614954.4
一种溶液法制备晶体硅太阳能电池的工艺
CN201810895722.6
一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN201710006430.8
一种纳米晶硅薄膜太阳能电池的制备方法
CN202010111699.4
一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法
CN201611039072.2
一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法
CN201610168327.9
一种铜铁锌锡硫微米单晶颗粒的制备方法
CN201710192874.5
一种金属氧化物薄膜的制备方法
CN201610935487.1
一种氧化铟纳米纤维场效应晶体管电学性能的调控方法
CN201610020249.8
一种透明电致动材料及其透明电致动器
CN201310154664.9
一种有机阻变存储器及其制备方法
CN201510653152.6
一种在垂直位置使用的三角形截面的电子元件散热器组件
CN201710087046.5
具有固定界面电荷场限环的功率器件
CN201910021590.9
一种量子阱红外圆偏振探测器
CN201410454375.5
一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件
CN200910046633.5
用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料
CN200580022327.8
结构形成
CN201210539358.2
双掺杂InSe基热电材料及其制备和用途
CN201180029738.5
半导体集成电路装置的检查方法及半导体集成电路装置
CN201510820822.9
一种发电复合膜及其制备方法
CN201480057910.1
自旋控制机构及自旋裝置
CN201510593942.X
抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器
CN201710743328.6
一种利用磁场调控有机薄膜分子有序化生长的方法
CN201910716432.5
新型纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法
CN201610273153.2
高调制速度发光二极管及其调制方法和制造方法
CN201810072735.3
一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET
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